確認(rèn)！上海微電子28nm光刻機(jī)明年交付！意義何在？

在經(jīng)歷了中興事件之后，深深讓國人感受到了中國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的薄弱，而此次美國升級(jí)對(duì)華為的制裁，更是讓國人認(rèn)識(shí)到了中國在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。而對(duì)于芯片制造來說，最為關(guān)鍵的設(shè)備當(dāng)屬光刻機(jī)。

資料顯示，光刻工藝是芯片制造過程中占用時(shí)間比最大的步驟，約占芯片制造總時(shí)長的40%-50%。同時(shí)，光刻機(jī)也是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備，約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備總成本的27%。

而在目前的光刻機(jī)市場(chǎng)，ASML、佳能以及尼康是最大的三家供應(yīng)商，占據(jù)了全球99%的市場(chǎng)。其中ASML 在高端市場(chǎng)一家獨(dú)大，且是全球唯一的EUV 光刻機(jī)供應(yīng)商?？梢哉f，中國的中高端光刻機(jī)市場(chǎng)一直都是被這三家國外廠商所壟斷。

一、光刻工藝復(fù)雜，設(shè)備技術(shù)壁壘高

光刻技術(shù)指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理，將電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓表面的工藝技術(shù)，光刻機(jī)是光刻工序中的一種投影曝光系統(tǒng)。其包括光源、光學(xué)鏡片、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)等。在制造過程中，通過投射光束，穿過掩膜板和光學(xué)鏡片照射涂敷在基底上的光敏性光刻膠，經(jīng)過顯影后可以將電路圖最終轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。

光刻機(jī)分為無掩模光刻機(jī)和有掩模光刻機(jī)。

（1）無掩模光刻機(jī)可分為電子束直寫光刻機(jī)、離子束直寫光刻機(jī)、激光直寫光刻機(jī)。電子束直寫光刻機(jī)可以用于高分辨率掩模版以及集成電路原型驗(yàn)證芯片等的制 造，激光直寫光刻機(jī)一般是用于小批量特定芯片的制造。

（2）有掩模光刻機(jī)分為接觸/接近式光刻機(jī)和投影式光刻機(jī)。接觸式光刻和接近式光刻機(jī)出現(xiàn)的時(shí)期較早，投影光刻機(jī)技術(shù)更加先進(jìn)，圖形比例不需要為 1:1，減低了掩膜板制作成本，目前在先進(jìn)制程中廣泛使用。

隨著曝光光源的改進(jìn)，光刻機(jī)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小。光刻設(shè)備從光源（從最初的 g-Line, i-Line 發(fā)展到 EUV）、曝光方式（從接觸式到步進(jìn)式，從干式投影到浸沒式投影）不斷進(jìn)行著改進(jìn)。

芯片尺寸的縮小以及性能的提升依賴于光刻技術(shù)的發(fā)展。光刻設(shè)備光源波長的進(jìn)一步縮小將推動(dòng)先進(jìn)制程的發(fā)展，進(jìn)而降低芯片功耗以及縮小芯片的尺寸。

目前光刻機(jī)主要可以分為 IC 前道制造光刻機(jī)（市場(chǎng)主流）、IC 后道先進(jìn)封裝光刻機(jī)、LED/MEMS/Power Devices 制造用光刻機(jī)以及面板光刻機(jī)。

其中 IC 前道光刻機(jī)需求量和價(jià)值量都最高，但是技術(shù)難度最大。而封裝光刻機(jī)對(duì)于光刻的精度要求低于前道光刻要求，面板光刻機(jī)主要用在薄膜晶體管制造中，與 IC 前道光刻機(jī)相比技術(shù)難度更低。

以上光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模大小和增速以及競(jìng)爭(zhēng)格局和國產(chǎn)化程度是不同的，接下來我們將分別進(jìn)行分析。

