紅外LED芯片深度評(píng)測(cè):性能能否堪當(dāng)大任
LED已經(jīng)不單單滿足于通用照明市場(chǎng)的份額,隨著下游對(duì)一些特殊細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)的關(guān)注度提升,部分LED芯片廠商開(kāi)始針對(duì)紫外、紅外等領(lǐng)域市場(chǎng)布局,并持續(xù)推陳出新。也正因?yàn)榇?,筆者接下來(lái)將開(kāi)始把更多目光投向這一新興應(yīng)用領(lǐng)域,并針對(duì)開(kāi)發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品推出更多系列評(píng)測(cè)。
晶元光電持續(xù)熱推的型號(hào)ES-SASFPN42D紅外芯片產(chǎn)品,曾“創(chuàng)下全世界發(fā)光效率最高的實(shí)驗(yàn)室紀(jì)錄”而引發(fā)關(guān)注,最近我們拿到20個(gè)該型號(hào)樣品,為一探究竟,我們將樣品納入這一期的測(cè)試與評(píng)估。并特別邀請(qǐng)佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開(kāi)發(fā)中心作為第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)樣品參數(shù)和性能進(jìn)行檢測(cè)。
樣品初始為紅外芯片裸晶狀態(tài),尺寸42milX42mil,厚度6.7mil,為垂直結(jié)構(gòu)芯片,上表面焊點(diǎn)及下表面均為鍍金,如圖1所示。
圖1 芯片外觀
此次實(shí)驗(yàn)室評(píng)測(cè)是基于將該款芯片封裝到5050支架上進(jìn)行性能測(cè)試,可以看到如圖2所示。
圖2 芯片封裝于5050支架
基本光色電性能
首先,利用遠(yuǎn)方光譜分析系統(tǒng)及0.3m積分球(圖3),并隨機(jī)抽取5顆樣品對(duì)該款樣品進(jìn)行了光色電參數(shù)基本測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如表1所示。
圖3 遠(yuǎn)方光譜分析系統(tǒng)及0.3m積分球
表1 基本光色電參數(shù)(@350mA)
隨機(jī)選取的5顆樣品在350mA電流狀態(tài)下,輸出的平均輻射功率為316.4mW,電光轉(zhuǎn)換效率為61.00%,平均峰值波長(zhǎng)為858.9nm,半波寬為35.5nm。
依據(jù)以往測(cè)試結(jié)果和經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,同樣操作條件下,一般紅外芯片電光轉(zhuǎn)換效果大概維持在50%左右,差不多高出約11%,也就是說(shuō),消耗同等電功率的情況下,可以提供較傳統(tǒng)芯片更高的亮度輸出。在一些高紅外照度需求的行業(yè),這在一定程度上可以為創(chuàng)造更高效率的紅外照明解決方案提供基礎(chǔ)。
在表現(xiàn)LED光譜能量分布時(shí)我們常以峰值波長(zhǎng)和光譜半波寬來(lái)作為重要參照。一般由GaAs材料制得的紅外LED在波長(zhǎng)分布上明顯要比其他化合物種類、結(jié)構(gòu)制成的LED要寬,樣品測(cè)得平均峰值波長(zhǎng)858.9nm,一般認(rèn)為,850-950nm范圍已經(jīng)屬于長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外光,與此前一直在受波長(zhǎng)寬幅掣肘的傳統(tǒng)紅外芯片對(duì)比來(lái)看,確實(shí)有不小的進(jìn)步。從峰值波長(zhǎng)曲線對(duì)應(yīng)的半波寬平均值為35.5nm,可以看出光譜寬度還是比較窄的,說(shuō)明在發(fā)光顏色上比較鮮明純凈,十分清晰。
