臺積電確認N12e制程工藝：同頻性能提升49%

據(jù)了解，在臺積電第26屆技術研討會上，臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產(chǎn)中，3nm、4nm明年試產(chǎn)后年量產(chǎn)外，也將老邁的12nm進行了全新升級。

新制程工藝節(jié)點名為N12e，綠色LOGO極為醒目，突出的就是其在能耗上的極佳表現(xiàn)。

N12e支持的Vdd電壓能夠做到0.4V，可以說完美適配IoT設備。事實上臺積電的規(guī)劃就是，面向5G處理器、基帶、無線耳機、智能手表、VR、可穿戴設備、入門級SoC等場景領域服務。

具體來說，N12e要取代的是22ULL，可帶來76%的邏輯密度提升，給定功耗下49%的頻率提升、給定性能下55%的功耗減少以及SRAM尺寸50%的縮減。

參照臺積電今年二季度的營運報告，雖然7nm在營收上份額上已達36%，妥妥第一大印鈔機，但16nm(12~16nm)還保有著18%的份額，是絕對的中堅，不可忽視。另外，第三大晶圓廠GF(格芯)退出10nm以下制程研發(fā)后，也是全力優(yōu)化12~14nm工藝，爭搶IoT、低功耗SoC市場的代工份額。

最后，說到臺積電12nm的忠實伙伴，NVIDIA絕對要提，從Volta一路走到當下的Turing，可都是12nm加持，“忠心耿耿”。