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[導(dǎo)讀]近期,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出,第三代半導(dǎo)體的火爆,一方面受?chē)?guó)家政策面影響:另外有消息稱,中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國(guó)內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好,支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績(jī)。

近期,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出,第三代半導(dǎo)體的火爆,一方面受?chē)?guó)家政策面影響:另外有消息稱,中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國(guó)內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好,支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績(jī)。

一、“第三代半導(dǎo)體”是何方神圣?

中芯國(guó)際創(chuàng)始人兼原CEO、中國(guó)半導(dǎo)體奠基人張汝京曾在8月份舉辦的“中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流峰會(huì)”上這樣闡釋第三代半導(dǎo)體:

第一代半導(dǎo)體材料以和硅為主,因?yàn)榧夹g(shù)開(kāi)發(fā)得好,所以現(xiàn)在很少用到鍺,用硅比較多;

第二代半導(dǎo)體材料中,常用的是砷化鎵和磷化銦,但由于砷有毒,所以很多地方不允許使用,所以第二代半導(dǎo)體材料在高速功率放大器中應(yīng)用得比較多、LED里也會(huì)用到;

第三代半導(dǎo)體出現(xiàn)了更好的材料,有碳化硅、氮化鎵、氮化鋁等。碳化硅用在高電壓、大功率等方面有特別優(yōu)勢(shì)。而人們最熟悉的應(yīng)用,則是在新能源汽車(chē)?yán)?,比如特斯拉的Model 3就有用到。氮化鎵則在高頻的功放器件上用得很多,氮化鋁有特殊用途,民用較少。

有消息稱,中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃之中,計(jì)劃在2021到2025年的五年之內(nèi),舉全國(guó)之力,在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持,以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

在我國(guó)發(fā)力“新基建”的背景下,第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月,國(guó)家發(fā)改委首次官宣“新基建”的范圍,正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等七大領(lǐng)域的發(fā)展方向。而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為首的第三代半導(dǎo)體是支持“新基建”的核心材料。

比如,以氮化鎵(GaN)為核心的射頻半導(dǎo)體,支撐著5G基站及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè);以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體,支撐著新能源汽車(chē)、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè)。

二、國(guó)內(nèi)外大廠紛紛“卡位”

全球范圍內(nèi),半導(dǎo)體大廠紛紛布局,IDM廠商意法半導(dǎo)體購(gòu)并NorstelAB以及法國(guó)Exagan、英飛凌收購(gòu)Siltectra,以及日商ROHM收購(gòu)SiCrystal等事件都頗受業(yè)界關(guān)注。

國(guó)內(nèi)方面,不少?gòu)S商也開(kāi)始圍繞第三代半導(dǎo)體“排兵布陣”。比如,海特高新(002023,股吧)子公司海威華芯建立了國(guó)內(nèi)第一條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。據(jù)稱,其技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)外同行業(yè)先進(jìn)水平,部分產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。賽微電子涉及第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù),主要包括GaN(氮化鎵)材料的與器件的設(shè)計(jì)。

三安光電在長(zhǎng)沙設(shè)立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,目前項(xiàng)目正處于建設(shè)階段。聚燦光電(300708,股吧)目前產(chǎn)品涉及氮化鎵的研發(fā)和生產(chǎn),外延片的技術(shù)就是研發(fā)氮化材料的生長(zhǎng)技術(shù),芯片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵芯片的制作技術(shù)。

露笑科技也在今年8月投資了100億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園。露笑科技(002617,股吧)與合肥市長(zhǎng)豐縣人民政府簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,包括但不限于碳化硅等第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括碳化硅晶體生長(zhǎng)、襯底制作、外延生長(zhǎng)等的研發(fā)生產(chǎn),項(xiàng)目投資總規(guī)模預(yù)計(jì)100億元。

華為旗下的哈勃科技投資有限公司早在2019年8月份投資了碳化硅龍頭企業(yè)山東天岳,持股10%;聯(lián)想也斥資近10億元戰(zhàn)略投資安防視頻監(jiān)控領(lǐng)域的芯片企業(yè)富瀚微(300613,股吧)。

據(jù)張汝京介紹,第三代半導(dǎo)體的設(shè)備并不是特別貴,投資不需要很大,他估計(jì),一個(gè)工廠,不算廠房和土地,設(shè)備10億-20億就可以了。在他看來(lái),國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的掣肘在于人才,這在國(guó)內(nèi)比較稀缺。

但它的材料不容易做,設(shè)計(jì)上要有特別的優(yōu)勢(shì)。投資方更需要考慮的是市場(chǎng)、投資回報(bào)率、政府支持度和好的技術(shù)團(tuán)隊(duì),在他看來(lái),真正有經(jīng)驗(yàn)做第三代半導(dǎo)體的人在國(guó)內(nèi)并不多。

三、國(guó)產(chǎn)替代空間幾何?

