NASA認(rèn)證：全球首個不怕宇宙輻射的DDR4內(nèi)存誕生

能飛入太空、劇烈高低溫變化和宇宙輻射都不怕的DDR4內(nèi)存見過嗎？來自法國的半導(dǎo)體企業(yè)Teledyne e2v就帶來了這么一款神奇的產(chǎn)品，型號為“DDR4T04G72M”。

該內(nèi)存采用單芯片封裝，尺寸僅為20×15×1.92毫米，內(nèi)部集成了多顆美光內(nèi)存芯片，位寬72-bit，其中64-bit用于傳輸數(shù)據(jù)、8-bit用于ECC錯誤校驗(yàn)。

芯片出廠前進(jìn)行了抗輻射測試，官方出具單粒子效應(yīng)(SEE)測試報告，其中單粒子鎖定(SEL)最高為60+ MeV.cm²/mg。

同時它還可以經(jīng)受劇烈的高低溫變化，最高125℃、最低-55℃，標(biāo)準(zhǔn)符合NASA Level 1 (NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs)、ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C)。

性能方面，單顆容量4GB，目前經(jīng)過驗(yàn)證的頻率為2133MHz，未來還將升級到2400MHz。