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[導(dǎo)讀]什么是功率MOSFET?它的參數(shù)如何選擇?使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型。

什么是功率MOSFET?它的參數(shù)如何選擇?使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型。

由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的,這里不作贅述,只對(duì)實(shí)際選型用圖解和簡(jiǎn)單公式作簡(jiǎn)單通俗的講解。另外,這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,對(duì)于功率放大應(yīng)用不一定適用。

功率 MOSFET 的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)

和小功率 MOSFET 類(lèi)似,功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì),但實(shí)際上大部分功率 MOSFET 都是增強(qiáng)型的。(可能因?yàn)閷?shí)際的制作工藝無(wú)法達(dá)到理論要求吧,看來(lái)理論總是跟實(shí)際有差距的,哈哈)

MOSFET 是電壓控制型器件,三極管是電流控制型器件,這里說(shuō)的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟功率三極管(GTR)來(lái)做比較的:優(yōu)點(diǎn)—開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)方便等;缺點(diǎn)—難以制成高電壓、大電流型器件,這是因?yàn)槟蛪焊叩墓β? MOSFET 的通態(tài)電阻較大的緣故。

言歸正傳,下面來(lái)看看具體如何選型—功率 MOSFET 的選型

1 我的應(yīng)用該選擇哪種類(lèi)型的 MOSFET?

前面說(shuō)了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn),下面的圖和注釋會(huì)讓你一目了然!

負(fù)載(Load)的連接方式?jīng)Q定了所選 MOSFET 的類(lèi)型,這是出于對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的考慮。當(dāng)負(fù)載接地時(shí),采用 P 溝道 MOSFET;當(dāng)負(fù)載連接電源電壓時(shí),選擇 N 溝道 MOSFET。

2 確定額定電壓與額定電流

選好 MOSFET 的類(lèi)型后,接下來(lái)要做的是確定在你的設(shè)計(jì)中,漏極和源級(jí)間可能承受的最大電壓,即最大 VDS 。MOSFET 能承受的最大電壓會(huì)隨溫度變化,這是我們工程師在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮到的,必須在整個(gè)可能工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓變化范圍。

接下來(lái),說(shuō)點(diǎn)實(shí)際的:

MOSFET 在關(guān)斷瞬間,會(huì)承受到最大的電壓沖擊,這個(gè)最大電壓跟負(fù)載有很大關(guān)系:如果是阻性負(fù)載,那就是來(lái)自 VCC 端的電壓,但還需要考慮電源本身的質(zhì)量,如果電源質(zhì)量不佳,需要在前級(jí)加些必要的保護(hù)措施;如果是感性負(fù)載,那承受的電壓會(huì)大不少,因?yàn)殡姼性陉P(guān)斷瞬間會(huì)產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)(電磁感應(yīng)定律),其方向與 VCC 方向相同(楞次定律),承受的最大電壓為 VCC 與感生電動(dòng)勢(shì)之和;如果是變壓器負(fù)載的話(huà),在感性負(fù)載基礎(chǔ)上還需要再加上漏感引起的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。以上就是功率MOSFET的解析,希望能給大家?guī)椭?

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