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[導(dǎo)讀]保護(hù)亦可用于減小電纜連接中的漏流。圖12所示為驅(qū)動保護(hù)防止電纜的漏泄電阻影響小電流測量的原理.在無保護(hù)的配置中,同軸電纜的漏阻與DUT并聯(lián)(RDUT),產(chǎn)生不希望的漏流(IL)。該漏流將影響極小電流的測量。 在保護(hù)電

保護(hù)亦可用于減小電纜連接中的漏流。圖12所示為驅(qū)動保護(hù)防止電纜的漏泄電阻影響小電流測量的原理.在無保護(hù)的配置中,同軸電纜的漏阻與DUT并聯(lián)(RDUT),產(chǎn)生不希望的漏流(IL)。該漏流將影響極小電流的測量。
在保護(hù)電路中,三軸電纜的內(nèi)芯屏蔽被連接至SMU的保護(hù)端子?,F(xiàn)在,該屏蔽由一個單位增益低阻放大器(保護(hù))驅(qū)動。Force HI端子和保護(hù)端子之間的電勢差接近0V,所以漏流(IL)可忽略不計。
 
圖12. 利用保護(hù)減小電纜連接中的漏流
為了查看測量極高電阻時三軸電纜和同軸電纜的結(jié)果,圖13中繪出了采用10V階躍函數(shù)測量100GΩ電阻的測量電流和時間的關(guān)系圖。三軸電纜通過使用保護(hù),以兩種方式改善了測量:1)它減小了有效電纜電容,從而降低了測量的RC時間常數(shù)或建立時間;2)防止電纜中的漏流對測量準(zhǔn)確度造成不利影響。
 
圖13. 使用同軸電纜和三軸電纜測量高阻的結(jié)果比較
從圖13可知,利用帶有保護(hù)的三軸電纜進(jìn)行測量,漏流較小(低幾個pA),建立時間更短(大約快10倍)。如果SMU必須連接至采用BNC連接器的測試夾具,請在SMU和測試夾具之間使用吉時利三軸電纜,然后再將BNC連接至三軸適配器(去掉了保護(hù)),從而將電纜連接至測試夾具。


VIII SMU至DUT的連接
連接DUT時,除了使用屏蔽和保護(hù)電纜,將吉時利4200-SCS的相應(yīng)端子與裝置的合適端子相連接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子連接不合適會導(dǎo)致電流偏移和測量不穩(wěn)定。這些誤差是由于共模電流產(chǎn)生的。
通常情況下,總是將SMU的高阻端子(Force HI)連接至被測電路的最大電阻點(diǎn)。同樣,總是將4200-SCS的低阻端子(Force LO)連接至被測電路的最小電阻點(diǎn)。最小電阻點(diǎn)可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被連接至最小電阻點(diǎn),共模電流就會通過測量電路。
圖14中標(biāo)出了正確和不正確的測量連接。圖14a中的連接是正確的,因?yàn)榧獣r利4200-SMU的Force HI端子被連接至晶圓上器件的柵極,而Force LO端子被連接至帶有保護(hù)的吸盤。晶圓上的柵極端子為最大阻抗點(diǎn),保護(hù)吸盤為低阻抗點(diǎn),所以該電路的連接正確。請注意,共模電流從SMUde Force LO端子流至保護(hù)吸盤;然而,電流并不通過安培計,因此不會影響測量。

 
圖14. 將SMU連接至保護(hù)吸盤上的器件
圖14b中的連接是不正確的,它將SMU的Force LO端子連接至高阻柵極,將SMU的Force HI端子連接至保護(hù)吸盤。在這種情況下,共模電流將通過SMU以及DUT。這會造成測量不準(zhǔn)確,甚至不穩(wěn)定。

VIIII摩擦效應(yīng)
摩擦電流是由于導(dǎo)體和絕緣體之間摩擦產(chǎn)生的電荷形成的。自由電子由于摩擦離開導(dǎo)體,造成電荷不平衡,由此產(chǎn)生電流。這種噪聲電流可達(dá)到數(shù)十nA。圖15所示為摩擦電流的流向。
吉時利4200-SCS配備的三軸電纜在外屏蔽的下方采用了浸漬石墨絕緣體,大大降低了這種影響。石墨提供了潤滑和導(dǎo)體柱,均衡了電荷,并將電纜運(yùn)動的摩擦效應(yīng)產(chǎn)生的電荷降至最小。然而,即使這種類型的三軸電纜在受到振動和膨脹或收縮時,也會產(chǎn)生噪聲。因此,所有連接應(yīng)盡量短,避免溫度變化(將產(chǎn)生熱膨脹力),最好將電纜綁到不振動表面,例如墻、桌子或剛性結(jié)構(gòu)。

 
圖15. 摩擦效應(yīng)產(chǎn)生的偏移電流
應(yīng)采取其他措施將運(yùn)動和振動問題降至最?。?br /> • 消除或機(jī)械去耦振動源,例如馬達(dá)、泵,以及其他機(jī)電裝置。
• 將電子元件、接線和電纜牢固地安裝或綁好。
• 使前置放大器盡量靠近DUT。
壓電效應(yīng)和電荷存儲效應(yīng)
向絕緣端子和互連硬件中使用的特定晶體材料施加機(jī)械應(yīng)力時,就會產(chǎn)生壓電電流。在有些塑料中,少量的存儲電荷就會導(dǎo)致該材料的行為類似于壓電材料。圖16所示為采用壓電絕緣體的端子的一個例子。
 
