僅此一文，看懂二極管的所有基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)
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電子元件家族當(dāng)中，有一種只允許電流由單一方向流過(guò)，具有兩個(gè)電極的元件，稱(chēng)為二極管，英文是“Diode”，是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。
早期的二極管包含“貓須晶體”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。
1904年，英國(guó)物理學(xué)家弗萊明根據(jù)“愛(ài)迪生效應(yīng)”發(fā)明了世界上第一只電子二極管——真空電子二極管。它是依靠陰極熱發(fā)射電子到陽(yáng)極實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
電源正負(fù)極接反則不能導(dǎo)電，它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。早期電子二極管存在體積大、需預(yù)熱、功耗大、易破碎等問(wèn)題，促使了晶體二極管的發(fā)明。
又稱(chēng)半導(dǎo)體二極管。1947年，美國(guó)人發(fā)明。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)引出端。
這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。現(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。
晶體二極管的核心是PN結(jié)，關(guān)于PN結(jié)首先要了解三個(gè)概念。
本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。
P型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導(dǎo)體。
N型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導(dǎo)體。
由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，就產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。
當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的PN結(jié)。
以PN結(jié)為核心結(jié)構(gòu)，加上引線或引腳形成單向?qū)щ姷亩O管。
當(dāng)外加電壓方向由P極指向N極時(shí)，導(dǎo)通。
晶體二極管可按材料不同和PN結(jié)結(jié)構(gòu)不同，進(jìn)行分類(lèi)。
點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。
其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以價(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類(lèi)型。與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大電流和整流。
制作工藝：將細(xì)鋁絲的一端接在陽(yáng)極引線上，另一端壓在摻雜過(guò)的N型半導(dǎo)體上。加上電壓后，細(xì)鋁絲在接觸點(diǎn)處融化并滲入融化部分的中。這樣，接觸點(diǎn)實(shí)際上是P型半導(dǎo)體，并附著在N型半導(dǎo)體上形成PN結(jié)。
面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過(guò)較大的電流(幾安到幾十安)，主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開(kāi)關(guān)。
平面型二極管
平面型二極管是一種特制的硅二極管，得名于半導(dǎo)體表面被制作得平整。最初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。
在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因PN結(jié)合的表面被氧化膜覆蓋，穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)。
它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。
二極管的伏安特性曲線如下：
外加電壓Uw方向?yàn)镻→N時(shí)，Uw大于起動(dòng)電壓，二極管導(dǎo)通；
外加電壓Uw方向?yàn)镹→P時(shí)，Uw大于反向擊穿電壓，二極管擊穿。
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最大整流電流Idm：二極管連續(xù)工作允許通過(guò)的最大正向電流；電流過(guò)大，二極管會(huì)因過(guò)熱燒毀；大電流整流可加裝散熱片。
最大反向電壓Urm：Urm一般小于反向擊穿電壓，選規(guī)格以Urm為準(zhǔn)，并留有余量；過(guò)電壓易損壞二極管。
反向飽和電流Is：二極管外加反向電壓時(shí)的電流值；Is反向擊穿前很小，變化也很?。籌s會(huì)隨溫度的升高而升高，一般地，常溫下硅管Is<1μA，鍺管Is=30~300μA。
最高工作頻率Fm：指二極管能保持良好工作特性的最高工作頻率。
大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流(Rectifying)”功能，
將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔堋?/span>
面接觸結(jié)構(gòu)，多采用硅材料，能承受較大的正向電流和較高的反向電壓。性能較穩(wěn)定，但因結(jié)電容較大，不宜工作在高頻電路中，所以不能作為檢波管使用。有金屬和塑料封裝。
檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號(hào)檢出來(lái)的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。
鍺材料點(diǎn)接觸型、工作頻率可達(dá)400MHz，正向壓降小，結(jié)電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。
類(lèi)似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開(kāi)關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專(zhuān)用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
多采用玻璃封裝或陶瓷外殼封裝，以獲得良好的高頻特性。
關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進(jìn)行“開(kāi)”、“關(guān)”而特殊設(shè)計(jì)制造的一類(lèi)二極管。它由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時(shí)間比一般二極管短。
開(kāi)關(guān)二極管的勢(shì)壘電容一般極小，這就相當(dāng)于堵住了勢(shì)壘電容這條路，達(dá)到了在高頻條件下還可以保持好的單向?qū)щ娦缘男Ч?/span>
開(kāi)關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開(kāi)通時(shí)間；從導(dǎo)通到截止的時(shí)間叫反向恢復(fù)時(shí)間；兩個(gè)時(shí)間之和稱(chēng)為開(kāi)關(guān)時(shí)間。一般反向恢復(fù)時(shí)間大于開(kāi)通時(shí)間，故在開(kāi)關(guān)二極管的使用參數(shù)上只給出反向恢復(fù)時(shí)間。開(kāi)關(guān)二極管的開(kāi)關(guān)速度是相當(dāng)快的，像硅開(kāi)關(guān)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間只有幾納秒，即使是鍺開(kāi)關(guān)二極管，也不過(guò)幾百納秒。
開(kāi)關(guān)二極管具有開(kāi)關(guān)速度快、體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動(dòng)控制電路中。
穩(wěn)壓二極管，是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。
穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí)，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí)，反向電流驟然增大，稱(chēng)為擊穿。
變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)又稱(chēng)"可變電抗二極管"。材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。
它一種利用PN結(jié)電容(勢(shì)壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管，其結(jié)構(gòu)圖如下。
變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的。
變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解：
反向偏壓增加，造成電容減少；
反向偏壓減少，造成電容增加；
反偏電壓愈大，則結(jié)電容愈小。
發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。
當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光，氮化鎵二極管發(fā)藍(lán)光。因化學(xué)性質(zhì)又分有機(jī)發(fā)光二極管OLED和無(wú)機(jī)發(fā)光二極管LED。
阻尼二極管類(lèi)似于高頻、高壓整流二極管，其特點(diǎn)是具有較低有電壓降和較高的工作頻率，且能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。
阻尼二極管主要用在電視機(jī)中，作為阻尼二極管、升壓整流二極管或大電流開(kāi)關(guān)二極管使用。
整流橋堆(半橋、全橋)：
高壓硅堆(多個(gè)硅二極管串聯(lián))：
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