CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市
[導(dǎo)讀]這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。
該可擴(kuò)展平臺(tái)中的第一款產(chǎn)品是一個(gè)三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導(dǎo)通損耗特性，導(dǎo)通電阻為3.25毫歐(mOhm)，同時(shí)具有低開關(guān)損耗特性，在600V/300A時(shí)導(dǎo)通和關(guān)斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進(jìn)的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個(gè)輕質(zhì)的鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板進(jìn)行水冷，結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達(dá)3600V的隔離電壓(經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試)。
內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源(每相1個(gè))，可提供每相高達(dá)5W的功率，從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。高達(dá)10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(> 50KV/μs)的抗擾性可實(shí)現(xiàn)功率模塊的快速開關(guān)和低開關(guān)損耗。還具備欠壓鎖定(UVLO)、有源米勒鉗位(AMC)、去飽和檢測和軟關(guān)斷(SSD)等保護(hù)功能，以確保一旦發(fā)生故障時(shí)可以安全地驅(qū)動(dòng)功率模塊并提供可靠的保護(hù)。
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