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[導讀]什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用?它有什么作用?推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無法實現(xiàn)的。

什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用?它有什么作用?推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無法實現(xiàn)的。

安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫O管具有低反向恢復電荷,顯著降低損耗,提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小芯片尺寸進一步增強高頻工作,達至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg(低至220 nC),從而降低在高頻下工作時的開關(guān)損耗。這些增強功能比基于Si的MOSFET提高能效,降低電磁干擾(EMI),并可使用更少(或更小)的無源器件。極強固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命,這對高要求的現(xiàn)代電源應用至關(guān)重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態(tài)特性,減少器件導通時產(chǎn)生的靜態(tài)損耗。

1200 V器件的額定電流高達103 A(最大ID),而900 V器件的額定電流高達118 A。對于需要更高電流的應用,安森美半導體的MOSFET可易于并聯(lián)運行,因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。

安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經(jīng)理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說:“如果設(shè)計工程師要達到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標,他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的損耗,更高的工作溫度,更快的開關(guān)速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡化和加速設(shè)計流程?!?

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物,針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規(guī)和生產(chǎn)件批準程序(PPAP)。所有器件都采用行業(yè)標準的TO-247或D2PAK封裝。以上就是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用解析,希望能給大家?guī)椭?

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