可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換的獨(dú)立 MOSFET

在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的獨(dú)立 MOSFET嗎?

Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。

功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。

DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)?，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。

功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型;對(duì)于N(P)溝道器件，柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

PowerDI® 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來良好的散熱效能，降低整個(gè)解決方案的運(yùn)作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。

MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系，使用者無法降低Cin， 但可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻Rs減小時(shí)間常數(shù)，加快開關(guān)速度，MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時(shí)間在10— 100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。

DMN3012LEG 整合兩個(gè) N 信道的增強(qiáng)模式 MOSFET，非常適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。此組件使用橫向擴(kuò)散 MOS (LDMOS) 制程，結(jié)合快速導(dǎo)通和間斷動(dòng)作，Q1 延遲時(shí)間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時(shí)僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時(shí)則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時(shí)支持 5V 閘極驅(qū)動(dòng)。

以上就是獨(dú)立 MOSFET的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料解析，希望在大家剛接觸的過程中，能夠給大家一定的幫助，如果有問題，也可以和小編一起探討。