國(guó)產(chǎn)品牌異軍突起：首款內(nèi)置“中國(guó)芯”氮化鎵快充產(chǎn)品上市

從業(yè)界獲悉，知名3C配件品牌ROCK（洛克）發(fā)布了首款內(nèi)置“中國(guó)芯”氮化鎵快充充電器，該款充電器具有體積小巧、高效率、發(fā)熱低等特點(diǎn)，其中的“中國(guó)芯”來(lái)自英諾賽科的“InnoGaN”系列功率芯片。

這標(biāo)志著“中國(guó)芯”氮化鎵正式應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電源產(chǎn)品，打響了“中國(guó)芯”氮化鎵快充商用的第一槍?zhuān)l(fā)業(yè)內(nèi)人士高度關(guān)注。

首款“中國(guó)芯”氮化鎵快充

據(jù)了解，ROCK（洛克）本次發(fā)布的“中國(guó)芯”氮化鎵快充支持最大65W輸出，并配備了兩個(gè)USB-C接口和一個(gè)USB-A接口，兼容PD3.0（PPS）、PD2.0、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP、Apple 2.4A等多種協(xié)議；不僅可以給手機(jī)、筆記本電腦等設(shè)備快充，而且還可同時(shí)給三臺(tái)設(shè)備充電，功能全面。

同時(shí)得益于氮化鎵功率芯片的采用，ROCK這款65W 2C1A充電器的體積較常規(guī)產(chǎn)品有明顯優(yōu)勢(shì)，搭配可折疊的插腳，非常便攜。通過(guò)與蘋(píng)果61W PD充電器對(duì)比，可見(jiàn)ROCK的接口更多，體積也更小。

值得一提的是，ROCK還與英諾賽科緊密合作，后續(xù)將基于“InnoGaN”開(kāi)發(fā)100W、120W等大功率USB PD快充產(chǎn)品，加速第三代半導(dǎo)體在消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

ROCK 65W 2C1A氮化鎵充電器的核心器件為英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片。該功率芯片擁有超高的工作頻率，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求；同時(shí)采用DFN8x8封裝，降低熱阻，非常適用于高功率密度高效率開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)發(fā)。

當(dāng)前市場(chǎng)上氮化鎵快充電源主要采用650V氮化鎵功率芯片（GaNFET）作為功率開(kāi)關(guān)，應(yīng)用氮化鎵高頻特性，使得終端快充產(chǎn)品體積更小，效率更高。

快充市場(chǎng)前景巨大

預(yù)計(jì)隨著用戶(hù)對(duì)便攜性的需求提高，2025年全球GaN快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到600多億元，同時(shí)加速GaN芯片在其它新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

行業(yè)報(bào)告顯示，手機(jī)廠商也在積極入局氮化鎵快充市場(chǎng)，其中華為、小米、OPPO、realme、三星、努比亞、魅族等知名手機(jī)企業(yè)已經(jīng)先后發(fā)布和推出了基于手機(jī)、筆記本電腦快充的氮化鎵充電器。

隨著USB PD&Type-C市場(chǎng)的快速發(fā)展，氮化鎵功率器件憑借其高頻低阻、高導(dǎo)熱、耐高溫等特點(diǎn)，逐漸成為消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)的全新發(fā)展方向。

自2019年以來(lái)，各大手機(jī)品牌及電商品牌先后推出數(shù)十款內(nèi)置氮化鎵功率器件的快充產(chǎn)品，受到了廣大消費(fèi)者的追捧和喜愛(ài)。而在氮化鎵快充成為未來(lái)充電市場(chǎng)主要趨勢(shì)的同時(shí)，市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)也已經(jīng)全面打響。

2019年，作為3C配件市場(chǎng)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)的香港電子展，我們就已經(jīng)察覺(jué)到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢(shì)頭：2019年4月份春節(jié)展，8款氮化鎵充電器新品參展；而到了10月份秋季展，氮化鎵充電器新品多達(dá)56款，不到一年增長(zhǎng)近7倍。

同時(shí)，在前不久剛剛結(jié)束的美國(guó)CES展會(huì)上，參展的氮化鎵充電器數(shù)量也已經(jīng)多達(dá)66款，涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個(gè)功率段，以及全新品類(lèi)超級(jí)擴(kuò)展塢，全面滿(mǎn)足手機(jī)、平板、筆電的充電需求。

