ESD保護(hù)器件的主要特性參數(shù)分析及典型應(yīng)用

ESD保護(hù)對(duì)高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時(shí)，最小擊穿電壓和擊穿電流、最大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數(shù)對(duì)電路的影響及選擇準(zhǔn)則，并針對(duì)便攜消費(fèi)電子設(shè)備、機(jī)頂盒、以及個(gè)人電腦中的視頻線(xiàn)路保護(hù)、USB保護(hù)和RJ-45接口等介紹了一些典型應(yīng)用。

隨著移動(dòng)產(chǎn)品、打印機(jī)、PC，DVD、機(jī)頂盒(STB)等產(chǎn)品的迅速發(fā)展，消費(fèi)者正要求越來(lái)越先進(jìn)的性能。半導(dǎo)體組件日益趨向小型化、高密度和功能復(fù)雜化， 特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對(duì)主板面積要求嚴(yán)格的應(yīng)用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細(xì)線(xiàn)寬布線(xiàn)的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路， 對(duì)電路瞬變過(guò)程的影響更加敏感，將導(dǎo)致上述的問(wèn)題更加激化。

ESD保護(hù)原理

電路保護(hù)元件存在幾種技術(shù)，當(dāng)選擇電路保護(hù)元件時(shí)，若設(shè)計(jì)師選擇不當(dāng)?shù)?strong>保護(hù)器件將只能提供錯(cuò)誤的安全概念。電路保護(hù)元件的選擇應(yīng)根據(jù)所要保護(hù)的布線(xiàn)情況、可用 的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來(lái)決定。此外，了解保護(hù)元件的特性知識(shí)也非常必要，需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD 器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓，它是被保護(hù)IC的應(yīng)變電壓。

因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。這意味著較高的箝位電壓將在被保護(hù)IC器件上產(chǎn)生較高的應(yīng)變電壓，并且增加了失效的概率。

很多保護(hù)元件都被設(shè)計(jì)成可吸收大量的能量，由于元件結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)上的原因也導(dǎo)致其具有很高的箝位電壓。由于變阻器的箝位電壓太高，他們不能夠提供有效的ESD 保護(hù)。此外，由于變阻器的高電容他們也不能給高速數(shù)據(jù)線(xiàn)路提供保護(hù)。TVS二極管正是為解決此問(wèn)題而產(chǎn)生的，它已成為保護(hù)便攜電子設(shè)備的關(guān)鍵性技術(shù)。

TVS二極管是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于吸收ESD能量并且保護(hù)系統(tǒng)免遭ESD損害的固態(tài)元件。如果應(yīng)用得當(dāng)，TVS二極管將限制跨在被保護(hù)器件上的電壓剛好高過(guò)額定工作電壓，但是卻遠(yuǎn)低于破壞閾值電壓。

TVS相關(guān)參數(shù)

處理瞬時(shí)脈沖對(duì)器件損害的最好辦法是將瞬時(shí)電流從敏感器件引開(kāi)。TVS二極管在線(xiàn)路板上與被保護(hù)線(xiàn)路并聯(lián)，當(dāng)瞬時(shí)電壓超過(guò)電路正常工作電壓后，TVS二極管 便發(fā)生雪崩，提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路，其結(jié)果是瞬時(shí)電流通過(guò)二極管被引開(kāi)，避開(kāi)被保護(hù)器件，并且在電壓恢復(fù)正常值之前使被保護(hù)回路一直保持截止電 壓。當(dāng)瞬時(shí)脈沖結(jié)束以后，TVS二極管自動(dòng)回復(fù)高阻狀態(tài)，整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓。許多器件在承受多次沖擊后，其參數(shù)及性能會(huì)發(fā)生退化，而只要工作在限定范 圍內(nèi)，二極管將不會(huì)發(fā)生損壞或退化。

從以上過(guò)程可以看出，在選擇TVS二極管時(shí)，必須注意以下幾個(gè)參數(shù)的選擇：

1. 最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBR是TVS最小的擊穿電壓，在25℃時(shí)，低于這個(gè)電壓TVS是不會(huì)發(fā)生雪崩的。當(dāng)TVS流過(guò)規(guī)定的1mA電流(IR)時(shí)，加于TVS兩極的電壓為其最小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度，可把VBR分為5%和10%兩種。對(duì)于5%的VBR來(lái)說(shuō)，VWM=0.85VBR；對(duì)于10%的VBR來(lái)說(shuō)，VWM=0.81VBR。為了滿(mǎn)足IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，TVS二極管必須達(dá)到可以處理最小8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD沖擊，有的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(chǎng)商在自己的產(chǎn)品上使用了更高的抗沖擊標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于某些有特殊要求的便攜設(shè)備應(yīng)用，設(shè)計(jì)者可以按需要挑選器件。

