Power Integrations宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)近日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動(dòng)電壓要求，并具有先進(jìn)的安全和保護(hù)特性。

SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的SiC MOSFET，新產(chǎn)品具有軌到軌輸出、快速門極開關(guān)速度、支持正負(fù)輸出電壓的單極供電電壓、集成的功率和電壓管理以及加強(qiáng)絕緣。重要安全特性包括漏源極(VDS)監(jiān)測(cè)、電流檢測(cè)讀出、原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)、限流門極驅(qū)動(dòng)以及可確保在故障情況下安全工作和軟關(guān)斷的高級(jí)有源鉗位(AAC)。AAC與VDS監(jiān)控相結(jié)合，可確保在短路情況下的安全關(guān)斷時(shí)間少于2μs。門極驅(qū)動(dòng)控制和AAC特性可使門極電阻最小化，這有助于降低開關(guān)損耗，提高逆變器效率。

新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink?通信技術(shù)的完美結(jié)合，與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations為門極驅(qū)動(dòng)器IC技術(shù)帶來了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力，并且使用極少的外部器件即可實(shí)現(xiàn)安全可靠、高性價(jià)比的300kW以下逆變器設(shè)計(jì)。

Power Integrations汽車門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)打開了通向更輕便小巧的汽車逆變器系統(tǒng)的大門。開關(guān)速度和工作頻率不斷提高;我們的低門極電阻值可用來維持高開關(guān)效率，而我們的快速短路響應(yīng)可在發(fā)生故障時(shí)為系統(tǒng)提供及時(shí)保護(hù)。”

“此外，SCALE-iDriver在絕緣強(qiáng)度方面為功能安全樹立了新標(biāo)準(zhǔn);即使功率器件導(dǎo)致了嚴(yán)重的驅(qū)動(dòng)器故障，SCALE-iDriver的絕緣性能仍然完好無損，從而確保機(jī)箱的任何部分都不會(huì)有威脅生命的高壓存在。”Hornkamp補(bǔ)充道。

新的單通道SIC118xKQ門極驅(qū)動(dòng)器可提供高達(dá)8A的輸出電流，并且適合標(biāo)準(zhǔn)門極-發(fā)射極電壓最低為+15V，負(fù)電壓范圍介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有較強(qiáng)的外部磁場(chǎng)抗擾性能，采用緊湊的eSOP封裝，可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達(dá)到了最高CTI級(jí)(根據(jù)IEC 60112標(biāo)準(zhǔn)，CTI = 600)。

關(guān)于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高壓電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域半導(dǎo)體技術(shù)的知名創(chuàng)新者。該公司的產(chǎn)品是清潔能源生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的關(guān)鍵組成部分，可實(shí)現(xiàn)新能源發(fā)電以及毫瓦級(jí)至兆瓦級(jí)應(yīng)用中電能的有效傳輸和消耗。