朱老師ARM裸機(jī)學(xué)習(xí)筆記（三）：CPU和與外部存儲(chǔ)器的接口

內(nèi)存和外存的概念內(nèi)存

內(nèi)存指 內(nèi)部存儲(chǔ)器，運(yùn)行程序的地方 RAM

外存指 外部存儲(chǔ)器， 保存數(shù)據(jù)或者文件的地方 ROM

內(nèi)存通過(guò)數(shù)據(jù)總線和地址總線直接和CPU 相連接。
好處 ： 訪問(wèn)速度快，操作方式方便
壞處 ： 占用CPU地址空間

外存通過(guò)CPU的外存控制器接口和CPU 相連接。
好處 ： 不占用CPU I/O資源
壞處 ： 讀取速度較慢，訪問(wèn)外存控制器的時(shí)序較為復(fù)雜。

NOR Flash
最早出現(xiàn)的Flash存儲(chǔ)器，支持總線式訪問(wèn)，代碼可以直接在Nor中運(yùn)行，CPU可以像訪問(wèn)內(nèi)存一樣訪問(wèn)Nor Flash，在嵌入式發(fā)展到額初期階段常用于存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，例如s3c2440開(kāi)發(fā)板的Nor Flash啟動(dòng)。

Nand Flash
集成密度高，存儲(chǔ)空間較大，相對(duì)于Nor來(lái)說(shuō)很便宜，讀取速度比Nor慢，寫(xiě)入速度比Nor快，需要專(zhuān)門(mén)的讀寫(xiě)電路。但是穩(wěn)定性不如Nor，會(huì)出現(xiàn)壞塊，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)需要校驗(yàn)。此外Nand Flash 還分為 SLC顆粒和MLC顆粒，詳細(xì)情況見(jiàn)后文。

SATA硬盤(pán)

SD卡/TF卡/MMC卡
eMMC/iNand/moviNand
(Embedded Multi Media Card) MMC協(xié)會(huì)所訂立的、主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。
iNAND是SanDisk公司研發(fā)的存儲(chǔ)芯片，可以簡(jiǎn)單的看成SD卡或MMC卡芯片化。用戶(hù)完全可以默認(rèn)他是SD卡或者M(jìn)MC卡。
moviNand是三星公司研發(fā)的存儲(chǔ)芯片，功能類(lèi)似于iNand。
OneNand
三星公司研發(fā)的結(jié)合Nor優(yōu)點(diǎn)和Nand Flash 高容量存儲(chǔ)特點(diǎn)的Flash
eSSD
Embeded SSD 采用 MLC Nand Flash技術(shù)
此幾類(lèi)Flash都是基于Nand Flash 的 都是在Nand Flash的基礎(chǔ)上加入讀寫(xiě)控制電路以及檢驗(yàn)和壞塊檢測(cè)電路等制成的。

SLC（Single-Level Cell ）單層單元閃存，每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，一般而言，SLC雖然生產(chǎn)成本較高，但在效能上大幅勝于MLC。

MLC（Multi-Level Cell) 多層單元閃存，通過(guò)使用大量的電壓等級(jí)，每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。

A.讀寫(xiě)速度較慢。相對(duì)主流SLC芯片，MLC芯片目前技術(shù)條件下，理論速度只能達(dá)到2MB左右，因此對(duì)于速度要求較高的應(yīng)用會(huì)有一些問(wèn)題。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
C.MLC理論寫(xiě)入次數(shù)上限相對(duì)較少，因此在相同使用情況下，使用壽命比較SLC短。
D.MLC的價(jià)格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。