2. 最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM這是二極管在正常狀態(tài)時(shí)可承受的電壓，此電壓應(yīng)大于或等于被保護(hù)電路的正常工作電壓，否則二極管會(huì)不斷截止回路電壓；但它又需要盡量與被保護(hù)回路的正常工作電壓接近，這樣才不會(huì)在TVS工作以前使整個(gè)回路面對(duì)過(guò)壓威脅。當(dāng)這個(gè)額定反向關(guān)斷電壓VWM加于TVS的兩極間時(shí)它處于反向關(guān)斷狀態(tài)，流過(guò)它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。

3. 最大箝位電壓VC和最大峰值脈沖電流IPP。當(dāng)持續(xù)時(shí)間為20mS的脈沖峰值電流IPP流過(guò)TVS時(shí)，在其兩端出現(xiàn)的最大峰值電壓為VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱(chēng)為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。VC是二極管在截止?fàn)顟B(tài)提供的電壓，也就是在ESD沖擊狀態(tài)時(shí)通過(guò)TVS的電壓，它不能大于被保護(hù)回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損傷的危險(xiǎn)。

4. Pppm額定脈沖功率，這是基于最大截止電壓和此時(shí)的峰值脈沖電流。對(duì)于手持設(shè)備，一般來(lái)說(shuō)500W的TVS就足夠了。最大峰值脈沖功耗PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功耗值。在給定的最大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大。在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越 低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且，TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復(fù)的，器件規(guī)定的脈沖重 復(fù)頻率(持續(xù)時(shí)間與間歇時(shí)間之比)為0.01%。如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)性脈沖，應(yīng)考慮脈沖功率的累積，有可能損壞TVS。

5. 電容量C。電容量C是由TVS雪崩結(jié)截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測(cè)得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C太大將使信號(hào)衰減。因此，C 是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。電容對(duì)于數(shù)據(jù)/信號(hào)頻率越高的回路，二極管的電容對(duì)電路的干擾越大，形成噪聲或衰減信號(hào)強(qiáng)度，因此需要根據(jù)回路的特 性來(lái)決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應(yīng)盡量小(如LCTVS、低電容TVS，電容不大于3pF)，而對(duì)電容要求不高的回路電容選擇可高于 40pF。

ESD應(yīng)用

1.底部連接器的應(yīng)用

底部連接器設(shè)計(jì)廣泛應(yīng)用在移動(dòng)消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品上，目前市場(chǎng)上應(yīng)用產(chǎn)品主要為移動(dòng)電話(huà)、PDA、DSC(數(shù)碼相機(jī))以及MP3等便攜產(chǎn)品。

由于是直流回路，可選用高電容器件。此端口可能會(huì)受到高能量的沖擊，可以選用集成了TVS和過(guò)流保護(hù)功能的器件。

如圖1所示，是便攜產(chǎn)品的底部連接器保護(hù)電路的示意圖，其中的數(shù)據(jù)線(xiàn)保護(hù)IC為NZQA5V6XV5T1、NZQA6V2XV5T1、 NZQA6V8XV5T1、NZQA8V2XV5T1、NZQA5V6AXV5T1、NZQA6V8AXV5T1、MSQA6V1W5T2、 SMF05T1和NSQA6V8AW5T2。

以上產(chǎn)品都帶4個(gè)單相獨(dú)立線(xiàn)路ESD保護(hù)，其中MSQA系列、NSQA系列和SMF05的封裝 形式是SC-88A，NZQA系列的封裝形式是SOT-553。其中NZQA5V6XV5是5.6V單向式TVS保護(hù)器件；NZQA6V2XV5是 6.2V單向式TVS保護(hù)器件；NZQA6V8XV5是6.8V單向式TVS保護(hù)器件；NZQA6V8AXV5是6.8V單向式、低電容TVS保護(hù)器件； NUP4102XV6是14V雙向式、低電容TVS。這些SOT5xx封裝的TVS器件均針對(duì)260℃回焊溫度處理工藝生產(chǎn)，符合100%無(wú)鉛和靜電放電 保護(hù)的要求，比傳統(tǒng)的SC88封裝減少電路板空間達(dá)36%，降低厚度40%，適合用于對(duì)電路板空間要求嚴(yán)格的便攜設(shè)備，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器。

