STM32L系列單片機(jī)內(nèi)部EEPROM的讀寫
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STM32L系列單片機(jī)內(nèi)部提供了EEPROM存儲(chǔ)區(qū)域，但實(shí)質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過(guò)有一塊區(qū)域被開(kāi)放出來(lái)專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計(jì)為100000次擦寫以上，容量為2K-4K，這對(duì)于一般設(shè)備的參數(shù)存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)是非常理想的。但從EEPROM使用方式看，其不適用于被反復(fù)修改的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)使用，一般作為配置參數(shù)，其修改次數(shù)往往是比較少量的。
STM32L的EEPROM和FLASH是統(tǒng)一編址，操作共用同一個(gè)讀寫電路，所以在EEPROM讀寫的時(shí)候STM32L核對(duì)于FLASH的一切訪問(wèn)和操作都將暫停，只有當(dāng)EEPROM的操作完成后，才繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)代碼，在這期間只有EEPROM的讀寫電路工作，CPU處于掛起狀態(tài)。
讀操作，和FLASH以及內(nèi)存一樣，EEPROM的數(shù)據(jù)讀取直接用總線讀周期讀出即可，不需要進(jìn)行額外操作和設(shè)置。
#defineEEPROM_BASE_ADDR0x08080000
#defineEEPROM_BYTE_SIZE0x0FFF
#defineEEPROM_BASE_ADDR0x08080000#defineEEPROM_BYTE_SIZE0x0FFF
以上定義EEPROM區(qū)的起始位置和大小，給定偏移量之后，可以按字節(jié)/半字/字/雙字方式讀出，但要注意的是最好偏移地址都按四字節(jié)對(duì)齊，以免產(chǎn)生總線訪問(wèn)錯(cuò)誤或是取不正確：
/*------------------------------------------------------------
Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字節(jié)讀出
Note:
-------------------------------------------------------------*/
voidEEPROM_ReadBytes(uint16Addr,uint8*Buffer,uint16Length)
{
uint8*wAddr;
wAddr=(uint8*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
while(Length--){
*Buffer++=*wAddr++;
}
}
/*------------------------------------------------------------Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字節(jié)讀出Note:-------------------------------------------------------------*/voidEEPROM_ReadBytes(uint16Addr,uint8*Buffer,uint16Length){uint8*wAddr;wAddr=(uint8*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);while(Length--){*Buffer++=*wAddr++;}}
/*------------------------------------------------------------
Func:EEPROM數(shù)據(jù)讀出
Note:
-------------------------------------------------------------*/
voidEEPROM_ReadWords(uint16Addr,uint16*Buffer,uint16Length)
{
uint32*wAddr;
wAddr=(uint32*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
while(Length--){
*Buffer++=*wAddr++;
}
}
/*------------------------------------------------------------Func:EEPROM數(shù)據(jù)讀出Note:-------------------------------------------------------------*/voidEEPROM_ReadWords(uint16Addr,uint16*Buffer,uint16Length){uint32*wAddr;wAddr=(uint32*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);while(Length--){*Buffer++=*wAddr++;}}以上方法使用字節(jié)和字方式讀出，在后面方法中，在一個(gè)字的存儲(chǔ)空間內(nèi)只使用了16個(gè)位，另16位不用，這樣以避免產(chǎn)生對(duì)齊問(wèn)題。
EEPROM的編程比讀操作要復(fù)雜的多，本質(zhì)上來(lái)說(shuō)，擦除操作和寫入操作是一樣的，擦除只是在相應(yīng)的地方寫入0x00000000，但在STM32L的實(shí)現(xiàn)上，根據(jù)其手冊(cè)說(shuō)明貌似把這種擦除和寫入?yún)^(qū)分開(kāi)了，當(dāng)寫入0x00或0x0000或0x00000000時(shí)，自動(dòng)執(zhí)行一次擦除操作，在值為非0時(shí)，才執(zhí)行一次所謂的寫入操作。數(shù)據(jù)的寫入過(guò)程先要對(duì)EEPROM進(jìn)行解鎖，這通過(guò)對(duì)特殊寄存器寫入特殊序列實(shí)現(xiàn)，然后在寫入之前進(jìn)行擦除操作，其擦除是按字/ 雙字/頁(yè)進(jìn)行的，推薦使用頁(yè)擦除方式進(jìn)行，先把參數(shù)讀到內(nèi)存，并修改，再進(jìn)行頁(yè)擦除，最后將參數(shù)寫回，這種方式比較通用，否則很容易出現(xiàn)地址對(duì)齊或長(zhǎng)度問(wèn)題。在數(shù)據(jù)擦除完成之后，即可進(jìn)行寫入，每寫一字節(jié)/半字/雙字，都需要判斷其是否寫入完成，這和內(nèi)部高壓擦寫電路有關(guān)，只有在上次操作完成之后再進(jìn)行其它操作才有意義。最后，對(duì)EEPROM進(jìn)行加鎖，以保護(hù)數(shù)據(jù)。
