相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文將為您介紹相變存儲器的基本原理及其最新的測試技術(shù)。
何為PCM，它是如何工作的?
PCM存儲單元是一種極小的硫族合金顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從有序的晶態(tài)(電阻低)快速轉(zhuǎn)變?yōu)闊o序的非晶態(tài)(電阻高得多)。同樣的材料還廣泛用于各種可擦寫光學(xué)介質(zhì)的活性涂層，例如CD和DVD。從晶態(tài)到非晶態(tài)的反復(fù)轉(zhuǎn)換過程是由熔化和快速冷卻機制觸發(fā)的(或者一種稍慢的稱為再結(jié)晶的過程)。最有應(yīng)用前景的一種PCM材料是GST(鍺、銻和碲)，其熔點范圍為500º–600ºC。
這些合金材料的晶態(tài)和非晶態(tài)電阻率大小的差異能夠存儲二進制數(shù)據(jù)。高電阻的非晶態(tài)用于表示二進制0;低電阻的晶態(tài)表示1。最新的PCM設(shè)計與材料能夠?qū)崿F(xiàn)多種不同的值[1]，例如，具有16種晶態(tài)，而不僅僅是兩種狀態(tài)，每種狀態(tài)都具有不同的電氣特性。這使得單個存儲單元能夠表示多個比特，從而大大提高了存儲密度，這是目前閃存無法實現(xiàn)的。
非晶態(tài)與晶態(tài)
簡單介紹非晶態(tài)與晶態(tài)之間的差異有助于我們搞清楚PCM器件的工作原理。
在非晶態(tài)下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由于這種狀態(tài)通常出現(xiàn)在RESET操作之后，我們一般稱其為RESET狀態(tài)，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高于熔點溫度，然后突然對GST淬火將其冷卻。冷卻的速度對于非晶層的形成至關(guān)重要。非晶層的電阻通?？沙^1兆歐。
在晶態(tài)下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。由于這種狀態(tài)通常出現(xiàn)在SET操作之后，我們一般稱其為SET狀態(tài)，在SET操作中，材料的溫度上升高于再結(jié)晶溫度但是低于熔點溫度，然后緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態(tài)的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。晶態(tài)是一種低能態(tài);因此，當(dāng)對非晶態(tài)下的材料加熱，溫度接近結(jié)晶溫度時，它就會自然地轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)。
PCM器件的結(jié)構(gòu)
圖1中的原理圖給出了一種典型GST PCM器件的結(jié)構(gòu)。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程只影響該電阻頂端周圍的一小片區(qū)域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區(qū)域。擦除/RESET脈沖比寫/SET脈沖要高、窄和陡峭。SET脈沖用于置邏輯1，使非晶層再結(jié)晶回到結(jié)晶態(tài)。
圖1. PCM器件的典型結(jié)構(gòu)
對PCM器件進行特征分析的脈沖需求
我們必須仔細(xì)選擇所用RESET和SET脈沖的電壓和電流大小，以產(chǎn)生所需的熔化和再結(jié)晶過程。RESET脈沖應(yīng)該將溫度上升到恰好高于熔點，然后使材料迅速冷卻形成非晶態(tài)。SET脈沖應(yīng)該將溫度上升到恰好高于再結(jié)晶溫度但是低于熔點，然后通過較長的時間冷卻它;因此，SET脈沖的脈寬和下降時間應(yīng)該比RESET脈沖長。
1微秒左右的脈沖寬度通常就足夠了。這種長度的脈沖將產(chǎn)生足夠的能量使PCM材料熔化或者再結(jié)晶。脈沖電壓應(yīng)該高達(dá)6V，要想達(dá)到熔化溫度則需要更高的電壓。電流大小范圍在0.3～3mA之間。
RESET脈沖的下降時間是一個關(guān)鍵的參數(shù)[2]。PCM技術(shù)的狀態(tài)決定了所需的最小下降時間。目前，一般的需求是30～50納秒。更新的材料將需要更短的下降時間。如果脈沖的下降時間長于所需的時間，那么材料可能無法有效淬火形成非晶態(tài)。
對PCM材料進行特征分析的關(guān)鍵參數(shù)
開發(fā)新的PCM材料并優(yōu)化器件設(shè)計的能力在很大程度上取決于制造商對幾個參數(shù)進行特征分析的能力：
"再結(jié)晶速率——目前的再結(jié)晶速率為幾十納秒的量級，但是它們可能很快會下降到幾納秒的量級。這將會縮短測量所需的時間，使其變得越來越緊張。
"數(shù)據(jù)保持——如前所述，SET狀態(tài)是一種能量較低的狀態(tài)，PCM材料往往會自然地再結(jié)晶。結(jié)晶的速率與溫度有關(guān)。因此，數(shù)據(jù)保持時間可以定義為在某個最高溫度下，數(shù)據(jù)(即RESET狀態(tài))保持不變和穩(wěn)定的特定時間周期(通常為10年)。
"反復(fù)耐久性——這個參數(shù)衡量的是一個存儲單元能被成功編程為0和1狀態(tài)的次數(shù)。簽名提到的具有多種額外獨特狀態(tài)的新型多態(tài)存儲單元能夠在一個單元中存儲更多信息，這種特性改變了反復(fù)耐久性的測試方法。
"漂移——這個參數(shù)衡量的是存儲單元的電阻隨時間變化的大小，通常要在各種溫度下進行測量。
"讀出干擾——這個參數(shù)衡量的是“讀數(shù)”過程對存儲數(shù)據(jù)的影響情況。測量脈沖的電壓必須低于0.5V。過高的電壓會導(dǎo)致讀出干擾問題。
