STM32 FLASH擦除、寫入以及防止誤擦除程序代碼

編譯環(huán)境：(Keil)MDK4.72.10
stm32庫版本：STM32F10x_StdPeriph_Driver_3.5.0

一、本文不對(duì)FLASH的基礎(chǔ)知識(shí)做詳細(xì)的介紹，不懂得地方請(qǐng)查閱有關(guān)資料。
　　對(duì)STM32內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程操作，需要遵循以下流程：
　　1、FLASH解鎖；
　　2、清除相關(guān)標(biāo)志位；

　　3、擦除FLASH(先擦除后寫入的原因是為了工業(yè)上制作方便，即物理實(shí)現(xiàn)方便)；
　　4、寫入FLASH；
　　5、鎖定FLASH；

實(shí)例：
#define FLASH_PAGE_SIZE((uint16_t)0x400) //如果一頁為1K大小
#define WRITE_START_ADDR((uint32_t)0x08008000)//寫入的起始地址
#define WRITE_END_ADDR((uint32_t)0x0800C000)//結(jié)束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除計(jì)數(shù)，寫入地址
uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要寫入的數(shù)據(jù)
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//記錄要擦除的頁數(shù)
volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
void main()
{

　FLASH_Unlock();

　NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

　 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

　for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
{
　　FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
}

　Address = WRITE_START_ADDR;
　while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
{
　　FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
　　Address = Address + 4;
　}

　FLASH_Lock();
}
二、FLASH 擦除（以及防止誤擦除程序代碼）
1、擦除函數(shù)
FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)

只要（）里面的數(shù)是flash第xx頁中對(duì)應(yīng)的任何一個(gè)地址！就是擦除xx頁全部?jī)?nèi)容！

2、防止誤擦除有用程序代碼的方法
方法一：首先要計(jì)算程序代碼有多少，把FLASH存取地址設(shè)置在程序代碼以外的地方，這樣就不會(huì)破壞用戶程序。原則上從0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空間都可以作為存儲(chǔ)使用。如果代碼量占了 0x3000， 那么存儲(chǔ)在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空間就不會(huì)破壞程序了。

方法二：先在程序中定義一個(gè)const 類型的常量數(shù)組，并指定其存儲(chǔ)位置（方便找到寫入、讀取位置），這樣編譯器就會(huì)分配你指定的空間將常量數(shù)組存入FLASH中。當(dāng)你做擦除。讀寫操作時(shí)，只要在這個(gè)常量數(shù)組所在的地址范圍就好。
　　const uint8_t table[10]__at(0x08010000)= {0x55} ;
　　MDK3.03A開始就支持關(guān)鍵字 __at() 。
　　需要加#include

方法三：在程序中定義一個(gè)const 類型的常量數(shù)組，無需指定其存儲(chǔ)位置。只要定義一個(gè)32位的變量存儲(chǔ)這個(gè)數(shù)組的FLASH區(qū)地址就行。

　　uint32_t address;//STM32的地址是32位的
　　const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
　　address = (uint32_t) imageBuffer;

方法四：利用寫保護(hù)的方式（沒研究明白）

三、FLASH寫入
　　FLASH的寫入地址必須是偶數(shù)（FLASH機(jī)制決定的FLASH寫入的時(shí)候只能是偶數(shù)地址寫入，必須寫入半字或字，也就是2個(gè)字節(jié)或是4字節(jié)的內(nèi)容）。

FLASH 寫函數(shù)FLASH_ProgramHalfWord(u32 Address,u16 data)、FLASH_ProgramHalfWord(u32 Address,u32 data)。


四、FLASH 讀取方法
　　*(uint32_t *)0x8000000;//讀一個(gè)字
　　*(uint8_t *)0x8000000;//讀一個(gè)字節(jié);
　　*(uint16_t *)0x8000000;//讀半字;
　　舉例：
　　uint8_t data;
　　data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是讀取FLASH中地址0x8000000處的數(shù)據(jù)
五、幾個(gè)有用的子函數(shù)

功能：向指定地址寫入數(shù)據(jù)
參數(shù)說明：addr 寫入的FLASH頁的地址
p被寫入變量的地址（數(shù)組中的必須是uint8_t類型，元素個(gè)數(shù)必須是偶數(shù)）
Byte_Num 被寫入變量的字節(jié)數(shù)（必須是偶數(shù)）

　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　uint32_t HalfWord;
　　Byte_Num = Byte_Num/2;
　　FLASH_Unlock();
　　FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
　　FLASH_ErasePage(addr);
　　while(Byte_Num --)
　　{
　　HalfWord=*(p++);
　　HalfWord|=*(p++)<<8;
　　FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
　　addr += 2;
　　}
　　FLASH_Lock();
　　}
　　例：
　　uint8_t data[100];
　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);

功能：從指定地址讀取數(shù)據(jù)
參數(shù)說明：addr 從FLASH中讀取的地址
p讀取后要存入變量的地址（數(shù)組中的必須是uint8_t類型）
Byte_Num 要讀出的字節(jié)數(shù)

　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
　　while(Byte_Num--)
　　{
　　*(p++)=*((uint8_t*)addr++);
　　}
　　}
　　例：
　　uint8_t data[101];
　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);

參考資料：

1、http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5570244&highlight=擦除

2、http://www.amobbs.com/thread-5472366-1-1.html

問題解答：

1、問：剛開始可以對(duì)STM32F103 FLASH擦除、寫入，最后就無法擦除寫入了？

答：對(duì)某個(gè)地址編程（寫入）失敗了，它就置了個(gè)錯(cuò)誤位，這個(gè)位需要自己去清掉，否則不能繼續(xù)編程。
STM32的F和一般的串行F特性有點(diǎn)不同，如果編程前不為0xFFFF，除非是編程0x0000.否則會(huì)置錯(cuò)誤位，詳情請(qǐng)查看ST關(guān)于F編程的那個(gè)手冊(cè)。