Intel優(yōu)化傲騰可持續(xù)內(nèi)存性能 一個(gè)補(bǔ)丁提升116%性能

Intel日前向Linux內(nèi)核提交了新的補(bǔ)丁代碼，持續(xù)優(yōu)化傲騰可持續(xù)內(nèi)存的性能，雙路系統(tǒng)上內(nèi)存訪問(wèn)性能提升了116%。

這個(gè)補(bǔ)丁主要適用于有傲騰可持續(xù)內(nèi)存的系統(tǒng)，它在存儲(chǔ)分層中不同于內(nèi)存，也不同于閃存，而是介于二者之間。

這個(gè)補(bǔ)丁的作用是將原本存放在傲騰可持續(xù)內(nèi)存上的熱頁(yè)面（hot pages）正確轉(zhuǎn)移到DRAM內(nèi)存中，反過(guò)來(lái)也可以將冷頁(yè)面（cold pages）存儲(chǔ)在傲騰可持續(xù)內(nèi)存上。

由于DRAM內(nèi)存的性能依然大大高于傲騰可持續(xù)內(nèi)存，所以性能大幅提升也是很正常的。在測(cè)試中，80：20配比的讀?。簩懭胂?，pmbench基準(zhǔn)的內(nèi)存訪問(wèn)性能基準(zhǔn)測(cè)試性能提升了116%。

傲騰DC可持續(xù)內(nèi)存采用標(biāo)準(zhǔn)的DDR4外形規(guī)格與接口協(xié)議，完全兼容現(xiàn)有DDR4插槽，直接插上就能用，但需要和DDR4內(nèi)存共處同一通道(也就是每個(gè)通道一條傲騰內(nèi)存配一條DDR4內(nèi)存)，且需要插在每通道更靠近CPU的一條插槽上。

按照Intel的內(nèi)存存儲(chǔ)層級(jí)劃分，傲騰DC內(nèi)存緊跟在系統(tǒng)DRAM之后，主要用來(lái)提升系統(tǒng)內(nèi)存容量，傲騰DC SSD固態(tài)盤則放在傲騰DC內(nèi)存、傳統(tǒng)閃存固態(tài)盤之間，提升存儲(chǔ)性能。

傲騰內(nèi)存條容量目前提供128GB、256GB、512GB，最大功耗18W，頻率最高等同于DDR4-2666，讀取帶寬最高6.8GB/s，寫入帶寬最高2.3GB/s。