乾照光電宣布擬資16億建設(shè)VCSEL及高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目

昨（7）日晚間，乾照光電發(fā)布公告稱，為充分發(fā)揮公司已有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、設(shè)備優(yōu)勢(shì)、工藝優(yōu)勢(shì)，提升產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，加快實(shí)現(xiàn)科技成果的轉(zhuǎn)化，公司擬出資159，670.49萬(wàn)元建設(shè)VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目，其中銀行貸款85，096.20萬(wàn)元，其余由公司以其他方式自籌出資，該項(xiàng)目由公司全資子公司廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司負(fù)責(zé)承辦。

據(jù)公告顯示，項(xiàng)目安排在2018年啟動(dòng)，2019年上半年開(kāi)工建設(shè)，建設(shè)期預(yù)計(jì)22個(gè)月，2021年建成投產(chǎn)，2022年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)行。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)測(cè)達(dá)產(chǎn)后年銷售收入96，628.29 萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年利潤(rùn)總額23，690.91萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。

乾照光電表示，砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體器件主要依附于MOCVD進(jìn)行外延生產(chǎn)，技術(shù)含量高；在軍用和民用無(wú)線通訊等領(lǐng)域需求旺盛，而相關(guān)國(guó)內(nèi)廠商稀缺，國(guó)家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。乾照光電憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領(lǐng)域多年研發(fā)和生產(chǎn)的積累，通過(guò)本項(xiàng)目的建設(shè)，將有助于乾照光電在其他市場(chǎng)領(lǐng)域的突破，對(duì)公司的戰(zhàn)略發(fā)展具有重要意義。

此外，本項(xiàng)目的實(shí)施，可以對(duì)地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展有明顯的推動(dòng)作用。同時(shí)，該項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)廈門打造半導(dǎo)體高端產(chǎn)業(yè)集群計(jì)劃的實(shí)施具有重要意義。在環(huán)境保護(hù)方面，本項(xiàng)目利用原有環(huán)保體系，完全可以達(dá)到環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成影響。