伏安特性曲線
隨機(jī)抽取5個(gè)樣品進(jìn)行伏安特性測(cè)試,結(jié)果如圖4所示。
圖4 伏安特性曲線
LED的性能可用其伏安特性來(lái)描述。圖中曲線反映了電壓與電流變化的關(guān)系,在施加正向電壓較小時(shí),電流變化也很小,幾乎為零,當(dāng)超過(guò)1.2V時(shí),隨著電壓升高,電流迅速增大,變化幅度加大,呈指數(shù)曲線關(guān)系,達(dá)到1.5V電壓狀態(tài)下,工作電流達(dá)到350mA。
當(dāng)超過(guò)“死區(qū)電壓”之后,電壓變化很小的情況下,電流變化很大。業(yè)界一般認(rèn)為,大功率LED工作電流為350mA,在需要進(jìn)行恒流電路供電的狀態(tài)下應(yīng)該考慮LED的過(guò)電流問(wèn)題。當(dāng)然,從曲線來(lái)看,樣品在一定電壓范圍內(nèi),電流處于工作范圍內(nèi),這對(duì)于LED的降低功耗和減少老化周期具有相當(dāng)意義。
光色電性能的溫度變化特性
在遠(yuǎn)方0.3m積分球的基礎(chǔ)上配備專用水冷控溫夾具(圖5),可測(cè)試樣品在不同溫度下的光色電參數(shù)的變化。該測(cè)評(píng)產(chǎn)品的光色電參數(shù)結(jié)果如圖6~圖9所示。
圖5 0.3m積分球(配有專用水冷控溫夾具)
1)正向電壓-溫度變化特性(@350mA)
圖6 正向電壓-溫度變化曲線
2)輻射功率維持率-溫度變化特性(@350mA):
圖7 輻射功率維持率-溫度變化曲線
3)電光轉(zhuǎn)換效率-溫度變化特性(@350mA):
圖8 電光轉(zhuǎn)換效率-溫度變化曲線
4)峰值波長(zhǎng)及半波寬-溫度變化特性(@350mA):
圖9 峰值波長(zhǎng)及半波寬-溫度變化特性
由圖7與圖9可以看出,該款產(chǎn)品在20℃到80℃的溫度變化下,輻射功率衰減了9%左右,衰減率約為0.15%/℃;峰值波長(zhǎng)隨溫度升高產(chǎn)生紅移,變化率約為0.23nm/℃。
不同電流下的光色電性能
1)輻射功率隨電流變化特性:
圖10 輻射功率-電流曲線
2)電光轉(zhuǎn)換效率隨電流變化特性:
圖11 電光轉(zhuǎn)換效率-電流曲線
由圖10~圖11可以看出,輻射功率隨著工作電流的增加而線性增加,電光轉(zhuǎn)換效率則隨著工作電流的增加而線性減少。
高溫高濕老化
圖12 輻射通量維持率隨溫度變化
基于時(shí)間與成本的考慮,我們進(jìn)行了336h高溫高濕環(huán)境下的老化測(cè)試。
老化條件為85℃ & 85%RH,350mA電流點(diǎn)亮,我們?cè)?h、168h、336h分別作了光色電性能測(cè)試,計(jì)算,輻射功率維持率在168h之后基本保持在98.8%的水平,在一定程度上可以認(rèn)為此款樣品經(jīng)過(guò)老化后性能保持穩(wěn)定。
小結(jié):
從轉(zhuǎn)向特殊細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)甫一開(kāi)始,安防、醫(yī)療、汽車等領(lǐng)域就是這類紅外芯片產(chǎn)品劍指的目標(biāo),隨著越來(lái)越多企業(yè)參與進(jìn)來(lái),產(chǎn)品線越來(lái)越豐富,紅外照明技術(shù)依舊面臨諸多亟需突破的瓶頸,電光轉(zhuǎn)換效率、波長(zhǎng)寬度、產(chǎn)品功耗以及穩(wěn)定性都需進(jìn)一步精進(jìn)。此款紅外芯片產(chǎn)品從一發(fā)布便引發(fā)關(guān)注,依測(cè)試結(jié)果來(lái)看,其在光色表現(xiàn)和穩(wěn)定性上堪稱優(yōu)秀,同時(shí)溫度變化條件下的光色電性能能夠保持在相對(duì)較小范圍內(nèi)的波動(dòng),可適應(yīng)多種環(huán)境和領(lǐng)域的應(yīng)用需要。