圖16. 壓電效應(yīng)產(chǎn)生的電流
為了將這些效應(yīng)降至最小,請消除絕緣體的機(jī)械應(yīng)力,并使用具有最小壓電和電荷存儲的絕緣材料。

十 污染和濕度效應(yīng)
高濕度或離子污染會大大降低測試夾具的絕緣電阻。凝露或吸水性會產(chǎn)生高濕度條件,而離子污染可能是體油、鹽或焊接劑造成的。絕緣電阻降低會對高阻測量產(chǎn)生嚴(yán)重影響。此外,濕度或潮濕可能會與出現(xiàn)的污染相組合,形成會產(chǎn)生偏移電流的電化效應(yīng)。例如,常用的環(huán)氧印制電路板,如果沒有徹底清除蝕刻溶液、焊接劑或其他污染,就會在導(dǎo)體之間產(chǎn)生幾個nA的電流(參見圖17)。

 
圖17. 污染和濕度造成的電流
為避免污染和濕度的影響,請選擇防吸水的絕緣體,并將濕度保持在適當(dāng)水平(理想<50%)。此外,請使測試系統(tǒng)中的全部組件和測試夾具保持清潔,避免污染。
接地環(huán)路
接地環(huán)路會產(chǎn)生雜散信號,可能是直流偏移或交流信號(通常為工頻或工頻的整數(shù)倍)。接地環(huán)路時由于測試電路中多處接地造成的。當(dāng)大量儀器插入至不同儀器架上的電源接線板時,就會形成典型的接地環(huán)路。接地點(diǎn)之間的電勢往往存在微小差異,由此就會產(chǎn)生大電流循環(huán),從而形成意料之外的電壓降。
圖18中所示的配置就是一個接地環(huán)路,是因?yàn)閷?200信號公共端子(Force LO)和DUT LO均連接至地形成的。環(huán)路中的大接地電流通過的是小電阻,無論是導(dǎo)體還是在連接點(diǎn)。該小電阻產(chǎn)生的壓降會影響性能。
為避免接地環(huán)路,測試系統(tǒng)應(yīng)單點(diǎn)接地。如果不能消除DUT的地,那么4200的GNDU COMMON端子和機(jī)箱地之間的接地鏈路應(yīng)斷開,如圖19所示。

 
圖18. 接地環(huán)路
 
圖19. 消除接地環(huán)路
如果懷疑存在接地環(huán)路,請將懷疑的儀器從交流電源拔出,并進(jìn)行敏感的電流測量,確認(rèn)問題已經(jīng)解決。為了消除接地環(huán)路,盡量少采用接地,理想情況是不要超過一個。

有些元件,例如二極管和晶體管是卓越的光檢測器。因此,必須在無光環(huán)境下測試這些元件。為了確保測量準(zhǔn)確度,檢查測試夾具在門合頁、管道入口及連接或連接面板上是否存在光泄露。

十一 噪聲和源阻抗
噪聲會嚴(yán)重影響敏感電流測量。DUT的源阻抗和源電容都會影響SMU的噪聲性能。
DUT的源阻抗會影響SMU的反饋安培計的噪聲性能。當(dāng)源電阻減小時,安培計的噪聲增益將增大。圖20所示為反饋安培計的簡化模型。
在該電路中:
RS =源電阻
CS =源電容
VS =源電壓
VNOISE =安培計的噪聲電壓
 
圖20. 反饋安培計的簡化模型
RF =反饋電阻
CF =反饋電容
電路的噪聲增益可由下式給出: 
 
請注意,當(dāng)源電阻(RS)減小時,輸出噪聲增大。由于降低源電阻會對噪聲性能產(chǎn)生不利影響,所以在表1中根據(jù)電流測量量程給出了最小推薦源電阻值。
表1. 最小推薦源電阻值


DUT的源電容也會影響SMU的噪聲性能。一般情況下,源電容增大時,噪聲增益也隨之增大。盡管最大
源電容值存在限值,但是通過連接一個電阻或正偏二極管與DUT串聯(lián),通常能夠在更高的源電容值下進(jìn)行測量。二極管作為一個可變電阻,當(dāng)源電容的充電電流為高時,其阻值很小,然后隨著電流的減小而增大。

十二 偏移補(bǔ)償
在確定并減小外部誤差后,如果可能的話,可將測試系統(tǒng)的內(nèi)部和外部偏移從將來的測量結(jié)果中減去。首先,如上所述,在輸入戴有金屬帽的情況下對SMU進(jìn)行自動校準(zhǔn)。然后,確定每個SMU至探針的偏移。利用軟件中的公式計算器工具,可將該平均偏移從隨后的電流測量結(jié)果中減去。為了進(jìn)行極低電流的測量,應(yīng)定期重新測量平均偏移電流(至少每月一次)。
結(jié)論
當(dāng)配備可選的吉時利4200-PA型遠(yuǎn)程前置放大器時,4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)可準(zhǔn)確測量pA級或更小的電流。應(yīng)通過測量整個測量系統(tǒng)的偏移電流來確定系統(tǒng)的限制,必要時進(jìn)行調(diào)節(jié)。可采用一些技術(shù)減小測量誤差源,例如屏蔽、保護(hù)、儀器的正確接地,以及在KITE軟件中選擇合適的設(shè)置,包括留有足夠的建立時間。吉時利的低電平測量手冊提供了關(guān)于優(yōu)化低電平測量技術(shù)的更多信息。
更多參考
Keithley Instruments,4200-SCS型參考手冊,第5章 (含在系統(tǒng)軟件中)
Keithley Instruments,低電平測量手冊,2004年第6版。
 

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