CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市
[導(dǎo)讀]這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。
該可擴展平臺中的第一款產(chǎn)品是一個三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導(dǎo)通損耗特性，導(dǎo)通電阻為3.25毫歐(mOhm)，同時具有低開關(guān)損耗特性，在600V/300A時導(dǎo)通和關(guān)斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個輕質(zhì)的鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板進行水冷，結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓(經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試)。
內(nèi)置的柵極驅(qū)動器包括3個板載隔離電源(每相1個)，可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(> 50KV/μs)的抗擾性可實現(xiàn)功率模塊的快速開關(guān)和低開關(guān)損耗。還具備欠壓鎖定(UVLO)、有源米勒鉗位(AMC)、去飽和檢測和軟關(guān)斷(SSD)等保護功能，以確保一旦發(fā)生故障時可以安全地驅(qū)動功率模塊并提供可靠的保護。
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