碳化硅MOSFET特性以及相關(guān)基礎(chǔ)知識

你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導(dǎo)體工藝不斷精進(jìn)，半導(dǎo)體的材料也隨之改朝換代，碳化硅在眾多半導(dǎo)體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能，同時碳化硅更是寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，其最大特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等。

因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，為了給廣大工程師分享更多關(guān)于碳化硅MOSFET相關(guān)知識，這次電子星球誠邀英飛凌企業(yè)資深高級工程師在5月26日上午10點(diǎn)給各位帶來一場精彩絕倫的《碳化硅MOSFET特性及驅(qū)動設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室》直播秀，點(diǎn)擊鏈接立即報(bào)名，搶先一步和大咖面對面互動。

對于廣大工程師而言，最關(guān)心還是直播內(nèi)容，小編在這里和各位預(yù)告下!本次是英飛凌的直播秀直播嘉賓分別為英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部應(yīng)用與系統(tǒng)方案拓展經(jīng)理郝欣，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部高級主任工程師施三保以及英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部高級工程師鄭姿清三位給各位帶來的“碳化硅MOSFET特性及驅(qū)動設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室”。由于碳化硅器件特性，驅(qū)動設(shè)計(jì)有一定難度，為此英飛凌設(shè)計(jì)了碳化硅MOSFET管雙脈沖測試平臺，首批兩個子單元可以用于評估米勒鉗位和正負(fù)電源驅(qū)動兩種常用技術(shù)。感興趣的攻城獅不要錯過這么精彩的直播秀，點(diǎn)擊此鏈接占位子!

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