超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動電路與EMI
劉松 劉瞻 艾結(jié)華 曹雪 張龍
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動源來驅(qū)動,為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手機(jī)充電器以及適配器的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中,通常使用圖1的驅(qū)動電路,使用合適的開通和關(guān)斷電阻,并使用柵極下拉的PNP管。一些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力,外部會使用二個對管組成的圖騰柱。
圖1:常用柵極驅(qū)動電路
圖1的驅(qū)動電路的特點(diǎn):
(1)實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷,降低關(guān)斷損耗;
(2)減小橋式電路在下管關(guān)斷、上管開通過程中,dV/dt和Crss在下管柵極產(chǎn)生的感應(yīng)電壓,從而防止下管柵極誤觸發(fā)導(dǎo)通,避免上、下管的直通短路。
圖1的驅(qū)動電路驅(qū)動平面結(jié)構(gòu)和前一代超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,可以在各種性能之間取得非常好的平衡,但是,新一低超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的開關(guān)速度非常快,因此,使用這樣的驅(qū)動電路,會產(chǎn)生較大的dV/dt和di/dt,從而對EMI產(chǎn)生影響。
采用AOD600A70R,其中,R1=150,R2=10,R3=10k,分別在輸入120V&60HZ、264V&50HZ,輸出11V/4A&44W條件下測量關(guān)斷波形,如圖2所示。
(a) 關(guān)斷波形,120V&60HZ
(b) 關(guān)斷波形,264V&50HZ
圖2:采用圖1驅(qū)動電路的關(guān)斷波形
電視機(jī)板上ACDC電源、電腦適配器等由于具有足夠的空間,因此,快的開關(guān)速度實(shí)現(xiàn)高效的同時,可以通過調(diào)整系統(tǒng)輸入端的濾波器實(shí)現(xiàn)EMI的性能。手機(jī)快速充電器內(nèi)部的空間極其有限,因此,很難通過大幅調(diào)整前端的輸入濾波器來保證EMI的性能,這種情況下就需要優(yōu)化驅(qū)動電路來改善系統(tǒng)的性能。當(dāng)然,優(yōu)化驅(qū)動電路對于ACDC電源、電腦適配器,同樣可以提高EMI性能。
新一低的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的Coss和Crss強(qiáng)烈的非線性特性導(dǎo)致快速的開關(guān)特性,那么,就需要通過外部柵極-漏極、漏極-源極并聯(lián)電容來改善其非線性特性?;趫D1的驅(qū)動電路,外部并聯(lián)柵極-漏極電容為11pF,如圖3所示,然后測量關(guān)斷波形,如圖4所示。從圖4的波形可以看到,外部并聯(lián)柵極-漏極電容,可以降低di/dt ,但是對dV/dt的影響很小。從EMI的測量結(jié)果來看,無法達(dá)到系統(tǒng)的要求。為了提高系統(tǒng)的安全性,圖中柵極-漏極電容采用二顆高壓陶瓷電容串聯(lián),C1=C2=22pF。
圖3:外部并聯(lián)柵極-漏極電容驅(qū)動電路
(a) 關(guān)斷波形,120V&60HZ
(b) 關(guān)斷波形,264V&50HZ
圖4:采用圖3驅(qū)動電路的關(guān)斷波形
測試結(jié)果表明;柵極驅(qū)動的速度仍然非???,為了實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度、開關(guān)損耗和EMI的平衡,去掉柵極的二極管和下拉PNP管,如圖5所示。其中,R2=5.1,關(guān)斷波形如圖6所示。
圖5:無三極管下拉柵極驅(qū)動電路
(a) 關(guān)斷波形,120V&60HZ
(b) 關(guān)斷波形,264V&50HZ
圖6:使用圖5驅(qū)動電路關(guān)斷波形
基于圖5的驅(qū)動電路,柵極-漏極外部并聯(lián)11pF電容,C1=C2=22pF,如圖7所示,測量波形如圖8所示。
圖7:無三極管下拉,外部并聯(lián)柵極-漏極電容
(a) 關(guān)斷波形,120V&60HZ
(b) 關(guān)斷波形,264V&50HZ
圖8:使用圖7驅(qū)動電路關(guān)斷波形
為了能夠控制關(guān)斷的dV/dt,漏極-源極需要并聯(lián)外部電容,如圖9所示。圖9的電路中,加了一個二極管,這樣,關(guān)斷和開通可以使用不同的柵極電阻值,方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)和調(diào)試優(yōu)化。采用AOD600A70R,其中,C1=C2=22pF,C3=47pF,R1=R2=5.1,關(guān)斷波形如圖10所示。
圖9;優(yōu)化EMI的手機(jī)快充柵極驅(qū)動電路
(a) 關(guān)斷波形,120V&60HZ
(b) 關(guān)斷波形,264V&50HZ
圖10:采用圖9驅(qū)動電路的關(guān)斷波形
分別在輸入120V&60HZ、264V&50HZ,輸出11V/4A&44W條件下,使用圖3的驅(qū)動電路,測量相關(guān)的輻射。測量結(jié)果如圖11所示,它們或者超標(biāo),或者達(dá)不到系統(tǒng)的裕量要求。圖3電路即使在D、S并聯(lián)電容,同樣測試也過不了EMI。
(a) 120V&60HZ,水平
(b) 120V&60HZ,垂直
(c) 264V&50HZ,水平
(d) 264V&50HZ,垂直
圖11:使用圖3驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果
分別在輸入120V&60HZ、264V&50HZ,輸出11V/4A&44W條件下,使用圖9的驅(qū)動電路,測量相關(guān)的輻射,測量結(jié)果如圖12所示,這些結(jié)果都達(dá)到系統(tǒng)裕量的要求。
(a) 120V&60HZ,水平
(b) 120V&60HZ,垂直
(c) 264V&50HZ,水平
(d) 264V&50HZ,垂直
圖12:使用圖9驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果
新一低的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET應(yīng)用于功率因素校正PFC以及一些要求高效、高功率密度電源,可以使用圖9的驅(qū)動電路;如果其在PFC中使用多管并聯(lián),推薦使用圖13電路。如果其應(yīng)用于LLC諧振變換器,使用圖14的電路。
圖13:PFC多管并聯(lián)驅(qū)動電路
圖14:LLC諧振變換器驅(qū)動電路
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