三星發(fā)現(xiàn)全新半導(dǎo)體材料：內(nèi)存、閃存迎來革命

三星電子宣布，三星先進(jìn)技術(shù)研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國家科學(xué)技術(shù)院(UNIST)、英國劍橋大學(xué)，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導(dǎo)體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡稱a-BN，有望推動(dòng)下一代半導(dǎo)體芯片的加速發(fā)展。

近些年，三星SAIT圍繞只有一層原子厚度的2D材料展開了集中攻關(guān)，尤其是圍繞石墨烯取得了多項(xiàng)突破，包括石墨烯勢壘三極管、新的石墨烯晶體管、大面積單晶體晶圓級(jí)石墨烯制造新法等等，并在加速它們的商業(yè)化。

無定形氮化硼擁有無固定形狀的分子結(jié)構(gòu)，內(nèi)部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯，后者也有硼原子、氮原子，不過是六邊形結(jié)構(gòu)，無定形氮化硼則與之截然不同。

三星表示，無定形氮化硼的介電常數(shù)非常之低，只有區(qū)區(qū)1.78，同時(shí)又有很強(qiáng)的電氣和力學(xué)屬性，作為一種互連隔絕材料可以大大減少電子干擾，而且只需400℃的超低溫度，就能成長到晶圓級(jí)別尺寸。

三星認(rèn)為，無定形氮化硼有望廣泛應(yīng)用于DRAM內(nèi)存、NAND閃存的制造，特別適合下一代大規(guī)模服務(wù)器存儲(chǔ)解決方案。

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