由UNIST能源與化學(xué)工程學(xué)院的李俊熙教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組提出了一種新的物理現(xiàn)象，該現(xiàn)象有望將指甲大小的存儲芯片的存儲容量提高1,000倍。
研究小組認(rèn)為，這將為直接集成到硅技術(shù)中的最終致密的逐單元鐵電開關(guān)設(shè)備提供意想不到的機會。鐵電隨機存取存儲器（FeRAM或FRAM）通過極化現(xiàn)象來存儲信息，其中電偶極子（如鐵電內(nèi)部的NS磁場）被外部電場對準(zhǔn)。
FeRAM已成為替代現(xiàn)有DRAM或閃存的下一代存儲半導(dǎo)體，因為它速度更快，功耗更低，甚至在電源關(guān)閉后仍能保留存儲的數(shù)據(jù)。但是，F(xiàn)eRAM的主要缺點之一是存儲容量有限。
因此，為了增加其存儲容量，有必要通過減小芯片尺寸來集成盡可能多的設(shè)備。對于鐵電體，物理尺寸的減小導(dǎo)致極化現(xiàn)象的消失，該極化現(xiàn)象有助于將信息存儲在鐵電材料中。
這是因為鐵電疇的形成（發(fā)生自發(fā)極化的微小區(qū)域）至少需要成千上萬個原子。因此，當(dāng)前對FRAM技術(shù)的研究集中在減小域大小的同時保持存儲容量。
圖1：比較當(dāng)前（左）和新（右）FeRAM的示意圖Lee教授及其研究小組發(fā)現(xiàn)，通過向稱為鐵電氧化Ha（HfO2）的半導(dǎo)體材料中添加一滴電荷，可以控制四個單獨的原子來存儲1位數(shù)據(jù)。
這項開創(chuàng)性的研究顛覆了現(xiàn)有的范例，該范例最多只能在數(shù)千個原子的組中存儲1位數(shù)據(jù)。正確使用后，半導(dǎo)體存儲器可以存儲500 Tbit / cm2，是當(dāng)前可用閃存芯片的1,000倍。
該研究小組希望，他們的發(fā)現(xiàn)將為開發(fā)半納米制造工藝技術(shù)鋪平道路，這對于半導(dǎo)體行業(yè)來說是一項開創(chuàng)性的成就，因為半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)面臨著當(dāng)前10納米技術(shù)的極限。
Lee教授說：“能夠在單個原子中存儲數(shù)據(jù)的新技術(shù)是地球上最高級的存儲技術(shù)，它不會分裂原子。預(yù)計該技術(shù)將有助于加速進(jìn)一步縮小半導(dǎo)體尺寸的努力?！?/p>
Lee教授說：“ HfO2在當(dāng)今的存儲晶體管中很常用，通過應(yīng)用這種技術(shù)，有望將數(shù)據(jù)存儲容量擴(kuò)大1000倍?！边@項革命性發(fā)現(xiàn)已于2020年7月2日發(fā)表在《科學(xué)》雜志上。
能夠在單個原子中存儲數(shù)據(jù)的“科學(xué)”雜志已經(jīng)發(fā)表了該論文，因此有望刺激半導(dǎo)體行業(yè)的飛躍性創(chuàng)新。最新發(fā)現(xiàn)還可能為開發(fā)半納米制造工藝技術(shù)鋪平道路，這對于半導(dǎo)體行業(yè)來說是一項開創(chuàng)性的成就，因為半導(dǎo)體行業(yè)目前正面臨著10納米制程工藝技術(shù)的極限。
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