氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC解析
集成電路不斷推動者=著電路的創(chuàng)新,為社會的前進(jìn)推動著,深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC,產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴大。
新款I(lǐng)NN3x78C器件集成了尺寸較小的“8號”750 V PowiGaN晶體管,可設(shè)計出外形輕巧的高效率電源,在無需散熱片的情況下能夠提供27 W至55 W的輸出功率。與基于氮化鎵的InnoSwitch3系列中更大型號的器件(最大目標(biāo)功率為120 W)一樣,這些IC也采用符合安規(guī)的大爬電距離的InSOP?-24D封裝。
PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時耐受輸入浪涌和電壓浮動的沖擊。這樣OEM廠商只需一個電源設(shè)計即可滿足全球通用的要求。新器件到應(yīng)用范圍非常廣泛,包括用于移動設(shè)備的USB PD和大電流充電器/適配器,以及機頂盒、顯示器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、游戲產(chǎn)品和家電 - 尤其適合于那些旨在滿足計劃中的歐洲能效標(biāo)簽指令要求的產(chǎn)品。
Power Integrations產(chǎn)品營銷總監(jiān)Chris Lee表示:“我們看到集成了高可靠性750 V氮化鎵晶體管的高效率AC-DC變換器IC的市場需求在不斷增長。由于硅MOSFET的擊穿電壓和與COSS相關(guān)的開關(guān)損耗之間存在相關(guān)聯(lián)的關(guān)系,因此很難同時滿足電氣耐壓強度和高效率的要求。
我們高電氣強度的PowiGaN晶體管具有極小的COSS,因此可以實現(xiàn)94%以上的效率,進(jìn)而可以非常直觀地降低亞熱帶產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境的市場返修率。”以上就是Power Integrations推出多款集成了高可靠性750 V氮化鎵晶體管的InnoSwitch3 IC,產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴大。