臺積電5nm打造1700平方毫米巨型中介層:集成96GB HBM2E內(nèi)存
晶體管越來越小,但是高性能計(jì)算需求越來越高,有些人就反其道而行之,嘗試制造超大芯片。
之前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE,擁有46225平方毫米面積、1.2萬億個(gè)晶體管、40萬個(gè)AI核心、18GB SRAM緩存……并得到了美國能源部的青睞和部署。
現(xiàn)在,臺積電、博通聯(lián)合宣布,雙方將利用晶圓上芯片封裝(CoWos)技術(shù),打造面積達(dá)1700平方毫米的中介層(Interposer),是芯片蝕刻所用光掩模(光罩)尺寸極限858平方毫米的整整兩倍。
這樣規(guī)模的中介層顯然是無法一次性單個(gè)制造出來的,臺積電實(shí)際上是同時(shí)在晶圓上蝕刻多個(gè)中介層,然后將它們連接在一起,組成一個(gè)整體。
工藝上,臺積電也用上了最先進(jìn)的5nm EUV(N5),它將在今年上半年投入量產(chǎn)。
所謂中介層,用途就是串聯(lián)不同裸片(Die)的橋梁,因?yàn)殡S著現(xiàn)代芯片日益復(fù)雜,制造單個(gè)大型SoC的代價(jià)越來越大,所以行業(yè)普遍開發(fā)出了各種新的封裝技術(shù),將不同的小芯片、模塊整合在一起,構(gòu)成一顆大芯片。
博通就計(jì)劃用這個(gè)龐大無比的中介層,封裝多個(gè)SoC芯片,以及六顆HMB2內(nèi)存,單顆容量16GB,總?cè)萘窟_(dá)96GB/s,帶寬也高達(dá)2.7TB/s。
看這規(guī)格,應(yīng)該是三星最新的HBM2E。
臺積電和博通未透露這種龐大芯片的具體規(guī)格,只是說將用于高性能計(jì)算領(lǐng)域。
另外,臺積電還在改進(jìn)CoWoS封裝技術(shù),所以未來不排除面積超過1700平方毫米的更大芯片。