法國(guó)一公司研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡(jiǎn)單且更高效

據(jù)報(bào)道，法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。

新工藝的第一步是將Micro LED芯片直接轉(zhuǎn)移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅(qū)動(dòng)電路和Micro LED芯片組成的每個(gè)完整像素點(diǎn)轉(zhuǎn)移到顯示基板上。

研究員指出，CMOS驅(qū)動(dòng)器具備高性能，可以制造更多種類的Micro LED顯示屏，從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實(shí)現(xiàn)。

據(jù)稱，單個(gè)LED-CMOS單元是通過全半導(dǎo)體和晶圓級(jí)方法制造的，最終制成的顯示器不需要使用TFT（薄膜晶體管），這也是新工藝技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

目前，如何提高驅(qū)動(dòng)電子的性能是制造Micro LED的一個(gè)挑戰(zhàn)，這需要更多功率來實(shí)現(xiàn)更加明亮的圖像，以及更快的速度來應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的高顯示分辨率需求。

CEA-LeTI研發(fā)的新工藝能夠通過簡(jiǎn)化的轉(zhuǎn)移工藝來制造基于CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器，無(wú)需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上，然后每個(gè)單元被轉(zhuǎn)移至簡(jiǎn)單的接收基板上。最后，在單個(gè)半導(dǎo)體線上完成RGB Micro LED和背板的制造。

CEA-LeTI光學(xué)器件戰(zhàn)略營(yíng)銷經(jīng)理Fran？ois Templier表示，這項(xiàng)基于CMOS的工藝能夠生產(chǎn)出更高亮度和更高分辨率的Micro LED顯示器，可改變大型電視制造領(lǐng)域的“游戲規(guī)則”。

據(jù)悉，5月14日，CEA-LeTI在2019顯示周上展示了這項(xiàng)突破性技術(shù)。