基于stm32f103zet6之nor flash的學(xué)習(xí)

有時(shí)候，我們需要保存少量數(shù)據(jù)，但是用外擴(kuò)的ROM又覺(jué)得不方便，這時(shí)候自然就想到了芯片內(nèi)部是否自帶flash（閃存），據(jù)我了解，stm32內(nèi)部的應(yīng)該是nor flash，因?yàn)槿绻莕and flash的話，肯定速度是跟不上的。不過(guò)如果是想看關(guān)于存儲(chǔ)器的區(qū)別，建議參考這個(gè)博文http://blog.csdn.net/king_bingge/article/details/8742708。

一、這次主要總結(jié)的就是關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)對(duì)stm32內(nèi)部flash的讀寫(xiě)

1、根據(jù)以往學(xué)習(xí)msp430的經(jīng)驗(yàn)，本能的以為對(duì)stm32的內(nèi)部flash的操作也是有地址范圍限制的，比如說(shuō)430那塊片子就限制我們，用戶可以操作的flash是A、B兩個(gè)區(qū)各128個(gè)字節(jié)，通過(guò)查閱資料，發(fā)現(xiàn)stm32不是這樣的，畢竟是高級(jí)的芯片。只要是非程序空間，也就是我們下載程序的時(shí)候沒(méi)有用到的那些空間，我們都是可以對(duì)那部分的nand flash進(jìn)行操作的，這樣一來(lái)我們可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就打了，爽到了吧！不過(guò)不用高興的太早，nor可是非常寶貴的，如果程序比較大，還是建議用外擴(kuò)的ROM吧！

2、其實(shí)那本stm32的flash中文手冊(cè)對(duì)我們的如何進(jìn)行flash的變成方法已經(jīng)介紹的很清楚了，這里

二、好了到這里為止就開(kāi)始貼代碼了，然后慢慢分析！

[csharp]view plaincopyprint?

#include"stm32f10x.h"

#include"stdio.h"

u16data[2]={0x0001,0x0002};

intFlash_Test(void)

{

u32count=0;

RCC_HSICmd(ENABLE);//保證內(nèi)部高速晶振開(kāi)啟

FLASH_Unlock();//打開(kāi)寫(xiě)保護(hù)

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除標(biāo)志位

FLASH_ErasePage(0x8002000);//擦除的地址空間，一定要先擦除

while(count<2)

{

//flash為一個(gè)字節(jié)存儲(chǔ)，16位數(shù)據(jù)必須地址加2

FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000+count*2),data[count]);

count++;

}

FLASH_Lock();//關(guān)閉寫(xiě)保護(hù)

count=0;

printf("rnTheFiveDataIs:rn");

while(count<2)

{

printf("r%dr",*(u8*)(0x8002000+count*2));//讀取方法

count++;

}

}

這個(gè)代碼用來(lái)測(cè)是沒(méi)有任何問(wèn)題的，然后下面轉(zhuǎn)載的是對(duì)flash讀寫(xiě)的具體分析，本人覺(jué)得分析的很好，所以就直接拿來(lái)用了，謝謝！

1．解除Flash鎖

復(fù)位后，閃存編程/擦除控制器（FPEC）模塊是被保護(hù)的，不能寫(xiě)入 FLASH_CR 寄存器；通過(guò)寫(xiě)入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打開(kāi)FPEC模塊，這個(gè)特定的序列是在 FLASH_KEYR 寄存器寫(xiě)入兩個(gè)鍵值(KEY1和KEY2)；錯(cuò)誤的操作序列都會(huì)在下次復(fù)位前鎖死FPEC模塊和FLASH_CR寄存器。

其中KEY1為0x45670123，KEY2為0xCDEF89AB，編程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

2．頁(yè)擦除
在FLASH操作中，最小擦除單位為一頁(yè)，不能一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)的擦除，其實(shí)所謂的擦除就是將指定的位置填寫(xiě)成0XFF，下面是頁(yè)擦除的過(guò)程：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的閃存操作；
-用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁(yè)；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的PER位為1；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出被擦除的頁(yè)并做驗(yàn)證。

編程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開(kāi)始進(jìn)行頁(yè)擦除操作
{
FLASH->CR|= CR_PER_Set; //設(shè)置FLASH_CR寄存器的PER位為1
FLASH->AR = Page_Address; //用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁(yè)
FLASH->CR|= CR_STRT_Set; //設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1

//等待擦除操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY為0
{
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
FLASH->CR &= CR_PER_Reset;
}
}

3. 全部擦除
全部擦除就是將全部FLASH都填寫(xiě)成0xFF，其過(guò)程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的閃存操作；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的MER位為1；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出所有頁(yè)并做驗(yàn)證。
編程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作狀態(tài)，開(kāi)始進(jìn)行全部頁(yè)擦除操作
{
FLASH->CR |= CR_MER_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的MER位為1
FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1

//等待全部頁(yè)擦除操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY為0
{
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
FLASH->CR &= CR_MER_Reset;
}
}

4. 編程
編程就是將數(shù)據(jù)寫(xiě)入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次編程都是16位（在32位系統(tǒng)中，我們叫做半字），過(guò)程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的編程操作；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的PG位為1；
-寫(xiě)入要編程的半字到指定的地址；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出寫(xiě)入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù)。
編程如下：
//檢查參數(shù)是否正確
assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));

//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開(kāi)始進(jìn)行編程操作
{
FLASH->CR |= CR_PG_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的PG位為1
*(vu16*)Address = Data;//寫(xiě)入要編程的半字到指定的地址
//等待半字編程操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)
{
//如果半字編程完畢，禁止PG位
FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
}
}

6. 選擇字節(jié)編程
選擇字節(jié)的編程就是向上面講到的選擇字節(jié)里面寫(xiě)入指定的數(shù)據(jù)，其過(guò)程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認(rèn)沒(méi)有其他正在進(jìn)行的編程操作；
-解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTPG位為1；
-寫(xiě)入要編程的半字到指定的地址；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出寫(xiě)入的地址并驗(yàn)證數(shù)據(jù)。
編程過(guò)程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開(kāi)始進(jìn)行編程操作
{
//解鎖 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;

FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTPG位為1
*(vu16*)Address = Data;//寫(xiě)入要編程的半字到指定的地址

//等待半字編程操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)
{
//如果半字編程完畢，禁止OPTPG位
FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
}
}

7．STM32的代碼保護(hù)
通 過(guò)選擇字節(jié)的設(shè)置，可以實(shí)現(xiàn)代碼的讀保護(hù)和寫(xiě)保護(hù)，在上面6中講到的，RDP和WRP分別是讀保護(hù)和寫(xiě)保護(hù)，將RDP設(shè)置指定的數(shù)值，可以實(shí)現(xiàn)代碼的讀保 護(hù)，也就是不允許任何設(shè)備讀取FLASH里面的應(yīng)用代碼，將WRP里設(shè)置指定的數(shù)值，可以實(shí)現(xiàn)代碼的寫(xiě)保護(hù)，不允許任何設(shè)備改寫(xiě)FLASH里面的應(yīng)用代 碼。其中設(shè)置讀保護(hù)的代碼如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);