采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

這個(gè)測試儀的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信號就是可以驅(qū)動(dòng)輸出端得高低。

 

LCπ網(wǎng)絡(luò)形成了一個(gè)平行共振，共振的頻率為 fO=1/2π。這個(gè)頻率對應(yīng)在CS=C1||C2=50 nF這個(gè)時(shí)期。所以你可以通過測量共振頻率fO計(jì)算出電感LX。在共振頻率期間，LCπ網(wǎng)絡(luò)提供一個(gè)從輸入到輸出的180 °相移。振蕩器周圍振蕩回路fO的相移必須為360 °，并且震蕩回路的增益必須大于一。這樣才能產(chǎn)生震蕩。逆變器IC1A提供了一個(gè)額外的從輸入到輸出的180 °相移和一個(gè)高增益來補(bǔ)償衰減網(wǎng)絡(luò)。

電阻R的值可以從1到10 MΩ。電阻R2的分離輸出閘門IC1A使您可以從輸出門端獲得一個(gè)自身產(chǎn)生的清晰的方波。另外，由于R2增加了共振頻率周圍的偏移相位來提高頻率穩(wěn)定性。為了得到最佳性能，可以使用低自感的薄膜電容器，如mkp1837聚丙烯薄膜電容器系列。低電源電流的電路可以讓你用一個(gè)電池作為電源。