你知道200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列（eGaN?FET）嗎？

時(shí)間：2020-10-20 16:07:37

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[導(dǎo)讀]什么是200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列(eGaN?FET)?新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。

什么是200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列(eGaN®FET)?新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉(zhuǎn)換器的理想功率器件。

增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eGaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出的兩款200 V eGaN FET(EPC2215和EPC2207)，性能更高而同時(shí)成本更低，目前已有供貨。采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應(yīng)用十分廣闊，包括D類音頻放大器、同步整流器、太陽(yáng)能最大功率點(diǎn)跟蹤器(MPPT)、DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關(guān)和諧振式)，以及多電平高壓轉(zhuǎn)換器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%，而性能卻倍增。與基準(zhǔn)硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。 EPC2215的導(dǎo)通阻抗降低了33%，但尺寸卻縮小了15倍。其柵極電荷(QG)較基準(zhǔn)硅MOSFET器件小十倍，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復(fù)電荷(QRR)，從而使得D類音頻放大器可以實(shí)現(xiàn)更低的失真，以及實(shí)現(xiàn)更高效的同步整流器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更高的性能，而且其成本與傳統(tǒng)MOSFET器件相若。氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢(shì)日益明顯。”

EPC公司與得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的半導(dǎo)體功率電子中心(SPEC)合作開發(fā)了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無(wú)橋整流器，適用于數(shù)據(jù)中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2215)。得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的Alex Huang教授說(shuō)：“ 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)的優(yōu)越特性使得轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度、超高效率和低諧波失真?！币陨暇褪?00 V 氮化鎵產(chǎn)品系列(eGaN®FET)解析，希望能給大家?guī)椭?