2 RJ-45(10/100M以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò))

RJ-45接口廣泛應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)連接的接口設(shè)備上，典型的應(yīng)用就是10/100M以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)。

如圖2所示，RJ-45數(shù)據(jù)線(xiàn)保護(hù)主要應(yīng)用了安森美公司的低電容瞬態(tài)電壓抑制二極管--SL05，工作電壓是5V。實(shí)際上該公司有一系列的SLXX產(chǎn)品，產(chǎn) 品從SL05到SL24，工作電壓覆蓋5V、12V、15V、24V。符合IEC 61000-4-2(ESD)15kV(空氣)8kV(接觸)/IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)/IEC 61000-4-5(Lightning)12A(8/20us)標(biāo)準(zhǔn)，除了用在LAN/WAN設(shè)備上，還適合用于高速數(shù)據(jù)線(xiàn)保護(hù)，移動(dòng)電話(huà)和USB端口 的保護(hù)。

3. 視頻線(xiàn)路的保護(hù)

目前視頻常見(jiàn)的輸出端口設(shè)計(jì)有D-SUB(如圖3)、DVI (28線(xiàn))、SCART(19線(xiàn))和D-TERMINAL(主要日系產(chǎn)品在用)。視頻數(shù)據(jù)線(xiàn)具有高數(shù)據(jù)傳輸率，數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)480Mbps，有的視頻數(shù) 據(jù)傳輸率達(dá)到1G以上，因而要選擇低電容LCTVS，它通常是將一個(gè)低電容二極管與TVS二極管串聯(lián)，以降低整個(gè)線(xiàn)路的電容(可低于3pF)，達(dá)到高速率 回路的要求。ONSEMI半導(dǎo)體公司的SRDA05-4具有良好的低電容特性，能夠提供4路ESD保護(hù)，而它的后繼產(chǎn)品SRDA05-6能夠提供多達(dá)6路ESD保護(hù)。SRDA05-X系列產(chǎn)品適用于所有高速通訊線(xiàn)路的保護(hù)。

4. SIM卡數(shù)據(jù)線(xiàn)路保護(hù)

SIM卡數(shù)據(jù)線(xiàn)路保護(hù)一直是各個(gè)公司的產(chǎn)品重點(diǎn),而且專(zhuān)門(mén)為此類(lèi)端口設(shè)計(jì)的集ESD(TVS)/EMI/RFI防護(hù)于一個(gè)芯片的器件，充分體現(xiàn)了片式器件的無(wú)限集成方案。

在針對(duì)不同用途選擇器件時(shí)，要避免使器件工作在其設(shè)計(jì)參數(shù)極限附近，還應(yīng)根據(jù)被保護(hù)回路的特征及可能承受ESD沖擊的特征選用反應(yīng)速度足夠快、敏感度足夠高的器件，這對(duì)于有效發(fā)揮保護(hù)器件的作用十分關(guān)鍵，另外集成了其它功能的器件也應(yīng)當(dāng)首先考慮。

眾多半導(dǎo)體廠(chǎng)商提供了多種不同的TVS二極管封裝形式，尤其是像SOT23和SC-70，以及與芯片同等大小的倒裝芯片之類(lèi)的微型封裝，在板上只占約4.8mm2的 位置，卻可以同時(shí)保護(hù)多個(gè)線(xiàn)路。最近的許多新產(chǎn)品更是適應(yīng)便攜設(shè)備高集成度、小型化要求，將EMI/RFI/ESD保護(hù)集成在一個(gè)器件中，不但可以有效縮 小空間，還大大減少了成本，降低了器件采購(gòu)成本和加工成本，對(duì)于同時(shí)需要這幾種保護(hù)功能的端口來(lái)說(shuō)，可謂設(shè)計(jì)者的首選(圖4)。