國(guó)產(chǎn)品牌異軍突起

目前，對(duì)比傳統(tǒng)的MOSFET 產(chǎn)品，GaNFET由于采用異質(zhì)外延材料，在設(shè)計(jì)及制造工藝上都有極大的挑戰(zhàn)，全球范圍內(nèi)成熟的可量產(chǎn)的GaN產(chǎn)線十分有限。

全球氮化鎵快充背后的功率芯片技術(shù)掌握在三大主要供貨廠家手上，其中英諾賽科是唯一上榜的國(guó)產(chǎn)硅基氮化鎵廠商。

在當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦的大背景下，自主創(chuàng)新第三代半導(dǎo)體芯片避免關(guān)鍵技術(shù)被掐脖子，獲得了許多廠商的關(guān)注，業(yè)界對(duì)其發(fā)展?jié)摿κ挚春谩?/p>

目前在快充領(lǐng)域已有超過(guò)10家企業(yè)基于英諾賽科氮化鎵芯片成功開(kāi)發(fā)出快充產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此前市面上在售的氮化鎵快充充電器均基于進(jìn)口芯片開(kāi)發(fā)，英諾賽科“InnoGaN”系列氮化鎵芯片的成功商用，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)氮化鎵技術(shù)已經(jīng)成熟，也正式打破了氮化鎵功率器完全依賴(lài)進(jìn)口的局面。

作為國(guó)內(nèi)首家硅基氮化鎵廠商，英諾賽科采用IDM商業(yè)模式（IDM: Integrated Design Manufacturer，集成設(shè)計(jì)制造商，既有IC設(shè)計(jì)能力也有IC制造能力的公司），涵蓋研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試、銷(xiāo)售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等各個(gè)環(huán)節(jié)；公司在珠海和蘇州建有兩個(gè)8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋40V-650V的全系列氮化鎵芯片，自有失效分析和可靠性實(shí)驗(yàn)室，其在工藝先進(jìn)性、產(chǎn)品覆蓋面以及產(chǎn)能布局等核心方面都具有極大的優(yōu)勢(shì)。

同時(shí)，借助IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，及8英寸的生產(chǎn)加工工藝，英諾賽科“InnoGaN”系列對(duì)成本的控制也有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)，這有利于促進(jìn)了氮化鎵快充產(chǎn)品的平民化，加速第三代半導(dǎo)體的大面積商用普及。在未來(lái)的市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，英諾賽科無(wú)疑是一位頗具實(shí)力的選手。

總結(jié)

2020年USB PD快充在手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、汽車(chē)、生活家電等領(lǐng)域的滲透率已經(jīng)呈現(xiàn)出復(fù)合級(jí)增長(zhǎng)趨勢(shì)，USB-C接口的普及，讓原本復(fù)雜、繁瑣的充電接口趨于統(tǒng)一。

生活中高頻使用的手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦三件套，原本出差需要攜帶三個(gè)充電器，現(xiàn)在一顆2C1A、2C2A的多口大功率快充就能滿(mǎn)足用戶(hù)所需。

除了筆電市場(chǎng)充電技術(shù)的更新?lián)Q代，5G商用臨近，讓手機(jī)續(xù)航、充電面臨新的挑戰(zhàn)。當(dāng)前手機(jī)電池技術(shù)沒(méi)有重大突破，遇到高速網(wǎng)絡(luò)、視頻游戲等沉浸應(yīng)用，續(xù)航成為制約手機(jī)使用時(shí)長(zhǎng)的瓶頸。

這時(shí)采用全新氮化鎵技術(shù)方案的有線快充，能夠利用碎片化時(shí)間迅速補(bǔ)充電量，被市場(chǎng)極度看好和重視，現(xiàn)如今成為手機(jī)的重要賣(mài)點(diǎn)之一。

近1-2年內(nèi)，氮化鎵快充會(huì)與基于傳統(tǒng)的硅功率器件開(kāi)發(fā)的快充共存，而未來(lái)3-5年，氮化鎵器件市場(chǎng)的占比將會(huì)逐步擴(kuò)大，這主要得益于其自身成本的不斷降低和電源解決方案的高頻化。第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的大面積應(yīng)用即將到來(lái)，我們有幸得以見(jiàn)證這一刻的到來(lái)。​​​​​