安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET

2020年3月11日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

安森美半導(dǎo)體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫O管具有低反向恢復(fù)電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小芯片尺寸進(jìn)一步增強(qiáng)高頻工作，達(dá)至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg(低至220 nC)，從而降低在高頻下工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗。這些增強(qiáng)功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾(EMI)，并可使用更少(或更小)的無(wú)源器件。極強(qiáng)固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命，這對(duì)高要求的現(xiàn)代電源應(yīng)用至關(guān)重要。較低的正向電壓提供無(wú)閾值的導(dǎo)通狀態(tài)特性，減少器件導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。

1200 V器件的額定電流高達(dá)103 A(最大ID)，而900 V器件的額定電流高達(dá)118 A。對(duì)于需要更高電流的應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體的MOSFET可易于并聯(lián)運(yùn)行，因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。

安森美半導(dǎo)體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對(duì)新的SiC MOSFET器件說(shuō)：“如果設(shè)計(jì)工程師要達(dá)到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應(yīng)用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標(biāo)，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導(dǎo)體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開(kāi)關(guān)速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導(dǎo)體為進(jìn)一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡(jiǎn)化和加速設(shè)計(jì)流程?！?/p>

安森美半導(dǎo)體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物，針對(duì)汽車應(yīng)用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。所有器件都采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247或D2PAK封裝。