二、光刻機(jī)市場(chǎng)被國外廠商壟斷

1、IC 前道光刻機(jī)市場(chǎng)，ASML一家獨(dú)大

IC 前道光刻機(jī)技術(shù)最為復(fù)雜，光刻工藝是 IC 制造的核心環(huán)節(jié)也是占用時(shí)間比最大的步驟，光刻機(jī)是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備。根據(jù)格羅方德的數(shù)據(jù)顯示，光刻設(shè)備約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備成本 27%，光刻工藝占芯片制造時(shí)間 40%-50%。

△光刻機(jī)是晶圓制造產(chǎn)線中的高投入型設(shè)備（數(shù)據(jù)來源：Global Foundries，國泰君安證券研究 ）

根據(jù)International Society for Optics and Photonics 以及 VLSI Research 研究發(fā)現(xiàn)，高精度 EUV 光刻機(jī)的使用將使die 和 wafer 的成本進(jìn)一步減小，但是設(shè)備本身成本也會(huì)增長。

△利用高端光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)的先進(jìn)制程可以進(jìn)一步降低芯片尺寸和成本，但是設(shè)備成本會(huì)增長（數(shù)據(jù)來源：International Society for Optics and Photonics）

光刻設(shè)備量價(jià)齊升帶動(dòng)光刻設(shè)備市場(chǎng)不斷增長。一方面，隨著芯片制程的不斷升級(jí)，IC 前道光刻機(jī)價(jià)格不斷攀升。

目前最先進(jìn)的 EUV 設(shè)備在2018 年單臺(tái)平均售價(jià)高達(dá) 1.04 億歐元，較 2017 年單臺(tái)平均售價(jià)增長4%。另一方面，晶圓尺寸變大和制程縮小將使產(chǎn)線所需的設(shè)備數(shù)量加大，性能要求變高。

12 寸晶圓產(chǎn)線中所需的光刻機(jī)數(shù)量相較于 8 寸晶圓產(chǎn)線將進(jìn)一步上升。同時(shí)預(yù)計(jì) 2020 年隨著半導(dǎo)體產(chǎn)線得到持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，光刻機(jī)需求也將進(jìn)一步加大。

光刻機(jī)采購節(jié)奏是內(nèi)資產(chǎn)線資本支出的關(guān)鍵信號(hào)。內(nèi)資產(chǎn)線一般會(huì)優(yōu)先采購價(jià)值量和技術(shù)難度最高的光刻機(jī)。從長江存儲(chǔ)、華力微、華虹無錫、中芯紹興以及株洲中車的光刻機(jī)采購情況來看，各產(chǎn)線 19Q4 至今光刻機(jī)合計(jì)采購量可觀，預(yù)示其 2020 年內(nèi)資產(chǎn)線資本支出將進(jìn)一步提升。

ASML、佳能以及尼康是全球光刻機(jī)市場(chǎng)的主要供應(yīng)商，其中 ASML 在高端市場(chǎng)一家獨(dú)大并且壟斷 EUV 光刻機(jī)。從光刻機(jī)總體出貨量來看（含非 IC 前道光刻機(jī)），目前全球光刻機(jī)出貨量 99%集中在 ASML、尼康和佳能。其中ASML份額最高，達(dá)到67.3%，且壟斷了高端 EUV 光刻機(jī)市場(chǎng)。

需要指出的是，ASML技術(shù)先進(jìn)離不開高投入，其研發(fā)費(fèi)用率始終維持在 15%-20%，遠(yuǎn)高于Nikon 和 Canon。

ASML 在技術(shù)更先進(jìn)的 EUV、ArFi、ArF 機(jī)型市場(chǎng)占有率不斷提升，且遠(yuǎn)大于 Canon 和 Nikon。2017 年 ASML 上述三種機(jī)型出貨量總計(jì)為101 臺(tái)，市場(chǎng)份額占比為 78.29%，到 2018 年 ASML 出貨量增長到 120臺(tái)，市場(chǎng)份額約 90% 。

