STM32F1和GD32F1有什么區(qū)別
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然后,有很多公司開始了尋找其他廠家MCU代替STM32的方案,在國(guó)內(nèi)最有效替代STM32的非GD32莫屬了。
想要最有效替代,就需要了解他們之間的差異,下面簡(jiǎn)單描述一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片的一些差異。
GD32屬于北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱兆易創(chuàng)新)開發(fā)的一款(系列)MCU。
兆易創(chuàng)新成立于2005,在2013年正式推出了第一款Cortex-M內(nèi)核的MUC(GD32F1)。
據(jù)說(shuō)開發(fā)的人員是來(lái)自ST公司的,GD32也是以STM32為模板做出來(lái)的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的,有些型號(hào)MCU可以做到無(wú)縫替換。
不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品,不可能所有東西都沿用STM32,有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說(shuō)了,下面我給大家講一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片不同的地方。
內(nèi)核區(qū)別 GD32采用二代的M3內(nèi)核,STM32主要采用一代M3內(nèi)核,下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表,GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BUG。
使用HSE(高速外部時(shí)鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大72M。
主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會(huì)更快,項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏,各種開方運(yùn)算,電機(jī)控制等操作,GD32是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。
外部供電:GD32外部供電范圍是2.6 ~ 3.6V,STM32外部供電范圍是2 ~ 3.6V,GD的供電范圍比STM32相對(duì)要窄一點(diǎn)。
內(nèi)核電壓:GD32內(nèi)核電壓是1.2V,STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低,所以GD的芯片在運(yùn)行的時(shí)候運(yùn)行功耗更低。
GD32的Flash是自主研發(fā)的,和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度:GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度:ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時(shí)間關(guān)系:0等待周期,當(dāng)0
Flash擦除時(shí)間:GD擦除的時(shí)間要久一點(diǎn),官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號(hào), Page Erase 典型值100ms, 實(shí)際測(cè)量60ms 左右。對(duì)應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。
從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下,GD的運(yùn)行功耗比STM32小,但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候每?jī)蓚€(gè)字節(jié)之間會(huì)有一個(gè)Bit的Idle,而STM32沒有,如下圖:
GD的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設(shè)置和ST有一定差異,相同配置GD采樣的輸入阻抗相對(duì)來(lái)說(shuō)要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下,ADC的采樣時(shí)鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系:
FSMC區(qū)別
STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
GD103系列和ST103系列的ram和flash對(duì)比如下圖:
GD的105/107的選擇比ST的多很多,具體見下表:
還有很多差異,可能有些工程師在實(shí)際應(yīng)用過程中都發(fā)現(xiàn)了,歡迎大家留言補(bǔ)充。由于篇幅有限,本文就不再過多介紹了。
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