Peregrine半導體公司是采用CMOS SOI工藝設計RF器件的先驅(qū)。在2014年的電子設計創(chuàng)新會議(EDI CON)上，Peregrine首次在大中華地區(qū)展示了其推出的可重構(gòu)射頻前端( RFFE )系統(tǒng)UltraCMOS Global1。
業(yè)界對射頻前端性能提出了前所未有的要求
LTE設備市場的迅速增長對射頻前端的性能提出了前所未有的要求：擁有可以支持更多頻段的可擴展性;擁有可調(diào)諧的能力并且保證搞個理性，可以解決多通路同時使用時帶來的問題;對所有支持的漠視和頻段的切換，只需相對簡單的調(diào)整;有證競爭力的功放效能。而UltraCMOS Global1的應運而生為“一款可以全球范圍內(nèi)使用的移動終端”的愿望提供了可行的思路。
全集成的可重構(gòu)射頻前端系統(tǒng)
作為行業(yè)中第一個全集成可配置射頻前端系統(tǒng)，UltraCMOS Global1集成了三通道MMMB PA(多模多頻段功放)模塊，PA切換開關模塊，天線切換開關模塊和天線調(diào)諧模塊等射頻前端需要的所有元件。支持包絡跟蹤技術，并具有通用的RFFE MIPI控制接口。
UltraCMOS Global 1是一種易于使用的數(shù)字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問題。它可以擴展，輕而易舉地支持更多的頻段，而且開關損耗小，可調(diào)諧。其高水平的可重構(gòu)能力得益于Peregrine半導體公司的UltraCMOS 10技術平臺。UltraCMOS 10是一種130納米的RF-SOI工藝技術，比起同類的解決方案，在性能方面提高了50 %。UltraCMOS Global 1就是在這個技術平臺上制造而成的。
Global 1強化了可配置功率的概念。Global 1對頻段和模式可配置的操作方法，改善了射頻性能?？膳渲玫纳漕l和偏置設計，縮小了由于支持模式和頻帶不同給手機方案設計帶來的差異。另外，通過自動調(diào)諧的優(yōu)化方法也加速了項目設計規(guī)劃。
媲美GaAs射頻性能的CMOS PA
值得一提的是UltraCMOS Global1集成了業(yè)界第一個LTE CMOS功率放大器(PA)，其純PA性能達到了和GaAs工藝技術相同的水平，其性能高出同類產(chǎn)品10%。此外，對于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能與GaAs功放相當。
據(jù)悉，UltraCMOS Global1的平臺整合將在2014年完成，將于2015年實現(xiàn)量產(chǎn)。
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