數(shù)據(jù)顯示，2018年，Canon 和 Nikon 在 EUV、ArFi、ArF 機(jī)型銷售量遠(yuǎn)低于 ASML，二者產(chǎn)品主要集中價(jià)值量更低的后道光刻機(jī)以及面板光刻機(jī)領(lǐng)域。

IC 前道制造光刻機(jī)國產(chǎn)化嚴(yán)重不足。目前產(chǎn)線中光刻機(jī)主要依賴于進(jìn)口，以國內(nèi)產(chǎn)線長江存儲(chǔ)為例，其光刻機(jī)全部來自于 ASML 和佳能。其中 Arf 光刻機(jī)全部由 ASML 供應(yīng)，佳能主要供應(yīng)技術(shù)難度相對(duì)較低的 g線、i 線光刻機(jī)及少部分 KrF 光刻機(jī)。

2、封裝光刻機(jī)及LED/MEMS/功率器件光刻機(jī)市場(chǎng)發(fā)展迅速

除了應(yīng)用于 IC 前道的光刻機(jī)之外，封裝光刻機(jī)以及 LED/MEMS/功率器件光刻機(jī)利基市場(chǎng)也不斷發(fā)展。

從需求量來看，先進(jìn)封裝光刻機(jī)市場(chǎng)需求更大且增速最高，是利基市場(chǎng)的主要拉動(dòng)力量。根據(jù) Yole,2015-2020 年先進(jìn)封裝、MEMS 以及 LED 光刻機(jī)出貨量將持續(xù)增長，預(yù)計(jì)到 2020 年總需求量將超過 250 臺(tái)/年。2015年到 2020 年先進(jìn)封裝光刻設(shè)備出貨量年復(fù)合增長率達(dá)到 15%。MEMS光刻機(jī)需求量復(fù)合增速約 9%左右。

目前該市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)者數(shù)目多于 IC 前道光刻機(jī)市場(chǎng)，光刻機(jī)三大巨頭之一的尼康的光刻機(jī)業(yè)務(wù)也開始向利基市場(chǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)移。

3、面板光刻機(jī)市場(chǎng)：尼康、佳能壟斷

光刻機(jī)還可以用于面板（FPD）領(lǐng)域，國內(nèi) FPD 產(chǎn)業(yè)處于高速發(fā)展階段，市場(chǎng)發(fā)展空間巨大。隨著國內(nèi) FPD 生產(chǎn)線的建設(shè)和陸續(xù)投產(chǎn)及下游電子設(shè)備應(yīng)用多元化發(fā)展，我國 FPD 產(chǎn)業(yè)步入快速發(fā)展時(shí)期，產(chǎn)能持續(xù)增長。

據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能僅為 22 百萬平方米，而 2017 年國內(nèi)產(chǎn)能迅速增長到 96 百萬平方米，預(yù)計(jì) 2020 年我國 FPD產(chǎn)能將達(dá)到 194 百萬平方米，2013-2020 年復(fù)合增長率達(dá) 36.48%，F(xiàn)PD市場(chǎng)保持高速增長，發(fā)展空間巨大。

國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升。在 FPD 產(chǎn)業(yè)逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移和中國大陸以京東方為首的 FPD 廠商投資力度加大的雙重作用下，國內(nèi)FPD 產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升。據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比僅為 13.9%，2017 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比上升至 34%，中國躍升為全球第二大 FPD 供應(yīng)區(qū)，預(yù)計(jì) 2020 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比將提高至 52%，屆時(shí)中國將成為全球最大的 FPD 生產(chǎn)基地。

尼康、佳能 FPD 光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，基本壟斷了 FPD 光刻機(jī)市場(chǎng)，其中尼康份額最高。自 1986 年尼康在 FPD 制造領(lǐng)域推出 NSR-L7501G 以來，尼康開發(fā)并銷售了大量的 FPD 光刻系統(tǒng)，尼康不僅是大型 FPDs 光刻系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，而且還為智能手機(jī)和面板電腦生產(chǎn)中小型高清 FPDs提供理想的型號(hào)。

