Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
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奈梅亨,2020年4月22日:半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用,包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡(jiǎn)化了PCB組裝過(guò)程。
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過(guò)36%的空間。由于采用了先進(jìn)工藝流程,這些新器件提供低導(dǎo)通電阻RDS(on),與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品相比減小了60%以上,它們還具備優(yōu)良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS電壓閾值,這個(gè)參數(shù)對(duì)低驅(qū)動(dòng)電壓的便攜式產(chǎn)品應(yīng)用至關(guān)重要。
Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Sandy Wang評(píng)論道:“新一代可穿戴設(shè)備不斷突破消費(fèi)電子技術(shù)的界限。智能手機(jī)、智能手表、健身跟蹤器和其他創(chuàng)新技術(shù)的演進(jìn)需要微型化MOSFET,用以提供領(lǐng)先的性能和效率,從而實(shí)現(xiàn)越來(lái)越多的復(fù)雜功能。Nexperia擁有很高產(chǎn)能和制造能力,能夠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),以最大限度地滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。”