OLED顯示屏為何會失效?實(shí)物和參數(shù)對比,看完這篇文章就懂了
OLED失效涉及的問題很多,雖然業(yè)內(nèi)對此已進(jìn)行了大量的研究,但失效的規(guī)律和具體機(jī)理仍然沒有被完全揭示。本文,就來說一說OLED的失效問題。
非本質(zhì)劣化因素
一般來說,只要不是由于元件的結(jié)構(gòu)和材料等基本性質(zhì)所造成的元件衰退,通常就被歸類為非本質(zhì)劣化。
而非本質(zhì)劣化最重要的表現(xiàn)在黑點(diǎn)的增加,當(dāng)不發(fā)光區(qū)域逐漸增加時,將會造成OLED發(fā)光的區(qū)域相對的減少,進(jìn)而影響壽命的問題。
OLED器件中所用的材料大部分是對水汽和氧氣極度敏感的,如果器件沒有封裝,很容易在其發(fā)光區(qū)域發(fā)現(xiàn)很多黑色的不發(fā)光區(qū)域,而且黑色的不發(fā)光區(qū)域會隨著時間的增加而慢慢變大。
黑色區(qū)域的半徑大致與時間的二次方根成正比關(guān)系,這似乎意味著黑色不發(fā)光區(qū)域的形成與某種擴(kuò)散機(jī)制有關(guān)。
由于當(dāng)黑色不發(fā)光區(qū)域增大到一定程度時,我們用肉眼便可看到,所以O(shè)LED器件的壽命問題最早從研究黑點(diǎn)開始的。
本質(zhì)劣化
雖然可以對器件由于外界干擾所造成的不發(fā)光區(qū)域的原因進(jìn)行有效控制,但是發(fā)現(xiàn)器件的發(fā)光區(qū)域即使沒有黑點(diǎn)的產(chǎn)生,其亮度也會隨時間而衰退。
顯然,這種現(xiàn)象不是由于外界所造成的,它是器件的本質(zhì)老化,或者說是由于材料本身的原因所造成的衰退。
現(xiàn)在還沒有形成一個非常明確和完美的理論來解釋目前OLED器件的劣化問題,這也說明OLED器件本質(zhì)劣化因素的復(fù)雜程度。
水汽氧氣對有機(jī)材料的影響
很多研究表明影響有機(jī)EL器件壽命的因素之一是水分子和氧氣的存在對有機(jī)EL材料的作用,特別是水分子起了很大的作用。
但是對于水分子和氧氣是怎樣使有機(jī)層發(fā)生變化的,國內(nèi)外的許多文章提到過這方面的問題,如有機(jī)層的氧化等,但具體的過程不得而知。
發(fā)光面積退化
封裝好的OLED器件在放置一段時間后,有發(fā)光面積減小甚至不能點(diǎn)亮的現(xiàn)象。
經(jīng)觀察發(fā)現(xiàn)這樣的器件的粘接后蓋和鍍有器件材料的玻璃前蓋的環(huán)氧樹脂有空洞。
這意味著封裝氣密性不佳,空氣與器件有直接接觸的可能。器件發(fā)光面積的減小,很可能與這樣的粘結(jié)層空洞有關(guān)。
氧氣和水汽經(jīng)由通道進(jìn)入器件內(nèi)部,對器件的性能產(chǎn)生影響,使器件的發(fā)光面積發(fā)生變化。
空氣環(huán)境下發(fā)光面積的變化及分析
器件開封后立即拍攝,因?yàn)槠骷_封后僅僅在空氣中暴露了幾分鐘的時間,所以可以看到其發(fā)光區(qū)域?yàn)檩^為完整的矩形,四角棱角分明,亮度均勻,紅綠藍(lán)三種顏色相互交替。
通電三十分鐘后,可見發(fā)光區(qū)域己從四角開始模糊。
時間越久變化越大。
器件面積的縮小是從器件邊緣四角開始。這是因?yàn)檠鯕馑饕ㄟ^器件邊緣侵入器件內(nèi)部。
潮濕氮?dú)猸h(huán)境
實(shí)驗(yàn)排除了氧氣的影響,單獨(dú)考察水汽對器件的影響。通過以下操作得到潮濕氮?dú)猸h(huán)境:
1、將開封后的器件置于該系統(tǒng)中
2、連接導(dǎo)線后密閉導(dǎo)管以外的其它部分
3、持續(xù)通氮?dú)庖欢螘r間后完全密閉系統(tǒng)
4、通電觀察拍照
失效器件形貌分析
通過對失效后器件的觀察發(fā)現(xiàn),三種顏色的器件的陰極都有不同程度的氣泡狀突起結(jié)構(gòu)。邊緣和四角處的陰極顏色發(fā)生了變化,在器件內(nèi)部則隨機(jī)分布著氣泡。
陰極顏色發(fā)生變化的區(qū)域產(chǎn)生不發(fā)光區(qū)域,而氣泡處仍能發(fā)光。
SEM顯微照片中可以清晰的看到陰極有大小不一的凸起
凸起處的截面圖
現(xiàn)象分析