而佳能 FPD 光刻技術(shù)也具有突出優(yōu)勢(shì)。由于弧形的成像范圍使得獲得最佳成像特性成為可能，佳能的設(shè)備可以掃描弧形的曝光區(qū)域，從而在大面積范圍內(nèi)獲得高分辨率的性能；

通過同時(shí)使用 AS 和 OAS 方法來觀察失真，佳能的混合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可以進(jìn)一步提高檢測(cè)時(shí)間和更精確的測(cè)量；為了解決之前曝光過程中產(chǎn)生的模式失真，佳能的高精度速度平臺(tái)對(duì)掃描速度和方向進(jìn)行了微調(diào)，在曝光過程中修正光刻板上的掩模圖形；

利用非線性失真校正技術(shù)結(jié)合掃描校正機(jī)制，可以處理襯底上各種形狀的變形，并更準(zhǔn)確地將其與掩模上的圖案對(duì)齊。

三、國產(chǎn)光刻機(jī)與國外技術(shù)差距較大，但部分領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)突破

雖然，中國也有自己的國產(chǎn)光刻機(jī)廠商—;—;上海微電子裝備股份有限公司（SMEE），但是其在技術(shù)上與國外還存在較大差距。

上海微電子成立于2002年，主要從事半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備以及高端智能裝備的設(shè)計(jì)制造銷售，其中光刻設(shè)備是公司的主營業(yè)務(wù)。

目前公司光刻機(jī)可以應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中晶圓制造、封裝測(cè)試，以及平板顯示、高亮度 LED 等領(lǐng)域。目前上海微電子直接持有各類專利及專利申請(qǐng)超過2400項(xiàng)。

據(jù)上海微電子官網(wǎng)介紹，其主要生產(chǎn) SSX600 和 SSX500 兩個(gè)系列的光刻機(jī)。

其中，SSX600 系列步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，以及高速高精的自減振六自由度工件臺(tái)掩模臺(tái)技術(shù)，可滿足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求，該設(shè)備可用于 8吋線或 12 吋線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

SSB500 系列步進(jìn)投影光刻機(jī)不僅適用于晶圓級(jí)封裝的重新布線（RDL）以及 Flip Chip 工藝中常用的金凸塊、焊料凸塊、銅柱等先進(jìn)封裝光刻工藝，還可以通過選配背面對(duì)準(zhǔn)模塊，滿足 MEMS 和 2.5D/3D 封裝的 TSV 光刻工藝需求。

在技術(shù)上，上海微電子的IC前道光刻機(jī)與國際先進(jìn)水平差距仍較大。上海微電子裝備有限公司已量產(chǎn)的光刻機(jī)中性能最好的最高可實(shí)現(xiàn) 90nm 制程節(jié)點(diǎn)，ASML 的 EUV 3400B 制程節(jié)點(diǎn)可達(dá)到 5nm。這也使得在IC前道光刻機(jī)市場(chǎng)，國產(chǎn)化率較低，國內(nèi)的IC前道光刻機(jī)市場(chǎng)主要被ASML、尼康和佳能瓜分。

不過，在對(duì)光刻精度要求較低的封裝光刻機(jī)、 LED/MEMS/功率器件光刻機(jī)、面板光刻機(jī)市場(chǎng)，上海微電子則取得了不錯(cuò)的成績。

目前上海微電子封裝光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)批量供貨，成為長電科技、日月光、通富微電等封測(cè)龍頭的重要供應(yīng)商，并出口海外市場(chǎng)，在國內(nèi)市場(chǎng)占有率高達(dá) 80%，全球市場(chǎng)占有率達(dá) 40%。同時(shí)公司 300 系列光刻機(jī)可以滿足 HB-LED、MEMS 和 Power Devices 等領(lǐng)域單雙面光刻工藝需求，占有率達(dá)到 20%左右。

