晶體變換器的印刷電路基板的制作與調(diào)整
圖26晶體變換器的印刷電路基板
圖26所示的為晶體變換器的印刷電路基板。由于為VHF頻帶,可以使用紙樹脂基板。對(duì)于高頻率放大電路與頻率變換電路的輸入出端,利用接地銅箔隔離,以達(dá)到隔離效果。 雖然輸入頻率fs與所需要的輸出頻率人fIF的頻率為不同,但是,也不要將輸入與輸出太接近。
▲局部振蕩頻率的調(diào)整 首先,對(duì)于局部振蕩電路的晶體振蕩電路與頻率倍頻(×2)做調(diào)整。此為如圖27(a)所示,將頻率計(jì)頻器連接在T6的TP端子,調(diào)整T5與T6的鐵芯,使頻率成為68MHz(X1=11.333MHz)或72MHz(X2=12.000MHz)。由于鐵芯的位置不同,而可能成為2倍或3倍,必須注意調(diào)整。
(取出正確的2倍頻輸出)
接著,將計(jì)頻器從TP端子取下,連接高頻棒測(cè)試棒(第8章介紹的制作品),再調(diào)整T5與T6,使輸出成為最大。 對(duì)于局部振蕩電路的調(diào)整,也可以如圖(b)所示,使用Dip-Meter(在第3章制作)。使用夾線(Clip)等作成1~2圈數(shù)的線圈,從TP端子取出fosc將Dip-Meter的轉(zhuǎn)盤指示在68MHz或74MHz附近,調(diào)整T5與T6的鐵芯,使Dip-Meter的指示計(jì)擺振至最大。 調(diào)整CT,使輸往頻率變換電路3SK73的G2的注入電壓約為0.5~1V。 ▲高頻率變換電路與頻率變換電路的調(diào)整 在與主接收機(jī)連接的接收狀態(tài)下,如圖28所示,連接信號(hào)產(chǎn)生器SSG。 然后,設(shè)定SSG頻率為122MHz,調(diào)整T1的鐵芯,使諧振點(diǎn)為122MHz(晶體頻率X2時(shí),主接收機(jī)的頻率為50MHz)。再將SSG的頻率設(shè)定為124MHz(主接收機(jī)的頻率為52MHz),調(diào)整T4鐵芯,使諧振點(diǎn)成為52MHz。 使用同樣方法,使T2諧振頻率為120MHz,T3為124MHz。以上的調(diào)整為做2~3次反復(fù)調(diào)整。
(一面觀察主接收機(jī)的S電表,一面調(diào)整鐵芯,使S電表指示擺振為最大。)
所制作的晶體變換器的特性 ▲VG2S與電功率放大率的測(cè)試 圖29所示的是VG2S從0~4V變化時(shí)的電功率放大率變化與高頻率放大電路的FET漏極電流變化的情況。此處的電功率放大率是包含至頻率變換電路為止的數(shù)據(jù)。 VG2S=0V時(shí)的電功率放大率為32dB,VG2S=4V時(shí)為43dB,放大率的調(diào)整量為11dB。漏極電流的最大值為18mA,漏極損失PD=18×6=108mW,沒有超過最大損失值。
圖29 FET的VG2S改變時(shí)的Gp,ID特性(隨著VG2S的電壓變化,電功率放大率變化為30~44dB。主接收機(jī)的感度低,也可以使用。)
▲接收頻帶范圍的測(cè)試 圖30所示的為頻率從116M~130MHz為止變化時(shí)的電功率放大率。在中心頻率的122MHz與邊源的130MHz,感度差為11dB??墒牵趯?shí)際接收Air Band時(shí),也不太感覺出其邊端的差異。
圖30晶體變換器的接收頻率與電功率放大率(由于頻帶寬為14MHz,因此,在頻帶內(nèi)的電功率放大率差為11dB。使用上沒有什么問題。)