5. USB保護(hù)

一般USB的ESD保護(hù)分上行(圖5)和下行(圖6)兩種情況。針對(duì)USB 1.1的ESD保護(hù)下行主要采用了NUF2101，上行ESD保護(hù)采用STF202或者NUF2221W1T2。這些產(chǎn)品即能滿(mǎn)足USB線(xiàn)路終端的ESD保護(hù)，還具有良好的濾波功能。

6. 音頻/揚(yáng)聲器數(shù)據(jù)線(xiàn)路保護(hù)

在音頻數(shù)據(jù)線(xiàn)路保護(hù)方面(圖6)，由于音頻回路的信號(hào)速率比較低，對(duì)器件電容的要求不太高，100pF左右都是可以接受的。有的手機(jī)設(shè)計(jì)中將耳機(jī)和麥克風(fēng)合 在一起，有的則是分立線(xiàn)路。前一種情況可以選擇單路TVS，而后一種情況如果兩個(gè)回路是鄰近的，則可以選用多路TVS陣列，只用一個(gè)器件就能完成兩個(gè)回路 的保護(hù)。

7. 按鍵/開(kāi)關(guān)

對(duì)于按鍵和開(kāi)關(guān)回路，這些回路的數(shù)據(jù)率很低，對(duì)器件的電容沒(méi)有特殊要求，用普通的TVS陣列都可以勝任。

本文總結(jié)

以上的產(chǎn)品主要是針對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)路的ESD保護(hù)。在表1中所列器件中有四款是專(zhuān)為為USB、以太網(wǎng)、防火墻和其他高速數(shù)據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)的濾波器。這些器件符合USB 的所有要求，包括電磁干擾濾波和上行/下行端口的線(xiàn)路終端。這些新型集成元件均能替代目前需采用12個(gè)元件的分立元件解決方案。八款新型器件提供靜電放電 (ESD)保護(hù)，具有業(yè)界最低電容。這些新型保護(hù)器件均通過(guò)了15千伏接觸放電測(cè)試，測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)高于IEC61000的8千伏ESD標(biāo)準(zhǔn)。這些器件具有 1.5皮法電容典型值，確保了數(shù)據(jù)線(xiàn)速度以及數(shù)據(jù)完整性。

此外，對(duì)于便攜式設(shè)備來(lái)說(shuō)，各類(lèi)集成電路的復(fù)雜性和精密度的提高使 它們對(duì)ESD也更加敏感，以往的通用回路設(shè)計(jì)也不再適合。合理的PCB布局最重要的是要在使用TVS二極管保護(hù)ESD損害的同時(shí)避免自感。ESD設(shè)計(jì)很可 能會(huì)在回路中引起寄生自感，會(huì)對(duì)回路有強(qiáng)大的電壓沖擊，導(dǎo)致超出IC的承受極限而造成損壞。負(fù)載產(chǎn)生的自感電壓與電源變化強(qiáng)度成正比，ESD沖擊的瞬變特 征易于誘發(fā)高強(qiáng)自感。減小寄生自感的基本原則是盡可能縮短分流回路，必須考慮到包括接地回路、TVS和被保護(hù)線(xiàn)路之間的回路，以及由接口到TVS的通路等 所有因素。所以，TVS器件應(yīng)與接口盡量接近，與被保護(hù)線(xiàn)路盡量接近，這樣才會(huì)減少自感耦合到其它鄰近線(xiàn)路上的機(jī)會(huì)。

在電路 板設(shè)計(jì)中還應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：盡量避免在保護(hù)線(xiàn)路附近走比較關(guān)鍵的信號(hào)線(xiàn)，盡量將接口安排在同一個(gè)邊上；采用高集成度器件，二極管陣列不但可以大大節(jié)約線(xiàn)路 板上的空間，而且減少了由于回路復(fù)雜可能誘發(fā)的寄生性線(xiàn)路自感的影響；避免被保護(hù)回路和未實(shí)施保護(hù)的回路并聯(lián)，將接口信號(hào)線(xiàn)路和接地線(xiàn)路直接接到保護(hù)器件 上，然后再進(jìn)入回路的其它部分，將復(fù)位、中斷、控制信號(hào)遠(yuǎn)離輸入/輸出口，遠(yuǎn)離PCB的邊緣；各類(lèi)信號(hào)線(xiàn)及其饋線(xiàn)所形成的回路所環(huán)繞面積要盡量小，必要時(shí) 可考慮改變信號(hào)線(xiàn)或接地線(xiàn)的位置；在可能的地方都加入接地點(diǎn)。