51?系列單片機是高電平復(fù)位。
如果在?AT89S52?的?9?號引腳(RST)加上寬度大于?2?個機器周期的高電平，該單片機芯片就將處于復(fù)位狀態(tài)。
復(fù)位時：PC?=?0000H，SP?=?07H，P0~P3?=?FFH，其它各個特殊功能寄存器的內(nèi)容皆為?0。
此后，當(dāng)?RST?引腳上的降為低電平，單片機將會脫離復(fù)位，變成運行狀態(tài)，從?0000H?處開始執(zhí)行程序。
在?RST?引腳接上一個電阻、一個電容，即可構(gòu)成“上電復(fù)位電路”。其中電阻為?10K，電容為?10uF，這是廠家推薦的數(shù)值。
上電復(fù)位電路圖如下：
其中?RST?端電壓波形?VR，在上面的插圖中也已經(jīng)給出。
分析這個波形變化的原理，要用到“過渡過程”的知識。
從電路中可以看出，電阻和電容是串聯(lián)，電容的電壓、電阻的電壓，加在一起，就是電源電壓。
當(dāng)沒有開機時，這些電壓都是零。
當(dāng)開機后，電源?VCC?突然就出現(xiàn)了?+5V，此刻的電容電壓是不能突變的，仍然是零。
+5V?的電源電壓，立即就全都加到了電阻上，于是?RST?端的電壓?VR，在這一瞬間就出現(xiàn)了高電平。
之后，隨著電容器不斷的充電，VR?就呈指數(shù)規(guī)律下降，這就是“過渡過程”。
當(dāng)?VR?下降到?3.4V，可以認為此時就脫離了高電平。從波形圖中可以看出，RST?端的高電平持續(xù)時間就是?t1。
如果經(jīng)過了?(3~5)?RC?的時間，這個電壓就可以認為降到零了。這時，就認為“過渡過程”已經(jīng)是結(jié)束了。
上面所說的電壓波形變化的規(guī)律，在《電路》方面的教材中，可以找到計算公式。
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在晶振為?12MHz?時，如果?RST?端的高電平持續(xù)時間?t1，超過了?2us，51單片機即可復(fù)位。
其實，使用單片機廠家所推薦的元件數(shù)值(電阻為?10K，電容為?10uF)，已經(jīng)使?RST?端的高電平時間，遠遠超過了?2us。
哪怕，即使單片機使用的晶振頻率再低一些，要求復(fù)位的時間再長一些，這個電阻、電容的數(shù)值，也都是夠用的。
做而論道說這些，是什么意思呢？
呵呵，就是說，復(fù)位電路中的電阻、電容，并不需要我們自己來設(shè)計，使用廠家推薦的數(shù)值，就完全可以了。
如果偏要自己設(shè)計，那就一定是閉門造車。
因為公式中所用的?VH?這個電壓值，是單片機廠家內(nèi)部掌握的。我們并不能肯定就是?3.4V。所以，我們自己設(shè)計不出來合適的?R、C?的數(shù)值。
另外，有人略微的學(xué)過一些“過渡過程”的計算公式，就用?(3~5)?RC?來計算高電平的時間，呵呵，這就是基本概念不清。
用?(3~5)?RC?來計算，得出的電壓波形，早早就是低電平了，根本就不是高電平的持續(xù)時間。
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如果，想要增加“手動復(fù)位按鍵”，電路圖就在下面：
按鍵按下后，電容器放電；按鍵松開后，電容器從零電壓開始充電，電阻上的電壓波形，就和上面給出的一模一樣了。
省略掉圖中的?220?歐姆的電阻，也是可以的，有些成品的電路板，就是省略的。
省略后，沒有太大缺陷，只是按鍵按下的時刻，瞬間放電電流，會很大，可能有微小火花出現(xiàn)。
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還看到有些參考資料，在復(fù)位電路中，增加了一個反相器。
好像是說，這樣就可以把緩慢變化的波形，弄得陡峭一些，使得復(fù)位，可以可靠一些。
其實，這是多余的。
單片機的廠家，早就在芯片內(nèi)部，集成了施密特反相器，用不著用戶來畫蛇添足。
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