"電阻-電流(RI)曲線——RI曲線(如圖2所示)是PCM特征分析過程中最常用的參數(shù)之一。對DUT發(fā)送一個脈沖序列(如圖3所示)。首先是一個RESET脈沖，將DUT的電阻設(shè)置為較高的值。然后是一個直流讀(即MEASURE)脈沖，脈沖幅值通常為0.5V或者更低，以避免影響DUT的狀態(tài)。接下來是一個SET脈沖和另外一個MEASURE脈沖。整個脈沖序列重復(fù)多次，其中SET脈沖的幅值逐漸增加到RESET脈沖的值。在圖2中的RI曲線中，注意觀察SET或RESET脈沖之后測量到的電阻值。這些值對應(yīng)著SET脈沖的電流標(biāo)出。RESET值略高于1MΩ;根據(jù)SET電流大小的改變，SET電阻值的范圍從1兆歐到幾千歐不等。
圖2. 紅色的為RI曲線
圖3. 產(chǎn)生RI曲線的脈沖序列。
較高的紅色脈沖是RESET脈沖。較矮的紅色脈沖是SET脈沖。較矮的長方形脈沖是電阻(R)測量。
圖4. I-V電流電壓掃描的例子 [3]
"I-V(電流-電壓)曲線——這里，對之前處于RESET狀態(tài)到其高電阻狀態(tài)的DUT施加的電壓從低到高進行掃描(如圖4所示)。在存在負(fù)載電阻的情況下，從高電阻態(tài)到低電阻態(tài)進行的這種動態(tài)轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生一條RI特征曲線，其中帶有回折(snapback)，即負(fù)電阻區(qū)域?；卣郾旧聿⒉皇荘CM或者PCM測試的特征，而是R負(fù)載技術(shù)的副作用，人們很久以前就采用這種技術(shù)來獲取RI和I-V曲線。
在標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載測量技術(shù)中(如圖5所示)，一個電阻與DUT串聯(lián)，通過測量負(fù)載電阻上的電壓就可以測出流過DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器記錄負(fù)載電阻上的電壓。流過DUT的電流等于施加的電壓(VAPPLIED)減去器件上的電壓(VDEV)，再除以負(fù)載電阻。負(fù)載電阻的大小范圍通常從1千歐到3千歐。這種技術(shù)采用了一種折衷：如果負(fù)載電阻太高，RC效應(yīng)以及電壓在R負(fù)載和DUT上的分配將會限制這種技術(shù)的性能;但是，如果電阻值太小，它會影響電流的分辨率。
圖5. 標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載技術(shù)
最近，我們研究出了一種新的不需要負(fù)載電阻的限流技術(shù)。通過緊密控制電流源的大小，可以對于RI曲線中的低電流進行更精確的特征分析。這種新技術(shù)(如圖6所示)能夠通過一次脈沖掃描同時獲得I-V和RI曲線，其中采用了高速脈沖源和測量儀器，即雙通道的4225-PMU超快I-V模塊。這種新模塊能夠提供電壓源，同時以較高的精度測量電壓和電流響應(yīng)，上升和下降時間短至20ns。
去掉負(fù)載電阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模塊以及用于擴展其靈敏度的4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開關(guān)(如圖7所示)可用于4200-SCS型半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)，其不僅具有對PCM器件進行特征分析所必需的測量功能，而且能夠自動實現(xiàn)整個測試過程。
圖6. 采用4225-PMU的限流技術(shù)
圖7. 4225-PMU超快I-V模塊和兩個4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開關(guān)，適用于吉時利4200-SCS型特征分析系統(tǒng)
結(jié)語：
在業(yè)界尋求更可靠存儲器件時，在開發(fā)過程中能夠?qū)@些新器件進行快速而精確的特征分析變得越來越重要。目前正在研發(fā)的新工具和技術(shù)對于實現(xiàn)這一目標(biāo)非常關(guān)鍵。要想了解有關(guān)這些新技術(shù)的更多詳情，歡迎觀看有關(guān)這一問題的在線研討會：http://event.on24.com/r.htm?e=193529&s=1&k=CBC6739B04B4BFB61F1AD6145043D7A2
作者簡介
Alex Pronin是吉時利儀器公司的資深應(yīng)用工程師、技術(shù)帶頭人。他Base在吉時利公司總部Cleveland. 他擁有MIPT(莫斯科物理技術(shù)學(xué)院)的物理學(xué)碩士文憑和Dartmouth的材料科學(xué)博士學(xué)位。
參考文獻
[1] T. Nirschl, J. B. Phipp, et al. (2007, Dec. 10-12). Write strategies for 2- and 4-bit multi-level phase-change memory. Presented at IEDM 2007. IEEE International. [Online]. Available: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4418973
[2] D.-S. Suh, K. H. P. Kim, et al (2006, Dec. 11-13). Critical quenching speed determining phase of Ge2Sb2Te5 in phase-change memory. Presented at IEDM '06. IEEE International. [Online]. Available: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4154328
[3]A. Pirovano, A. L. Lacaita, et al, “Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 5, May 2004.
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