下是手冊(cè)給出的解鎖命令碼：
#definePEKEY10x89ABCDEF//FLASH_PEKEYR
#definePEKEY20x02030405//FLASH_PEKEYR
#definePEKEY10x89ABCDEF//FLASH_PEKEYR#definePEKEY20x02030405//FLASH_PEKEYR
以下分別實(shí)現(xiàn)按字節(jié)和字方式寫入：
/*------------------------------------------------------------
Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字節(jié)寫入
Note:
-------------------------------------------------------------*/
voidEEPROM_WriteBytes(uint16Addr,uint8*Buffer,uint16Length)
{
uint8*wAddr;
wAddr=(uint8*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
DIS_INT
FLASH->PEKEYR=PEKEY1;//unlock
FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;//notfastwrite
while(Length--){
*wAddr++=*Buffer++;
while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
}
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
EN_INT
}
/*------------------------------------------------------------Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字節(jié)寫入Note:-------------------------------------------------------------*/voidEEPROM_WriteBytes(uint16Addr,uint8*Buffer,uint16Length){uint8*wAddr;wAddr=(uint8*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);DIS_INTFLASH->PEKEYR=PEKEY1;//unlockFLASH->PEKEYR=PEKEY2;while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;//notfastwritewhile(Length--){*wAddr++=*Buffer++;while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);}FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;EN_INT}
/*------------------------------------------------------------
Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字寫入
Note:字當(dāng)半字用
-------------------------------------------------------------*/
voidEEPROM_WriteWords(uint16Addr,uint16*Buffer,uint16Length)
{
uint32*wAddr;
wAddr=(uint32*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
DIS_INT
FLASH->PEKEYR=PEKEY1;//unlock
FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;//notfastwrite
while(Length--){
*wAddr++=*Buffer++;
while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
}
FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
EN_INT
}
/*------------------------------------------------------------Func:EEPROM數(shù)據(jù)按字寫入Note:字當(dāng)半字用-------------------------------------------------------------*/voidEEPROM_WriteWords(uint16Addr,uint16*Buffer,uint16Length){uint32*wAddr;wAddr=(uint32*)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);DIS_INTFLASH->PEKEYR=PEKEY1;//unlockFLASH->PEKEYR=PEKEY2;while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;//notfastwritewhile(Length--){*wAddr++=*Buffer++;while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);}FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;EN_INT}以上代碼中，在寫入數(shù)據(jù)之前先關(guān)閉系統(tǒng)中斷DIS_INT，寫入完成之后打開(kāi)系統(tǒng)中斷EN_INT，這樣避免在執(zhí)行寫操作的過(guò)程中被中斷過(guò)程所打斷，引起CPU異常或鎖死，在在使用中一定要注意。在MDK環(huán)境中，兩個(gè)可以這樣定義：
#defineEN_INT__enable_irq();//系統(tǒng)開(kāi)全局中斷
#define DIS_INT __disable_irq(); //系統(tǒng)關(guān)全局中斷
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