Diodes Incorporated 推出符合車用規(guī)范 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET

【2020 年 10 月 27 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司今日宣布推出符合車用規(guī)范的 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代兩個分立式 MOSFET，以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間，包括電動座椅控制以及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。

「汽車的電子零件數(shù)量在過去的十年中迅速增加，激發(fā)出對持續(xù)創(chuàng)新的需求?！笵iodes Incorporated 車用產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Ian Moulding 如上表示?！肝覀儗@項需求的響應(yīng)擴大了公司的口碑，成為汽車業(yè)界值得信賴的供貨商?！?

「Diodes 在這個市場中已經(jīng)連續(xù)六年創(chuàng)下兩位數(shù)成長的亮眼表現(xiàn)?！筂oulding 繼續(xù)說道?！窪MT47M2LDVQ 這個例子顯示我們?nèi)绾螏椭囆袠I(yè)解決其在開發(fā)新一代汽車時面臨的技術(shù)與商業(yè)挑戰(zhàn)?！?

DMT47M2LDVQ 整合了兩個 n 信道增強模式 MOSFET，并就此配置實現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 時僅為 10.9mΩ。在如此低的導(dǎo)通電阻下，無線充電或馬達(dá)控制等產(chǎn)品應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 時，典型的柵極電荷為 14.0nC，將交換損耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高導(dǎo)熱效率 PowerDI® 3333-8 的結(jié)殼間熱阻 (Rthjc) 為 8.43°C/W，可以開發(fā)出比單獨封裝 MOSFET 功率密度更高的終端產(chǎn)品應(yīng)用。如此便能減少實作汽車功能 (諸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面積。

DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等級規(guī)范，能支持 PPAP 文件，且以 IATF 16949 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施制造。