在面板光刻機(jī)市場(chǎng)，上海微電子也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)首臺(tái) 4.5 代 TFT 投影光刻機(jī)進(jìn)入用戶生產(chǎn)線。不過，目前市場(chǎng)主流都是6 代及 6 代以上的產(chǎn)線。要想打破日本尼康和佳能所壟斷的 FPD 光刻機(jī)市場(chǎng)格局，仍需要時(shí)間。

四、國產(chǎn)11nm光刻機(jī)將于年底下線？

近日，網(wǎng)上有傳聞稱上海微電子預(yù)計(jì)在2020年12月下線首臺(tái)采用ArF光源的可生產(chǎn)11nm芯片的SSA800/10W光刻機(jī)。

據(jù)網(wǎng)友爆料稱，SSA800/10W光刻機(jī)采用NA 1.35透鏡組，并搭載超精密磁懸浮雙工件臺(tái)和超純水浸入系統(tǒng)。同時(shí)采用華卓精科工作臺(tái)的套刻精度指標(biāo)優(yōu)于1.7nm。該光刻機(jī)采用深紫外光波長193nm，通過透鏡成像，以及折射原理單次可達(dá)到28nm曝光效果，然后再利用雙工作臺(tái)進(jìn)行多次曝光原理，有生產(chǎn)7nm制程的潛力。同時(shí)，該網(wǎng)友還貼出了上海微電子的雙工件臺(tái)曝光系統(tǒng)的操作控制界面。

根據(jù)消息顯示，該光刻機(jī)的光源激光系統(tǒng)由科溢虹源（中科院微電子所、中科院光電所等組成）研發(fā)；㓎沒式雙工作臺(tái)由華卓精科研發(fā)；㓎液系統(tǒng)則由浙江啟爾機(jī)電研發(fā)，最高支持11nm制程；透鏡及曝光系統(tǒng)則由國望光學(xué)（長春光機(jī)所、上海光機(jī)所等組成）研發(fā)，而上海微電子則負(fù)責(zé)控制系統(tǒng)和總裝。

（注：關(guān)于華卓精科的雙工臺(tái)介紹可參看芯智訊此前文章《打破ASML光刻機(jī)雙工臺(tái)技術(shù)壟斷！華卓精科擬登陸科創(chuàng)板》）

另外值得一提的是，目前中微半導(dǎo)體已成功推出用于5nm制程蝕刻機(jī)，而承擔(dān)“ArF 光刻膠（波長為193nm的ArF激光光源）產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”02 專項(xiàng)項(xiàng)目的南大光電也已研發(fā)出了ArF 光刻膠，此外在光刻工序涂膠顯影設(shè)備上沈陽芯源微電子的涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)、清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)等，也可用于 6 英寸及以下及 8/12 英寸單晶圓處理?？梢哉f，在芯片制造相關(guān)的多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，國內(nèi)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一定的突破。

不過，對(duì)于上海微電子11nm光刻機(jī)將于年底下線傳聞，目前并未有相關(guān)的信息進(jìn)行印證。芯智訊在上海微電子的官網(wǎng)上并未看到相關(guān)新聞，同時(shí)官網(wǎng)上展示的最先進(jìn)的光刻機(jī)仍是上海微電子的600系列光刻機(jī)，只能支持90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝。

此外，芯智訊也并未在網(wǎng)上找到相關(guān)證據(jù)，支持這個(gè)11nm光刻機(jī)將于年底下線的說法。同時(shí)，上海微電子的光刻機(jī)產(chǎn)品一下子從90nm直接跨越到11nm，這個(gè)技術(shù)跨度也確實(shí)有點(diǎn)大，真實(shí)性可能不大。