陰極顏色發(fā)生變化的原因,主要是氧氣從邊緣進(jìn)入器件內(nèi)部,與陰極作用,使陰極發(fā)生氧化從而產(chǎn)生不發(fā)光區(qū)域。
陰極上氣泡產(chǎn)生的原因是由于制作器件的時候,一些微小的灰塵顆粒先于陰極沉積到有機(jī)層上,而形成針孔,又因?yàn)樗苋菀孜皆谄骷砻?,通過Al電極表面的針孔進(jìn)入器件內(nèi)部,在電流的作用下分解,分解出來的氣體因?yàn)楦邷嘏蛎浘蜁駻I電極產(chǎn)生一定的壓力,使Al電極和有機(jī)層分離,從而產(chǎn)生氣泡。
氣體將陰極頂起,從而形成空洞的凸起結(jié)構(gòu)。陰極與有機(jī)層分離,電子的注入受到影響,從而導(dǎo)致器件上出現(xiàn)不發(fā)光區(qū)域。
水對器件發(fā)光面積退化的影響比氧氣的更為明顯,快速,在水和氧氣的共同作用下,器件將很快失效。因此器件封裝的氣密性對OLED的穩(wěn)定性非常重要。
氣泡面積超出器件邊緣
有機(jī)材料和金屬電極間界面很不平整,當(dāng)器件工作時,形成不均勻的電場,導(dǎo)致某些點(diǎn)電流過大、短路成為“熱點(diǎn)”,氧化金屬電極引起失效,形成黑斑。
同時局部過熱使得有機(jī)材料發(fā)生熔融,而凸起的氣泡為熔融有機(jī)材料的流動提供了空間,于是出現(xiàn)了上圖所示的情況,觀察到有機(jī)材料的溢出,器件上氣泡面積超出器件邊緣的情況。
水汽和氧氣對器件面積退化速率有很大的影響。在有水汽的情況下,通電會導(dǎo)致水分解產(chǎn)生氣體將陰極金屬層頂起,同時為局部過熱導(dǎo)致的熔融態(tài)有機(jī)物流動提供了空間。
未通電區(qū)域則可能發(fā)生有機(jī)物的結(jié)晶,也會影響器件發(fā)光性能。氧氣則會氧化陰極材料和有機(jī)層,導(dǎo)致不發(fā)光區(qū)域的產(chǎn)生。
OLED器件結(jié)構(gòu)分析
OLED為多層有機(jī)薄膜器件,使得對OLED的結(jié)構(gòu)幾乎無法用傳統(tǒng)的表征手段進(jìn)行分析,而各層膜厚度的不同會對OLED的性能產(chǎn)生重要影響。
利用薄膜分析儀對經(jīng)過室溫老化7,10,40天的樣品行測試,得到樣品的反射率曲線,如下圖所示。
為加速器件失效,對老化40天器件的一點(diǎn)通電使其失效,對這個失效點(diǎn)的反射率進(jìn)行測試,并與未失效的器件的反射率圖譜進(jìn)行比較。
選取老化40天的完好樣品和失效樣品進(jìn)行進(jìn)一步的厚度對比測試。老化40天后經(jīng)過通電失效的樣品的厚度測試如圖所示。
下面的表格是厚度平均值對比表(失效點(diǎn)與其他部分12個完好點(diǎn))。為減小計算量,經(jīng)過多次試驗(yàn)后將ITO層和NPB層的厚度固定,只對另兩層的厚度進(jìn)行計算擬合分析。
失效點(diǎn)與完好點(diǎn)的厚度平均值對比
電極引線腐蝕現(xiàn)象
電極引線是連接電壓驅(qū)動與發(fā)光器件的電極的部位,其腐蝕直接破壞驅(qū)動與OLED器件之間的電連接從而導(dǎo)致器件失效。
因此找出電極引線腐蝕發(fā)生的機(jī)理并提出控制方案以減少此類現(xiàn)象的發(fā)生,對提高OLED的可靠性至關(guān)重要。
器件顯示缺陷
導(dǎo)致該現(xiàn)象的腐蝕電極顯微形貌
OLED引線
ITO因具有對可見光和近紅外光透明和高電導(dǎo)率的特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于光電器件中,OLED采用ITO作為透明陽極。
引線與陽極同時采用ITO,這樣圖形可經(jīng)一次光刻工藝成形。
由于單用ITO作為引線電阻率不夠低,Cr金屬鍍層則可提高引線電導(dǎo)率。
同時Cr在空氣中或在室溫氧化性酸的氣氛中能形成致密的表面氧化層,對許多化學(xué)介質(zhì)有抗腐蝕性,在多種環(huán)境中具有優(yōu)良的耐蝕性,所以也可作為引線的保護(hù)層。
實(shí)驗(yàn)分析
為分析引線腐蝕發(fā)生的原因,對電極材料進(jìn)行了極化 曲線測量及分析。
