使得Easy 1B和2B產(chǎn)品系列更趨完備的電流額定值模塊

隨著社會(huì)的快速發(fā)展，我們的電流額定值模塊也在快速發(fā)展，那么你知道電流額定值模塊的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。

英飛凌科技股份公司(FSE： IFX / OTCQX： IFNNY)為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。這使得Easy 1B和2B產(chǎn)品系列更趨完備，現(xiàn)在可通過(guò)結(jié)合最新的芯片技術(shù)，以PIM拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)高達(dá)11 kW的功率解決方案，或以六單元拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)高達(dá)22 kW的功率解決方案?？蛻艨梢赃@樣選擇：要么用IGBT7技術(shù)替換IGBT4來(lái)提高使用Easy 2B模塊的系統(tǒng)功率，要么在特定情況下用Easy 1B IGBT7替換Easy 2B IGBT4，減小獲得相同功率所需的占板面積。與之前推出的TRENCHSTOP IGBT7 Easy模塊一樣，新的電流額定值的模塊完全符合工業(yè)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)需要。

IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來(lái)更高功率密度，大大降低損耗，并實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。結(jié)合此新型芯片技術(shù)的所有模塊均設(shè)計(jì)成與上一代TRENCHSTOP IGBT4模塊引腳向下兼容。這有助于制造商縮短針對(duì)全新逆變器平臺(tái)的設(shè)計(jì)周期。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微溝槽技術(shù)，靜態(tài)損耗較之IGBT4芯片低得多，其導(dǎo)通電壓降低了20%。這樣可以大大降低應(yīng)用中的損耗，特別是對(duì)于通常以中等開關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器而言。 全新功率模塊允許的最高過(guò)載結(jié)溫為175°C。此外，它們有更軟的開關(guān)特性。

以上就是電流額定值模塊的有關(guān)知識(shí)的詳細(xì)解析，需要大家不斷在實(shí)際中積累經(jīng)驗(yàn)，這樣才能設(shè)計(jì)出更好的產(chǎn)品，為我們的社會(huì)更好地發(fā)展。