[導(dǎo)讀]FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）在當(dāng)前的晶圓代工領(lǐng)域可謂是大放異彩的核心技術(shù)，臺積電甚至打算一路用到3nm時代。 不過，不為認知的是，三星在過去4年的時間內(nèi)，深陷FinFET專利侵權(quán)案中，直到最近才了結(jié)。
FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）在當(dāng)前的晶圓代工領(lǐng)域可謂是大放異彩的核心技術(shù)，臺積電甚至打算一路用到3nm時代。
不過，不為認知的是，三星在過去4年的時間內(nèi)，深陷FinFET專利侵權(quán)案中，直到最近才了結(jié)。
官司的原告是韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST），其在2001年在美國和韓國提交了FinFET技術(shù)相關(guān)專利，由韓國科學(xué)技術(shù)院與首爾大學(xué)教授Lee Jong-ho合作開發(fā)。
2016年11月29日的時候，韓國科學(xué)技術(shù)院在美國德克薩斯對三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了FinFET專利侵權(quán)訴訟。據(jù)說，Intel是乖乖交過了相關(guān)“保護費”。
2018年6月和2019年2月，KAIST先后兩次起訴三星，聲稱后者生產(chǎn)的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手機應(yīng)用處理器均涉侵權(quán)之列，要求4億美元賠償。今年2月，法院判令三星賠償2億美元。
目前，該案已和解，和解細節(jié)不詳。
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來源：快科技
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