近年來，在國(guó)家科技興國(guó)戰(zhàn)略、中國(guó)制造＂2025＂規(guī)劃核心材料的進(jìn)口替代政策、減稅紅利的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。其中，濺射靶材作為超大規(guī)模集成電路制造必不可少的原材料，正逐步擺脫進(jìn)口限制，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自主化。
濺射屬于物理氣相沉積技術(shù)的一種，它利用離子源產(chǎn)生在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使得離開并沉積在底表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。
濺射靶材是電子及信息產(chǎn)業(yè)、液晶顯示器、光學(xué)等行業(yè)必不可少的原材料，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板、光伏三大場(chǎng)景。其廣泛地應(yīng)用于汽車電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器、顯微鏡及相機(jī)鏡頭等終端消費(fèi)領(lǐng)域。當(dāng)前濺射靶材市場(chǎng)正處于高速成長(zhǎng)的進(jìn)程中，WSTS數(shù)據(jù)顯示，2016年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)需求達(dá)113．6億美元，并預(yù)計(jì)2016－2019復(fù)合增速達(dá)13％，2018年全球半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模約為13．69億美元，2019年將超過163億美元。
2016全球靶材下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占10％、平板顯示占34％、太陽能電池占21％、記錄媒體占29％，這三大應(yīng)用對(duì)靶材性能要求依次降低，是靶材需求增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，2017年我國(guó)靶材市場(chǎng)需求規(guī)模202．2億元，其中磁記錄占比28％，半導(dǎo)體占比9％，太陽能市場(chǎng)占比8％，2028年－2020年我國(guó)靶材市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)增速在20％以上，市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。
國(guó)外企業(yè)高度壟斷市場(chǎng)
高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，屬于典型的技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)含量高，研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備專用性強(qiáng)。隨著半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的不斷深化，以美國(guó)、日本為代表的半導(dǎo)體廠商需要加強(qiáng)對(duì)上游原材料的創(chuàng)新力度，從而最大限度地保證半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性，因此，美國(guó)、日本的半導(dǎo)體工業(yè)相繼催生了一批高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)廠商，并于當(dāng)前居于全球市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，在一定程度上，全球半導(dǎo)體工業(yè)的區(qū)域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。
據(jù)東北證券測(cè)算，2019年全球靶材市場(chǎng)規(guī)模約 170．37 億美元，而全球?yàn)R射靶材的四家巨頭企業(yè)：JX 日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，合計(jì)壟斷了全球 80％的市場(chǎng)份額。濺射靶材中最高端的晶圓制造靶材的市場(chǎng)占有率更是高達(dá)90％。
濺射靶材技術(shù)及投資比例較高，靶材的純度、組織、晶粒尺寸等明顯制約鍍膜質(zhì)量。美、日等跨國(guó)企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)擅長(zhǎng)磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，但廠商普遍缺少核心技術(shù)及裝備，濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國(guó)和日本的進(jìn)口；中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶，原料以進(jìn)口為主。
本土企業(yè)崛起 加速國(guó)產(chǎn)化替代
國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中，高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚，主要高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)均由國(guó)有資本和少數(shù)民營(yíng)資本所投資。受到技術(shù)、資金和人才的限制，國(guó)內(nèi)專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)廠商數(shù)量仍然偏少，企業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平參差不齊，多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商還處于企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)水平偏低、產(chǎn)業(yè)布局分散的狀態(tài)，市場(chǎng)尚處于開拓初期，主要集中在低端產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，在半導(dǎo)體芯片、液晶顯示器和太陽能電池等市場(chǎng)還無法與國(guó)際巨頭全面抗衡。但江豐電子的出現(xiàn)打破了國(guó)外壟斷格局，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)超高純?yōu)R射靶材制造的空白，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大突破。
資料顯示，江豐電子從事高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，產(chǎn)品應(yīng)用于半導(dǎo)體（主要為超大規(guī)模集成電路領(lǐng)域）、平板顯示、太陽能等領(lǐng)域，公司已經(jīng)掌握了高純金屬及濺射靶材生產(chǎn)中的核心技術(shù)，在集成電路28－7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的靶材技術(shù)關(guān)鍵已經(jīng)突破，實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時(shí)5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)靶材樣品正在客戶端驗(yàn)證中。目前江豐電子已經(jīng)成為中芯國(guó)際、臺(tái)積電、格羅方德、意法半導(dǎo)體、東芝、海力士、京東方、SunPower等國(guó)內(nèi)外知名廠商的高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商。
近年來，國(guó)內(nèi)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，突破靶材專業(yè)技術(shù)門檻，已在國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)占據(jù)一定份額，主要有江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華節(jié)能和有研新材等，成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，成功切入全球半導(dǎo)體龍頭的供應(yīng)鏈，改變了高純?yōu)R射靶材長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的不利局面。例如，蘋果A10芯片的制造用的正是江豐電子高純度濺射靶材。
國(guó)內(nèi)政策方面，2015年11月財(cái)政部、發(fā)改委、工信部、海關(guān)總署、國(guó)家稅務(wù)總局聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于調(diào)整集成電路生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口自用生產(chǎn)性原料、消耗品、免稅商品清單的通知》，規(guī)定進(jìn)口靶材的免稅期到2018年年底結(jié)束，從2019年開始日、美靶材需要繳納5－8％關(guān)稅，該項(xiàng)政策有助于國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)的發(fā)展。近些年來，國(guó)家制定了一系列的相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策包括863計(jì)劃、02專項(xiàng)等加速濺射靶材的本土化進(jìn)程，推動(dòng)很多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從1到1的跨越。此外，國(guó)家在“中國(guó)制造2025”中明確提出至2020年集成電路自給率達(dá)到40％，2025年達(dá)到50％，這將進(jìn)一步帶動(dòng)靶材企業(yè)的發(fā)展。
來源：OFweek維科號(hào) 新材料情報(bào)NMT
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