進軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內(nèi)存 合肥長鑫計劃第三代10nm工藝

千呼萬喚始出來，前兩天國內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻—;—;合肥長鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對外供貨了。

嚴格來說，合肥長鑫的內(nèi)存不是第一款國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國產(chǎn)的服務器等產(chǎn)品中，但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無法大量供應。

所以合肥長鑫是首個真正具備量產(chǎn)能力的國產(chǎn)內(nèi)存，他們現(xiàn)在已經(jīng)可以供應DDR4內(nèi)存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動內(nèi)存，頻率可達2666MHz、2666MHz、3733MHz，也是比較主流的水平了。

目前長鑫生產(chǎn)的內(nèi)存芯片使用的還是10G1工藝，也就是10nm級第一代工藝，具體來說是19nm工藝，相比三星來說落后了兩三代水平。

不過長鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了，預計還會有10G3、10G5工藝，目前具體水平不確定，大概率會是1X、1Y、1Znm工藝的演進，相當于16-19、14-16、12-14的水平，具體看長鑫的能力。

產(chǎn)品方面，除了目前的DDR4、LPDDR4之外，未來還會有DDR5、LPDDR5、GDDR6等，覆蓋桌面、移動及圖形三大市場，產(chǎn)品線齊全。