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[導(dǎo)讀]進一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位

2021年 1 月 27 日,中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù),在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后,美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑,進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。

美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 先生表示:“ 1α 節(jié)點印證了美光在 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先成就,同時也是我們對前沿設(shè)計和技術(shù)不懈追求的成果。對比我們上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%,為將來的產(chǎn)品和內(nèi)存創(chuàng)新提供了堅實的基礎(chǔ)。”

美光計劃于今年將 1α 節(jié)點全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強的性能。

美光繼續(xù)領(lǐng)跑多個內(nèi)存應(yīng)用市場

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 先生表示:“我們?nèi)碌?1α 技術(shù)將為手機行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM,同時也使美光于數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費領(lǐng)域、工業(yè)和汽車領(lǐng)域的 DRAM 客戶受益匪淺。內(nèi)存和存儲預(yù)計是未來十年增長最快的半導(dǎo)體市場,美光憑借領(lǐng)先業(yè)界的 DRAM 和 NAND 技術(shù),將在這個快速增長的市場中立于不敗之地。”

美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。美光為移動行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺,實現(xiàn)了 15% 的節(jié)能[1],使 5G 用戶在不犧牲續(xù)航的同時能在手機上進行更多任務(wù)操作。

美光的 1α 先進內(nèi)存節(jié)點提供 8Gb 至 16Gb 的密度,將助力美光現(xiàn)有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產(chǎn)品延長生命周期,并能為美光在服務(wù)器、客戶端、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的客戶提供更低功耗、更可靠的產(chǎn)品及更全面的產(chǎn)品支持,從而降低客戶再次驗證的成本。對于具備較長產(chǎn)品生命周期的汽車嵌入式解決方案、工業(yè) PC 和邊緣服務(wù)器等應(yīng)用場景而言,1α 制程同樣保證了在整個系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢的總體擁有成本。

供應(yīng)情況

美光位于臺灣地區(qū)的工廠已開始批量生產(chǎn) 1α 節(jié)點 DRAM,首先出貨的是面向運算市場的DDR4 內(nèi)存以及英睿達 (Crucial) 消費級 PC DRAM 產(chǎn)品。美光同時也已開始向移動客戶提供 LPDDR4 樣片進行驗證。公司將在 2021 自然年內(nèi)推出基于該技術(shù)的更多新產(chǎn)品。

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