“新基建”的2020與2021

作者：王潔

文章來源：電子技術應用

2020年注定是不平凡的一年，新冠疫情突如其來，擾亂了我們正常的學習、生活、工作，對全球經(jīng)濟也造成了巨大的沖擊。與此同時，“新基建”在這一年頻頻被刷屏，成為中國經(jīng)濟的一大“熱詞”。

2020年4月20日，國家發(fā)改委首次明確了新型基礎設施的范圍，包括信息基礎設施、融合基礎設施、創(chuàng)新基礎設施三個方面。2020年5月22日，“新基建”正式寫入政府工作報告?！秷蟾妗诽岢觯骸凹訌娦滦突A設施建設，發(fā)展新一代信息網(wǎng)絡，拓展 5G 應用，建設充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級?！碑斍?，官媒蓋章的“新基建”主要包括七大領域：5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)。

近期，《電子技術應用》邀請了具有廣泛代表性的多家半導體廠商，一同就“新基建”的話題，回顧2020、展望2021！

▲安森美半導體中國區(qū)銷售副總裁

謝鴻裕(Roy Chia)

問題1.2020年，我國的“新基建”戰(zhàn)略對于半導體行業(yè)帶來了哪些主要影響？

謝鴻裕：新基建帶來了可持續(xù)增長的新動力并帶動半導體產(chǎn)品技術升級創(chuàng)新，應用終端的升級和產(chǎn)品迭代對芯片數(shù)據(jù)處理能力、傳輸帶寬、存儲能力等提出了更高要求，同時促使行業(yè)構建良性生態(tài)。

問題2.貴公司如何看待“新基建”？對于公司業(yè)務在“新基建”領域的發(fā)展，有哪些專門的策略和舉措？

謝鴻裕：新基建將持續(xù)推動創(chuàng)新，促進新興技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，培育新經(jīng)濟增長點。新基建領域都是安森美半導體聚焦的策略增長領域，安森美半導體將抓住這利好政策帶來的機遇，充分發(fā)揮在半導體的技術、品質、規(guī)模、運營、供應鏈和客戶群的優(yōu)勢，推動新基建領域的高能效創(chuàng)新。

問題3.對于2021年“新基建”對半導體行業(yè)的影響，有哪些分析和預判？

謝鴻裕：中國國家十四五規(guī)劃中明確提出將加快新基建進度，大力支持發(fā)展半導體，尤其是第三代寬禁帶半導體。半導體作為很多應用的基礎，將引領新一輪創(chuàng)新。

問題4.對于“新基建”所涉及的具體領域（5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源充電樁、軌道交通、特高壓），請從以下三方面回答：

（1）該領域的發(fā)展對半導體行業(yè)帶來了哪些機遇和挑戰(zhàn)？

（2）貴公司在該領域有哪些產(chǎn)品、解決方案及服務？

（3）2021年有哪些新的半導體技術及產(chǎn)品有望在該領域得到較大發(fā)展？

謝鴻裕：5G和人工智能(AI)的兩個大趨勢將處于技術創(chuàng)新的最前沿，并開始以有趣的方式融合。

AI將用于識別大量數(shù)據(jù)中的模式，快速解決復雜問題，耗盡可能的迭代并得出解決方案，而這要比人類快得多。如果AI是“內(nèi)容”，那么5G則是“方式”。驅動AI所需的信息量將無處不在。萬物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、 5G的擴展將使生成的數(shù)據(jù)量呈陡峭上升趨勢，供高能效數(shù)據(jù)中心處理。而5G是將數(shù)據(jù)從其起點移動到需要的地方的超高速骨干。5G傳輸?shù)臄?shù)據(jù)大部分最終會存儲在云中，服務器和算法便可以利用這些數(shù)據(jù)來優(yōu)化我們的世界。而所有這些感知、傳輸和計算都需要電源半導體。

安森美半導體提供電源管理應用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應用的中央處理器(CPU)/圖形處理器(GPU)/網(wǎng)絡處理器(NPU)，提供中壓 MOSFET應用于 5G 基礎設施市場和數(shù)據(jù)中心的電源管理，包括先進的碳化硅(SiC)方案，以實現(xiàn)更高能效和功率密度。為最大化數(shù)據(jù)中心能效，高能效的云電源方案至關重要。安森美半導體的云電源方案比競爭方案高0.5%的能效，令超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心使用壽命期內(nèi)節(jié)能約3800萬美元。

AI對更高像素分辨、理解和判斷能力的傳感器的需求提升，同時需要降低功耗。

安森美半導體具有全面的感知模式，為AI的視覺系統(tǒng)提供高性能圖像、激光雷達、毫米波雷達、傳感器融合的深度感知，并以3D成像、高光譜和多光譜成像為未來的方向，把未來的挑戰(zhàn)移植到摩爾定律，用半導體的方法來解決，從而推動AI的進步。

IoT涵蓋很多細分領域，如智能家居、資產(chǎn)監(jiān)控、工業(yè)自動化、智慧零售、智能物流、智能樓宇、智慧醫(yī)療等等，承載了大數(shù)據(jù)、云計算、邊緣計算和人工智能等技術。安森美半導體提供廣泛的IoT賦能方案，包括聯(lián)接、感知、高能效電源管理、控制和保護等構建模塊和可配置的節(jié)點到云的平臺，推動各細分領域的創(chuàng)新。

隨著新能源汽車配合節(jié)能減排趨勢的發(fā)展，消費者期待充電樁達到更高的峰值能效以節(jié)省充電時間和增加續(xù)航里程。隨著功率增加和速度要求的提高，對MOS和 SiC的需求越來越強。

中國是目前世界上電動汽車發(fā)展最快的國家之一， SiC功率方案有助于提高電動汽車的能效，實現(xiàn)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的目標。采用SiC方案將比硅方案小10倍，充電時用電量少60%，達到99%的峰值能效。安森美半導體為電動/混動汽車及充電樁提供寬廣的符合車規(guī)的方案，包括高性能MOSFET、IGBT及SiC產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)更高能效、更環(huán)保、更快、更小、更輕、更高性價比和更快冷卻的優(yōu)勢。

針對特高壓，基于 SiC、氮化鎵(GaN)的第三代寬禁帶半導體材料突破硅的性能，如SiC比硅介電擊穿場強高10倍，電子飽和速率高2倍，能帶隙高3倍，熱導率高3倍，非常適合太陽能和服務器電源等高壓、高頻的應用場合。

安森美半導體具備獨一無二的寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)，包括650 V SiC 二極管、1200 V SiC 二極管、1700 V SiC 二極管、650 V SiC MOSFET、750 V SiC MOSFET 、900 V SiC MOSFET、1200 V SiC MOSFET、1700 V SiC MOSFET、GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)、GaN驅動器等分立器件及模塊，乃至仿真模型及軟件設計，且所有SiC都符合車規(guī)，并結合垂直整合和開放供應鏈，以確保持續(xù)的成本改善和供應的連續(xù)性以支持預期的增長。

未來，安森美半導體將持續(xù)大幅地在寬禁帶領域進行持續(xù)投入和生態(tài)的運營，并和業(yè)內(nèi)重點客戶建立緊密的合作關系，包括聯(lián)合實驗室、共同開發(fā)等形式。