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[導(dǎo)讀]隨著微電子芯片集成度不斷增加,工藝線寬不斷變窄,微電子技術(shù)已經(jīng)逐漸接近性能極限,摩爾定律失效的言論也甚囂塵上,雖然不斷有科學(xué)家為摩爾定律續(xù)命,但前方道路依然漫長。

與此同時,與微電子具有“一字之隔”的光電子憑借自己的高速和低功耗等優(yōu)勢正在蓬勃發(fā)展,逐漸受到人們的青睞。受集成電路的啟發(fā),集成光路的概念被提出,即利用光波導(dǎo)將光發(fā)射、光耦合、光傳輸、光調(diào)制、光邏輯、光處理、光接收等光電子器件集成在同一個襯底上,從而構(gòu)成一個具有一定獨(dú)立功能的微型光學(xué)系統(tǒng)。傳統(tǒng)的光電技術(shù)大部分都是基于III-V族半導(dǎo)體(GaAs/InP等),制作成本昂貴,工藝復(fù)雜,相比之下,以硅CMOS工藝為基礎(chǔ)的微電子技術(shù)在過去半個世紀(jì)取得了舉世矚目的成就,技術(shù)積累十分全面,硅基工業(yè)具有非常強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)能力。于是有人提出以硅基作為襯底,利用硅CMOS工藝將光電子器件集成,硅光技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,并且憑借其兼具的微電子和光電子兩大技術(shù)優(yōu)勢火速興起,成為半導(dǎo)體和通信企業(yè)的競爭熱點(diǎn)。

技術(shù)演進(jìn)和企業(yè)收購助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展。硅光從提出至今,技術(shù)不斷演進(jìn),其中里程碑事件為英特爾在2004年研制成功1Gb/s硅光調(diào)制器,在這之后硅光產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程突飛猛進(jìn),新技術(shù)層出不窮,硅光產(chǎn)品越來越多,不斷有企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域。由于硅光產(chǎn)品技術(shù)和準(zhǔn)入門檻較高,下游企業(yè)對硅光產(chǎn)品依賴度增大,越來越多的下游公司在硅光領(lǐng)域開始展開布局,并為此進(jìn)行了多輪收購或并購,從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)垂直整合,其中以思科、諾基亞等為主要代表。

硅光應(yīng)用領(lǐng)域和市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。目前硅光產(chǎn)品的發(fā)展已經(jīng)初具規(guī)模,在光通信及光信息處理方面具有微電子無法比擬的優(yōu)越性,應(yīng)用廣泛。根據(jù)Yole預(yù)測數(shù)據(jù),硅光市場規(guī)模將從2018年的4.55億美元,增長到 2024 年的40億美元。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,硅光的大規(guī)模集成特性非常適合消費(fèi)電子產(chǎn)品需求,智能傳感、移動終端等產(chǎn)品均可利用硅光技術(shù)在有限的空間集成更多的器件;在光通信領(lǐng)域,隨著網(wǎng)絡(luò)帶寬的不斷增加,高速率傳輸技術(shù)已經(jīng)成為光通信領(lǐng)域的研究重點(diǎn),硅光產(chǎn)品憑借尺寸小、成本低、與現(xiàn)有CMOS技術(shù)兼容等優(yōu)勢,成為高速光通信實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的最佳方案;在量子通信領(lǐng)域,由于硅光技術(shù)保密性強(qiáng)、集成度高、適合復(fù)雜光路控制等優(yōu)勢,基于硅光的量子通信芯片有望成為量子通信的重要技術(shù)方案。此外,硅光在智能駕駛、激光雷達(dá)、面部識別、高速互聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域均有解決方案。

我國硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展兩大現(xiàn)狀

我國正處于追趕者的地位。由于我國進(jìn)入硅光領(lǐng)域較晚,目前主要通過并購或者與外企合作的模式切入,正處于追趕者的地位。我國目前在硅光領(lǐng)域開展布局的企業(yè)主要有華為、光迅科技、亨通光電、博創(chuàng)科技等。華為2013年收購比利時硅光子公司Caliopa,并且在英國建立了光芯片工廠發(fā)展硅光技術(shù)。2017年亨通光電與英國的硅光子企業(yè)洛克利合作,獲得多項(xiàng)硅光芯片技術(shù)許可,2020年3月10日發(fā)布了400G硅光模塊。2018年光迅科技聯(lián)合國家信息光電子創(chuàng)新中心等單位聯(lián)合研制成功100G硅光收發(fā)芯片并正式投產(chǎn)使用,但是流片需要依靠國外。2020年博創(chuàng)科技與Sicoya公司合作,推出了高性價比的400G數(shù)據(jù)通信硅光模塊解決方案。

我國硅光發(fā)展與發(fā)達(dá)國家仍存在差距。在設(shè)計方面,架構(gòu)不夠完善,體積和性能平衡的問題沒有妥善解決。在制備方面,我國的硅光芯片大部分都需要國外代工,對外依賴度大。在封裝方面,硅光器件之間的耦合以及大密度集成仍然存在問題。在測試方面,高速儀器儀表還嚴(yán)重依賴國外。在推廣應(yīng)用方面,雖然第一代硅光相干芯片已經(jīng)完成研制,但是距離應(yīng)用還有一段路要走,關(guān)于如何在數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域發(fā)揮硅光技術(shù)優(yōu)勢,降低成本,依然是我國硅光發(fā)展需要面臨的問題。在企業(yè)規(guī)模上,相比集成電路企業(yè),我國硅光企業(yè)大都規(guī)模較小,芯片嚴(yán)重依賴國外,企業(yè)實(shí)力較弱,垂直整合能力較差,雖然有一些硅光企業(yè),但大都是設(shè)計、后道制程和封裝企業(yè),具有芯片制備能力的企業(yè)寥寥無幾。

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