電磁加熱器，是如今工業(yè)領(lǐng)域和民用設(shè)備中最廣泛的一種加熱方式，采用電磁感應(yīng)加熱技術(shù)，是國家提倡的一種環(huán)保的加熱方案。然而也有朋友有疑問：電磁加熱器IGBT逆變電路特性及溫度保護是什么?今天來介紹一下電磁加熱器，首先介紹一下電磁加熱器IGBT逆變電路特性。
一、電磁加熱器IGBT逆變電路特性
IGBT( (nsulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管，是絕緣柵型場效應(yīng)管MOS和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，它不僅有GTR特點：低導(dǎo)通壓降，也有MOSFET的特點：高輸入阻抗，兩方面的優(yōu)點。 MOSFET的特點：開關(guān)速度快，驅(qū)動能力小，載流密度小，但導(dǎo)通壓降大;GTR的特點：載流密度大，飽和壓降低，但驅(qū)動電流大。IGBT正是集中了以上兩種器件的優(yōu)點。因此該器件十分適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
要使管導(dǎo)通，則應(yīng)在此管的柵極G和發(fā)射極E之間加上導(dǎo)通電壓，這樣PNP晶體管的基極B與集電極C之間的阻抗值的大小將變得比較低，晶體管就得以導(dǎo)通;若要使此管截止，切斷此管E端的電流，則要在IGBT的發(fā)射極和柵極之間加上0V電壓。IGBT與場效應(yīng)管樣也是電壓控制型半導(dǎo)體器件，而且此晶體管的驅(qū)動電流很小，只要在它的G極和E極之間加上十幾伏的電壓，然后當漏電流流過時就可以驅(qū)動，基本上不消耗功率。
當加在IGBT的G端與E端的驅(qū)動電壓比較低時，則此芯片就不能正常的運作，但當加在芯片上的電壓過高超過它的耐壓值時，則芯片將被永久性破壞;同理，當加在芯片的C端與E端的電壓過高，超過它的耐壓幅值時，此時流過芯片C端一E端的電流就將超過允許電流的最大值，芯片工作的溫度將超過其允許的溫度，芯片也將被永久的破壞。
二、電磁加熱器溫度保護
溫度保護也就是功率模塊的過熱保護。IGBT工作時的開關(guān)損耗會引起器件溫度的升高，當溫度超過IGBT的允許最高溫度時，電子器件的許多性能和參數(shù)也會隨之改變，甚至溫度過高會損壞這些元器件。如果在溫度達到最高值之前將其關(guān)閉，使元器件的溫度不在上升，則就可以起到保護作用。在保護電路中，我們使用到熱敏電阻傳感器，在檢測溫度過程中，單片機會隨時讀取溫度，當檢測到的溫度值超過預(yù)定值時，系統(tǒng)會發(fā)出一個報警信號，并關(guān)斷輸出脈沖，使系統(tǒng)入重啟動狀態(tài)。
電磁加熱器是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)化為熱能的裝置，是隨時代發(fā)展需求而涌現(xiàn)的新型節(jié)能產(chǎn)品，較傳統(tǒng)工業(yè)加熱，可以說是一次技術(shù)大變革。
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