瀾起科技：DDR5第一代量產(chǎn)時間預(yù)計明年底，今年完成芯片研發(fā)

8月4日，瀾起科技公布了投資者調(diào)研報告，就公司目前在研項目、研發(fā)進(jìn)度及預(yù)計量產(chǎn)時間、DDR5相關(guān)配套芯片等方面的問題進(jìn)行了回復(fù)。

關(guān)于公司目前在研項目方面，瀾起科技表示，公司目前在研項目主要有三大類：1、接口類芯片。包括DDR5內(nèi)存接口芯片及與其配套芯片(串行檢測芯片(SPD)、溫度傳感器(TS) 、電源管理芯片(PMIC));PCIe 4.0 Retimer芯片。2、津逮服務(wù)器CPU以及混合安全內(nèi)存模組。3、人工智能芯片。

據(jù)了解，瀾起科技已于2019年完成符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR5第一代RCD及DB芯片工程樣片的流片，這些工程樣片于2019年下半年送樣給公司主要客戶和合作伙伴進(jìn)行測試評估，公司計劃在2020年完成DDR5第一代內(nèi)存接口及其配套芯片量產(chǎn)版本芯片的研發(fā)，實際量產(chǎn)時間取決于服務(wù)器生態(tài)的成熟度。 DDR5內(nèi)存模組的配套芯片，將與DDR5內(nèi)存接口芯片、DDR5內(nèi)存顆粒一起組成DDR5內(nèi)存模組整體解決方案。

至于量產(chǎn)時間，瀾起科技表示，根據(jù)行業(yè)普遍預(yù)測，DDR5第一代預(yù)計量產(chǎn)時間為2021年底到2022年上半年。

據(jù)披露，瀾起科技目前合作的晶圓代工廠商主要是臺積電和富士通電子，合作的封裝測試廠商主要是星科金朋和矽品科技。

21ic家注意到，瀾起科技是一家成立于2004年的國內(nèi)知名集成電路設(shè)計公司，在內(nèi)存接口芯片市場深耕十余年，先后推出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5系列高速、大容量內(nèi)存緩沖解決方案，以滿足云計算數(shù)據(jù)中心對數(shù)據(jù)速率和容量日益增長的需求。

所謂內(nèi)存緩沖芯片，是內(nèi)存模組(又稱內(nèi)存條)的核心器件，作為CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，以匹配CPU日益提高的運(yùn)行速度及性能。內(nèi)存緩沖芯片需與內(nèi)存廠商生產(chǎn)的各種內(nèi)存顆粒和內(nèi)存模組進(jìn)行配套，并通過CPU廠商和內(nèi)存廠商針對其功能和性能(如穩(wěn)定性、運(yùn)行速度和功耗等)的嚴(yán)格認(rèn)證，才能進(jìn)入大規(guī)模商用階段。具有較高的技術(shù)門檻，實現(xiàn)成功量產(chǎn)此類芯片的廠商并不多。據(jù)了解，瀾起科技的DDR4內(nèi)存緩沖產(chǎn)品已成功進(jìn)入全球主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計算領(lǐng)域，占據(jù)國際市場的主要份額。

除了DDR類內(nèi)存緩沖芯片外，自2016年以來，瀾起科技與清華大學(xué)、英特爾合作，研發(fā)出了津逮系列服務(wù)器CPU及其平臺，為數(shù)據(jù)中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、混合安全內(nèi)存模組等產(chǎn)品。