五、國產(chǎn)28nm光刻機(jī)明年交付，意義何在？

而近期業(yè)內(nèi)傳出的上海微電子將于2021年交付28nm光刻機(jī)的消息則似乎更為靠譜。

芯智訊通過查詢相關(guān)資料也發(fā)現(xiàn)，徐州經(jīng)開區(qū)官網(wǎng)于今年4月16日發(fā)布的一則題為《徐州經(jīng)開區(qū)科益虹源集成電路光刻制造及服務(wù)基地項(xiàng)目開工》的文章當(dāng)中有提及，科益虹源目前正承擔(dān)“02重大專項(xiàng)浸沒光刻光源研發(fā)”、“02重大專項(xiàng)核心零部件國產(chǎn)化能力建設(shè)”、“02重大專項(xiàng)集成電路晶圓缺陷檢測(cè)光源”等國家專項(xiàng)。

到2020年產(chǎn)品將與整機(jī)單位共同完成28nm國產(chǎn)光刻機(jī)的集成工作，對(duì)我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義。

這里需要指出的是，北京科益虹源光電是中國唯一、世界第三家具備高端準(zhǔn)分子激光技術(shù)研究和產(chǎn)品化的公司，同時(shí)也正是上海微電子的光刻機(jī)的光源系統(tǒng)的供應(yīng)商。也就是說，通過上面的這則新聞，我們基本可以確認(rèn)，今年科益虹源承擔(dān)的“02重大專項(xiàng)”研發(fā)的浸沒光刻光源就將與上海微電子共同完成28nm國產(chǎn)光刻機(jī)的集成。

所以，可以確認(rèn)，2021年上海微電子就將完成28nm國產(chǎn)光刻機(jī)的交付。

雖然，這個(gè)28nm光刻機(jī)與ASML目前最先進(jìn)的5nm EUV光刻機(jī)相比，仍有著很大的差距，但是對(duì)于中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及上海微電子自身來說都是意義非凡，而且通過多次曝光，甚至可支持7nm芯片。

隨著摩爾定律的推進(jìn)，制程工藝的難度和生產(chǎn)的工序都大幅增加，同時(shí)成本也大幅增加，特別是進(jìn)入28nm以下制程之后的較長一段時(shí)間，20nm和16/14nm制程的成本一度高于28nm，這是摩爾定律運(yùn)行60多年來首次遇到制程縮小但成本不降反升的問題。這也使得28nm一度作為最具性價(jià)比的制程工藝長期活躍于市場(chǎng)。

即便是隨著20/16/14nm成本的降低，28nm工藝也依然占據(jù)了很大的市場(chǎng)，特別是在格芯、聯(lián)電放棄10nm以下先進(jìn)制程之后，開始將更多的精力放在的成熟制程上，不少晶圓廠還基于28nm推出了在低功耗、防輻射、低軟錯(cuò)誤率、耐高溫和EMC、車載可靠性上更具優(yōu)勢(shì)的FD-SOI工藝，使其更適合物聯(lián)網(wǎng)（IoT）在成本、功耗和性能方面的要求。

雖然目前手機(jī)芯片即將進(jìn)入5nm制程工藝，但是在物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、新型存儲(chǔ)等眾多市場(chǎng)，28nm仍是比較主流的制程工藝節(jié)點(diǎn)。而且28nm以下的40/45/65nm也有著不小的市場(chǎng)。

從全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電的2020年第一季度的營收占比來看，目前28nm占比仍有14%。而其28/40/45/65nm的總體占比更是高達(dá)30%。

顯然，對(duì)于上海微電子來說，其28nm光刻機(jī)的順利推出，將打破國外廠商的對(duì)于IC前端光刻機(jī)市場(chǎng)的壟斷，可覆蓋更為廣闊的市場(chǎng)需求，特別是在國產(chǎn)替代趨勢(shì)之下，將有望大幅提升其光刻機(jī)的出貨量、營收和利潤率。同時(shí)，也將幫助國內(nèi)的晶圓代工廠降低對(duì)于國外半導(dǎo)體設(shè)備的依賴，進(jìn)一步提升半導(dǎo)體制造關(guān)鍵設(shè)備的國產(chǎn)化率，提升中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體實(shí)力。