將電極引線材料切割成 10mm&TImes;8mm的小塊,清洗干燥后在一側(cè)繞上導(dǎo)線,并用石蠟松香混合物封裝導(dǎo)線,防止導(dǎo)線暴露在外。留出約 6mm&TImes;8mm的引線材料表面作為工作面。
驗(yàn)介質(zhì)為 0.5mol/L,0.1mol/L的NaCl溶液及人工汗液溶液(含有0.5%氯化鈉、0.1%乳酸、0.1%尿素的去離子充氣水溶液),驗(yàn)溫度控制在25℃。
實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):引線樣品剛發(fā)生腐蝕時,會在樣品表面生成棕色液體,水份蒸發(fā)后形成一層固態(tài)腐蝕產(chǎn)物,殘留在樣品表面。為分析腐蝕產(chǎn)物成分,首先進(jìn)行XRD測試,樣品分別為未腐蝕引線樣品(a)和腐蝕引線樣品(b)。
未腐蝕引線樣品樣品(a)及腐蝕引線樣本(b)的XRD圖譜
樣品(b)在26.77°處出現(xiàn)了Cr(OH)3水合物的衍射峰,而在樣品(a)中該峰未出現(xiàn);同時,樣品(b)中金屬Cr在44.30°和 81.72°的衍射峰度都明顯減弱;這說明在腐蝕過程中,引線樣品中的金屬Cr發(fā)生反應(yīng)生成了Cr(OH)3 。
XPS分析
未腐蝕引線樣品(a)及腐蝕的引線樣品(b)的XPS圖譜
以Cls的結(jié)合能 285ev進(jìn)行結(jié)合能校準(zhǔn),得出樣品(a)中Cr的結(jié)合能峰值為 577.4ev,對應(yīng)Cr2O3 ,其中Cr為正三價;樣品(b)中Cr的結(jié)合能峰值為 579.6ev,對應(yīng)CrO3 ,其中Cr為正六價。由此可知腐蝕過程中產(chǎn)生了正六價的Cr。
此外XPS結(jié)果顯示了Cl元素的存在,離子濃度均為0.1%以上。
樣品形貌
60倍
2000倍
對腐蝕引線樣品進(jìn)行了SEM分析,仔細(xì)觀察可以發(fā)現(xiàn),樣品明顯分為3層臺階。
區(qū)域I為Cr和ITO在光刻工藝中被全部刻蝕掉的部分;區(qū)域Ⅱ?yàn)橐€被完全腐蝕的區(qū)域;區(qū)域Ⅲ為未完全腐蝕區(qū)域;區(qū)域IV為未腐蝕區(qū)域。
EDX測量
為了分辨出每層臺階的成分,EDX能譜分析腐蝕樣品不同部位的元素,確定腐蝕樣品的結(jié)構(gòu)。
腐蝕引線樣品不同區(qū)域的EDX結(jié)果
引線完全腐蝕的區(qū)域Ⅱ,沒有Cr和In元素存在,與區(qū)域I完全相同;區(qū)域Ⅲ的能譜結(jié)果顯示沒有Cr元素而存在In元素;區(qū)域IV為未腐蝕區(qū)域,能譜結(jié)果顯示Cr與In元素均存在。由此可以確定腐蝕的發(fā)生過程是從上而下:表層的Cr先發(fā)生腐蝕,然后是ITO。
極化曲線分析
引線在不同溶液中的極化曲線
在曲線的前半部分體現(xiàn)的是Cr鍍層的性質(zhì),在反應(yīng)中Cr逐漸溶解,曲線的后半部分則體現(xiàn)的是Cr層溶解后露出的ITO的性質(zhì)。
Cr在實(shí)驗(yàn)介質(zhì)中體現(xiàn)了較好的鈍化特性,然而隨著電極點(diǎn)位的升高 ,電流密度也逐漸增加,Cr的溶解速率隨之增大。
在曲線的后半部分可見0.5M的NaCl溶液中的電流密度相對較高,而氯離子濃度相對較低的 0.1MNaCI溶液和人工汗液溶液(氯離子濃度約為0.086M)的電流密度則低得多??梢娐入x子對ITO的腐蝕有著促進(jìn)作用。
腐蝕過程中Cr鍍層反應(yīng)生成Cr(OH)3和CrO3,這是由于反應(yīng)時Cr所處的電位不同所造成的:處于較低電位時,Cr以三價形式溶解;處于較高電位時,Cr發(fā)生過鈍化溶解,以六價形式溶解。
Cr鍍層溶解后,ITO隨后發(fā)生腐蝕。其中氯離子對ITO的腐蝕有促進(jìn)作用:氯離子濃度越高,ITO腐蝕速率越快。
針對以上發(fā)現(xiàn),建議采取以下方式來控制電極引線腐蝕的發(fā)生:
1、光刻工藝中殘留的氯離子會造成Cr的鈍化膜破壞以及加速ITO的腐蝕。建議優(yōu)化清洗工藝,降低殘留含量。
2、防止電極引線腐蝕的發(fā)生,關(guān)鍵是要控制Cr鍍層的腐蝕。建議在電極部分整個涂附一層保護(hù)膜,防止Cr與吸附液體發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。