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[導(dǎo)讀]CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱(chēng)為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)

CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱(chēng)為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)量VDD電源電流。測(cè)試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時(shí)間導(dǎo)致IC失效的其它缺陷。同樣地,帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測(cè)量。

這些產(chǎn)品類(lèi)型包括便攜式電池供電的消費(fèi)性電子產(chǎn)品,例如移動(dòng)電話(huà)、尋呼機(jī)和筆記本電腦,以及可植入的醫(yī)療設(shè)備,例如心臟起搏器和除顫器。這些測(cè)試的目標(biāo)是在給定電池充電電平和工作質(zhì)量條件下確保產(chǎn)品滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)更長(zhǎng)工作時(shí)間的要求。測(cè)試必須盡快完成以確保吞吐量符合要求,而且測(cè)試必須全面以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

在選擇執(zhí)行這些測(cè)試的測(cè)量?jī)x器時(shí),兩項(xiàng)最重要的考慮是速度和準(zhǔn)確度。但是,在測(cè)量小電流時(shí),有時(shí)必須在速度和準(zhǔn)確度兩者間做出取舍,所以通常需要用定制硬件完成這些測(cè)試。定制硬件的設(shè)計(jì)時(shí)間可能很漫長(zhǎng)而且一般不容易維護(hù),而商購(gòu)的測(cè)試系統(tǒng)通常易于使用、容易買(mǎi)到而且節(jié)省機(jī)架空間。

另一篇吉時(shí)利應(yīng)用筆記介紹了如何用2400系列源表執(zhí)行IDDQ測(cè)試和靜態(tài)電流測(cè)量。本應(yīng)用筆記介紹了如何用吉時(shí)利最新的2600系列源表實(shí)現(xiàn)上述測(cè)試。這種新一代源表的產(chǎn)品系列包括單通道2601和雙通道2602。由于具有內(nèi)建測(cè)試腳本處理器(TSPTM)和新的儀器間通信接口(TSP-LinkTM),2600系列儀器比前幾代源表的功能更強(qiáng)大和更靈活。

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