Plessey宣布開發(fā)出創(chuàng)紀(jì)錄的2.5μm超高分辨率MicroLED顯示屏

隨著越來越多廠商開發(fā)先進(jìn)顯示產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，小間距顯示屏正在成為面板市場的發(fā)展趨勢。

19日，英國硅基氮化鎵（GaN-on-Si）專家Plessey宣布開發(fā)了一個創(chuàng)紀(jì)錄的2.5μm超高分辨率Micro LED顯示屏，用于可穿戴AR/VR設(shè)備。

Plessey一直致力于將Micro LED技術(shù)導(dǎo)入AR/VR顯示應(yīng)用，本次采用了其專有的單片集成硅基氮化鎵技術(shù)，在2.5μm間距上實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、超高分辨率（2000×2000）的顯示屏，具備高亮度和高對比度等優(yōu)點(diǎn)，且在室外環(huán)境下觀看舒適。相比傳統(tǒng) LCOS 或 DLP 顯示屏，此款Micro LED顯示屏僅消耗20%的能量。

據(jù)了解，硅基氮化鎵技術(shù)具備很多優(yōu)點(diǎn)。如：硅襯底的低熱阻性提高了熱提取效率，從而降低結(jié)溫，增強(qiáng)可靠性。該技術(shù)可提供卓越的能效、高分辨率及無可超越的對比度。因其與大規(guī)模硅集成電路工藝相似，硅基氮化鎵技術(shù)可以擴(kuò)展到逐漸增大的晶圓，改善成本、提高一致性和良率。

事實(shí)上，Plessey已通過單片集成Micro LED技術(shù)獲得了其它技術(shù)突破。

今年3月，該公司宣布采用原本發(fā)出藍(lán)光的硅基氮化鎵開發(fā)出天然綠色LED。天然綠色LED是由GaN-on-Si外延生長工藝形成，與天然藍(lán)色LED類似，主要區(qū)別在于LED的量子阱結(jié)構(gòu)中的銦含量。

5月，Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首個單片集成硅基氮化鎵Micro LED顯示屏，由間距8μm的單色全高清（1920x1080）電流驅(qū)動像素陣列組成。