我國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),消費(fèi)量占全球比重超40%,根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元,同比增長(zhǎng)15.77%。但需要注意的是,我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)品仍以進(jìn)口為主。據(jù)CSIA數(shù)據(jù)顯示,2020上半年,我國(guó)集成電路銷(xiāo)售額為3539億元;而據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示,2020上半年我國(guó)集成電路產(chǎn)品進(jìn)口額達(dá)1546.1億美元(約合10567.59億人民幣),遠(yuǎn)高于本土集成電路銷(xiāo)售額。

為何目前第三代半導(dǎo)體材料的比重仍然較低,業(yè)內(nèi)人士指出,量產(chǎn)的困難仍是業(yè)界最大的挑戰(zhàn)。架橋資本合伙人童亮亮接受記者采訪時(shí)表示,半導(dǎo)體材料的量產(chǎn)低主要原因是:碳化硅的單晶需要在2000度的高溫和350MPa條件下生成,生長(zhǎng)速度是硅的1/3甚至1/5。它可能生長(zhǎng)成為200多種不同的晶態(tài),一點(diǎn)點(diǎn)溫度、壓力和氣體環(huán)境的偏差都會(huì)得到不同的結(jié)果。要在這么嚴(yán)苛的條件下生長(zhǎng)出符合要求的大尺寸無(wú)缺陷的材料是非常難的。氮化鎵襯底可以選用硅、碳化硅等,但是晶格失配的問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重限制長(zhǎng)晶的速度和成品率。國(guó)外公司也是用了幾十年的時(shí)間才部分解決了量產(chǎn)問(wèn)題?!拔覀儾艅倓偲鸩?,需要做的功課還很多?!蓖亮琳f(shuō)。

在市場(chǎng)應(yīng)用方面,童亮亮表示,因?yàn)槠淞己玫臒釋?dǎo)率、超高的擊穿電場(chǎng)等特性,以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料在電力電子和通信等領(lǐng)域會(huì)占據(jù)越來(lái)越多的份額。但是即使在這些領(lǐng)域,因?yàn)槌杀镜脑蚬枰策€是會(huì)占據(jù)大部分市場(chǎng)份額。在其他領(lǐng)域,硅依然會(huì)占據(jù)95%以上的市場(chǎng)?!白钕冗M(jìn)的數(shù)字芯片制程一定是用硅做的,硅是不可替代的半導(dǎo)體材料,是我們芯片自主可控的主戰(zhàn)場(chǎng)?!?

四、半導(dǎo)體板塊火爆,跟還是不跟?

9月4日,有關(guān)第三代半導(dǎo)體材料納入國(guó)家戰(zhàn)略的消息讓半導(dǎo)體板塊火了一把,板塊整體大漲,其中不乏創(chuàng)業(yè)板中的半導(dǎo)體公司如乾照光電(300102,股吧)、聚燦光電直接被頂上20%的漲停板,賺錢(qián)效應(yīng)明顯。

而在9月7日早盤(pán),第三代半導(dǎo)體繼續(xù)爆發(fā),但在隨后有所回落,但由中證指數(shù)公司編制的中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備指數(shù)已達(dá)6476點(diǎn),較年初時(shí)上漲了38%。機(jī)構(gòu)對(duì)第三代半導(dǎo)體后市如何展望?哪些細(xì)分板塊會(huì)受關(guān)注?

美港資本創(chuàng)始合伙人張李沖接受記者采訪時(shí)表示,當(dāng)前半導(dǎo)體板塊的上漲,最主要的推動(dòng)邏輯是來(lái)自于政府對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前所未有的扶持力度,近幾年也能看出政府對(duì)扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的態(tài)度和決心非常堅(jiān)決。

目前來(lái)看,雖然我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域仍以進(jìn)口為主,但中低端的替代趨勢(shì)已經(jīng)非常明顯,高端部分則尚需時(shí)日。

從估值來(lái)看,張李沖認(rèn)為,雖然經(jīng)過(guò)一定程度的調(diào)整,但目前半導(dǎo)體行業(yè)的個(gè)股估值普遍較高,意味著市場(chǎng)給予了較大的預(yù)期,從長(zhǎng)期看,半導(dǎo)體行業(yè)將是我國(guó)未來(lái)最重點(diǎn)的發(fā)展領(lǐng)域,從投資角度而言,他認(rèn)為需要等待國(guó)際因素等不確定性風(fēng)險(xiǎn)充分釋放后,選取相對(duì)影響小、替代空間較大的個(gè)股進(jìn)行戰(zhàn)略布局。

除了政策和事件的驅(qū)動(dòng)之外,私募排排網(wǎng)未來(lái)星基金經(jīng)理夏風(fēng)光認(rèn)為,人工智能、大數(shù)據(jù)等賽道的素質(zhì)優(yōu)異,也是部分個(gè)股增長(zhǎng)較快、市場(chǎng)關(guān)注度高的原因。“目前我國(guó)擁有半導(dǎo)體最大的市場(chǎng)和不斷更迭的技術(shù)應(yīng)用,未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代的空間會(huì)非常大,加上面臨海外局勢(shì)動(dòng)蕩多變,在此背景下,加快半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是必然的趨勢(shì)?!毕娘L(fēng)光表示。

但是,在他看來(lái),需要注意的是,在板塊平均估值較高、行業(yè)逐漸成熟的過(guò)程中,集中度也在不斷提升,最終可能只有少部分企業(yè)成為最終的贏家,所以要注意把握企業(yè)的成長(zhǎng)價(jià)值,避免跟風(fēng)炒作概念。

而從科技發(fā)展的層次來(lái)看,在中期內(nèi)可以預(yù)期的,應(yīng)該是新能源車(chē)、5G通信等相關(guān)行業(yè)。

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