三安光電將在中國中部建設一個Mini/MicroLED研發(fā)基地 投資120億元人民幣

據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，三安光電目前正在中國中部建設一個Mini/Micro LED研發(fā)基地，投資額為120億元人民幣（17億美元）。

消息人士表示，三安將在該研發(fā)基地展開GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發(fā)。與此同時，三安還計劃在該基地建立161萬個GaN Mini/Micro LED芯片、750，000個GaAs Mini/Micro LED芯片以及84，000個4K顯示器的年生產(chǎn)能力。GaN業(yè)務部門年產(chǎn)能將包括720，000個藍光Mini LED芯片、90，000個藍光Micro LED芯片、720，000個綠光Mini LED芯片和80，000個綠光Micro LED芯片，而GaAs業(yè)務部分年產(chǎn)能將包括660，000個紅光Mini LED芯片和90，000個紅光Micro LED芯片。

然而，消息人士指出，三安光電目前尚未透露何時開始生產(chǎn)GaN和GaAs Micro LED芯片。

此外，三安光電已經(jīng)與三星電子合作，共同開發(fā)Mini/Micro LED技術(shù)。

而總部位于中國臺灣的PlayNitride，則計劃在2019年8月底開始試產(chǎn)多達3000片LED外延片，而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨家供應商。